CXLD64433 250mA超低噪声LDO稳压器
2.2V-5.5V输入 | 高PSRR 80dB | 低静态电流16μA | 可调输出电压

产品版本：Rev 1.0 | 更新日期：2026年7月 | 型号：CXLD64433 | 封装：WL-CSP-4B / ZQFN-4L / SOT-23-5

嘉泰姆电子（JTM-IC）推出的 CXLD64433 是一款高性能正电压低压差（LDO）线性稳压器，专为对电源噪声敏感的应用而设计。该器件在提供高达 250mA 输出电流的同时，实现了超低的压差电压、超高的电源抑制比（PSRR）和极低的静态电流。CXLD64433 的输入电压范围为 2.2V 至 5.5V，输出电压可在 1.2V 至 4.5V 范围内以 25mV 步进调节，满足各类低功耗芯片和模拟电路的供电需求。器件采用 1μF 陶瓷输入和输出电容 即可稳定工作，无需额外的噪声旁路电容，极大简化了外围电路设计。CXLD64433 提供 WL-CSP-4B（0.67×0.67mm）、ZQFN-4L（1×1mm）和 SOT-23-5 三种封装，是空间受限型便携设备的理想电源解决方案。

1. 产品概述与市场定位

在智能手机、平板电脑、数码相机、可穿戴设备、便携医疗设备以及无线基础设施等应用中，电源轨的噪声水平直接影响射频性能、音频质量和系统稳定性。CXLD64433 作为一款 超低噪声 LDO 稳压器，其核心优势在于 高 PSRR（80dB@1kHz） 和 低静态电流（16μA） 的完美结合。与传统的 LDO 相比，CXLD64433 在提供相同负载能力的前提下，功耗更低、噪声更小，特别适合对电源纹波敏感的高速模数转换器（ADC）、锁相环（PLL）、射频收发器和音频编解码器等供电。

芯片的 可调输出电压（1.2V-4.5V，25mV 步进） 和 超低压差（120mV@250mA） 特性，使其能够适应从 1.8V 数字核心电压到 3.3V 模拟供电的广泛需求。CXLD64433 采用 1μF 陶瓷电容 即可保持稳定，无需大体积钽电容，有效减少 PCB 面积和 BOM 成本。器件内置的 过流保护（OCP） 和 过温保护（OTP） 功能，确保在异常工况下系统的安全可靠。CXLD64433 是高性能、低功耗、小尺寸电源管理方案的理想选择。

2. 主要特点与技术亮点

• 超低噪声：CXLD64433 在 10Hz 至 100kHz 带宽内的输出噪声电压低至 6.5μVrms（@250mA），无需外部噪声旁路电容即可获得纯净的电源输出，为射频和模拟电路提供干净的电源轨。
• 高 PSRR 性能：在 1kHz 频率下 PSRR 高达 80dB，10kHz 下仍保持 70dB，100kHz 下为 60dB，有效抑制来自前级 DC-DC 或电源适配器的高频纹波，确保后级电路的工作稳定性。
• 极低静态电流：使能状态下静态电流仅 16μA（典型值），关断模式下电流低于 1μA，大幅延长电池供电设备的待机时间。
• 超低压差：在 250mA 负载下压差电压低至 120mV（典型值，VOUT≥2.2V），允许在输入电压接近输出电压时仍能保持稳定的调节，提高电源利用效率。
• 高精度输出：在全负载、全输入电压范围和全温度范围内，输出电压精度达到 ±2%（WL-CSP 封装）或 ±3%（ZQFN/SOT-23-5 封装），为系统提供精确的参考电压。
• 输出自动放电：当 EN 引脚拉低进入关断模式时，内部 10Ω（典型值） 下拉电阻自动对输出电容放电，避免输出端残留电压引起的系统误动作。
• 全面保护：内置 过流保护 和 过温保护，过温保护阈值典型值为 160°C，恢复迟滞约 26°C，在异常条件下自动关断并恢复，确保器件和系统安全。

3. 引脚配置与功能描述

CXLD64433 提供三种封装选项：WL-CSP-4B（0.67×0.67mm 球栅阵列）、ZQFN-4L（1×1mm 超薄封装）和 SOT-23-5（小型表面贴装）。以下以 WL-CSP-4B 和 SOT-23-5 封装为例说明引脚功能。

4. 电气特性（设计参考）

5. 典型应用电路

CXLD64433 的典型应用电路极为简洁，仅需在输入和输出端各放置一颗 1μF 陶瓷电容即可实现完整的 LDO 稳压功能。EN 引脚可通过 GPIO 控制，若不需要关断功能可直接连接至 VIN。下图展示了 CXLD64433 的基本应用电路。

图2. CXLD64433 典型应用电路

6. 工作原理与设计指导

6.1 基本工作原理

CXLD64433 是一款采用 P-MOSFET 作为调整管的低压差线性稳压器。其内部由 高精度带隙基准源、误差放大器、P-MOSFET 调整管 和 反馈分压网络 构成。输出电压通过内部电阻分压器采样后送入误差放大器，与基准电压进行比较，误差放大器控制 P-MOSFET 的栅极电压，从而调节输出电流以维持输出电压的稳定。当负载变化或输入电压波动时，误差放大器快速响应，确保输出保持在设定值。

6.2 使能与关断操作

CXLD64433 的 EN 引脚内置 1MΩ 下拉电阻 至 GND。将 EN 引脚拉至逻辑高电平（>1.2V，<5.5V）使能 LDO 输出；拉至低电平（<0.4V）则进入关断模式。在关断模式下，调整管、误差放大器和带隙基准全部关闭，供电电流降低至 1μA（最大），同时内部 10Ω 下拉电阻 对输出电容进行放电，确保 VOUT 快速归零。若系统不需要关断功能，可将 EN 直接连接至 VIN，使 LDO 始终保持工作状态。

6.3 过温保护（OTP）

当结温超过 160°C（典型值） 时，过温保护电路将关断 P-MOSFET，停止输出。当结温下降约 26°C（典型迟滞） 后，器件自动恢复工作。这种滞回设计避免了在临界温度附近的频繁开关振荡，提高了系统的稳定性。

6.4 过流保护（OCP）

CXLD64433 通过内部电流检测晶体管实时监测输出电流。当负载电流超过内部限流阈值时，误差放大器将限制 P-MOSFET 的栅极驱动，将输出电流钳制在安全范围内，防止器件因过载或短路而损坏。

6.5 误差放大器与环路稳定性

误差放大器是 CXLD64433 的核心控制单元，它将反馈电压与内部基准比较后输出控制信号，驱动 P-MOSFET 的栅极。器件内部经过精密的频率补偿设计，确保在 1μF 陶瓷输出电容（X5R/X7R）条件下闭环稳定。较大的输出电容和较低的 ESR 可进一步改善 PSRR 和负载瞬态响应。

6.6 输出自动放电

当 EN 引脚被拉低时，CXLD64433 不仅关断调整管，还会通过内部 10Ω（典型值） 电阻将输出电容上的电荷快速泄放至地。这一功能可防止在系统关断后输出端仍有残余电压，避免对后级电路造成误触发或损坏，尤其适用于多电源域时序控制场景。

7. 应用信息与设计指导

7.1 输入与输出电容选型

CXLD64433 专为与 低 ESR 陶瓷电容 配合使用而优化设计。输入和输出端各需放置至少 1μF（X5R 或 X7R） 的陶瓷电容，并尽量靠近 IC 引脚放置。增大电容容量和降低 ESR 有助于改善 PSRR 和负载瞬态响应。在 PCB 布局合理的情况下，输出电容可距离芯片最远 5cm，输入电容可距离芯片最远 1cm。

• 输入电容（CIN）：推荐使用 1μF~10μF 的 X5R/X7R 陶瓷电容，位置尽可能靠近 VIN 和 GND 引脚。
• 输出电容（COUT）：推荐使用 1μF~10μF 的 X5R/X7R 陶瓷电容，位置尽可能靠近 VOUT 和 GND 引脚。
• ESR 影响：陶瓷电容的 ESR 通常在 5mΩ~50mΩ 范围内，完全满足 CXLD64433 的稳定要求。不建议使用 ESR 过高的钽电容或铝电解电容。

7.2 压差电压与最小输入电压

压差电压（VDROP）是指 LDO 在给定输出电流下保持稳压所需的最小 VIN-VOUT 差值。CXLD64433 的压差电压可表示为 VDROP = RDS(ON) × IOUT，其中 RDS(ON) 为 P-MOSFET 的导通电阻。在 250mA 负载下，压差典型值为 120mV（VOUT≥2.2V）。为确保良好的瞬态响应和 PSRR，建议在实际应用中保持 VIN > VOUT + 0.2V 的余量。当 VIN 低于此值时，LDO 将进入饱和区，PSRR 和负载调整率性能会显著下降。

7.3 热设计考虑

CXLD64433 的最大允许功耗受限于封装热阻和环境温度。最大功耗可通过以下公式计算：

其中 T_J(MAX) = 125°C（推荐工作条件），TA 为环境温度，θ_JA 为封装结-环境热阻。各封装在标准 JEDEC 四层板上的最大功耗（TA=25°C）为：

• WL-CSP-4B：1.08W（θ_JA=91.8°C/W）
• ZQFN-4L：1.11W（θ_JA=89.8°C/W）
• SOT-23-5：0.57W（θ_JA=174.5°C/W）

设计时需根据实际功耗（P_D = (VIN - VOUT) × IOUT）和环境温度进行热核算，确保结温不超过 125°C。在较高环境温度或大压差应用下，应优先选择 WL-CSP-4B 或 ZQFN-4L 封装以改善散热。

7.4 PCB 布局建议

CXLD64433 的动态性能高度依赖于 PCB 布局质量。以下为关键布局指导原则：

• 电容就近放置：CIN 和 COUT 应放置在与 IC 同一 PCB 面，并尽可能靠近对应的 VIN/VOUT 和 GND 引脚，以最小化寄生电感和电阻。
• 地线回路最短：CIN 和 COUT 的接地端应通过 宽且短 的铜箔回到 IC 的 GND 引脚，避免长走线和过孔引入的寄生阻抗。
• 避免过孔和窄线：输入输出功率路径应避免使用过长、过窄的走线或过多的过孔，这些寄生因素会劣化瞬态响应和 PSRR 性能。
• 散热设计：对于 ZQFN-4L 封装，应将底部散热焊盘（Exposed Pad）连接至 GND，并通过多个过孔与内层地平面相连，以增强散热。WL-CSP-4B 封装的 GND 球（B2）应通过过孔直接连接到第二层地平面以增大散热面积。
• 模拟地与功率地：建议将模拟地（AGND）与功率地（PGND）在 IC 下方单点连接，避免大电流在接地回路中产生压降影响输出电压精度。

7.5 典型应用场景

CXLD64433 凭借其超低噪声、高 PSRR 和低静态电流特性，适用于以下典型应用场景：

• 智能手机和移动设备：为射频前端、音频编解码器、图像传感器和 MEMS 麦克风提供纯净的电源轨。
• 便携医疗设备：为血糖仪、心率监测器等对噪声敏感的模拟前端供电。
• 工业传感器：为 4-20mA 变送器、压力传感器、温度传感器等提供低噪声参考电源。
• 无线通信模块：为 Wi-Fi、蓝牙、ZigBee 等射频收发器供电，避免电源纹波降低接收灵敏度。
• 电池供电设备：利用 16μA 的极低静态电流，最大化电池续航时间。

8. 订购信息与技术支持

CXLD64433 提供 WL-CSP-4B（0.67×0.67mm）、ZQFN-4L（1×1mm）和 SOT-23-5 三种封装，支持 1.2V 至 4.5V 范围内以 25mV 步进的输出电压选项。产品符合 Richtek Green Policy 环保规范，兼容 IPC/JEDEC J-STD-020 标准。嘉泰姆电子提供工程样品、量产芯片及全面的技术支持，包括评估板、参考设计原理图、PCB 布局指南和 FAE 现场支持。