CXLD64432 250mA超低噪声LDO
高PSRR | 1.2-4.5V输出 | 16μA IQ | 无需旁路电容 | 多封装

产品版本：Rev 1.0 | 更新日期：2026年7月 | 型号：CXLD64432 | 封装：SOT-23-5 / ZQFN-4L（1×1mm）/ WL-CSP-4B（0.67×0.67mm）

嘉泰姆电子（JTM-IC）推出的 CXLD64432 是一款高性能正电压低压差线性稳压器，专为需要极低压降、超低噪声、高电源抑制比（PSRR）和低静态电流的应用设计，输出电流高达 250mA。输入电压范围 2.2V至5.5V，输出电压可通过内部固定电阻分压在 1.2V至4.5V 范围内以 25mV 步进精细选择，覆盖从低压核心电压到5V系统电压的广泛应用场景。芯片仅需 1μF输入和1μF输出陶瓷电容 即可稳定工作， 无需外部噪声旁路电容，极大简化设计并节省PCB面积。

CXLD64432 提供业界领先的 高PSRR——在1kHz频率下PSRR高达 85dB，10kHz下仍达 80dB，有效抑制电源纹波和噪声，非常适合射频、音频、图像传感器等敏感模拟电路供电。 超低静态电流（16μA） 和 关断电流（<1μA） 显著延长电池寿命。在250mA负载下压降仅 120mV，在低输入电压下仍能保持高效调节。集成 过流保护、过温保护 和 输出自动放电（10Ω下拉电阻），提供 SOT-23-5、ZQFN-4L（1×1mm） 和 WL-CSP-4B（0.67×0.67mm） 三种封装，是手机、平板、数码相机、便携医疗设备、智能电表、IP摄像机、无人机等超低噪声电源应用的理想选择。

1. 产品概述与市场定位

在智能手机、平板电脑、数码相机、便携医疗设备、智能电表、IP摄像机、无人机等应用中，射频前端、图像传感器、音频编解码器等敏感模拟电路对电源噪声极为敏感，需要超低噪声、高PSRR的LDO来抑制来自系统电源的纹波和噪声。传统LDO通常需要外部旁路电容来降低噪声，增加了BOM成本和PCB面积。CXLD64432 作为一款 超低噪声LDO，其核心优势在于 无需外部旁路电容即可实现超低噪声和高PSRR——内部优化的噪声抑制设计使其在不增加外部元件的情况下提供优异的噪声性能，同时仅需 1μF陶瓷电容 即可稳定工作，极大简化了系统设计并节省了宝贵的PCB面积。

芯片的 16μA超低静态电流 和 <1μA关断电流 使其非常适合电池供电的便携设备，有效延长续航时间。 1.2V至4.5V 的宽输出电压范围（25mV步进）覆盖了从低电压核心供电到高电压模拟电路供电的多种应用场景。 三种封装选项 满足从超紧凑（WL-CSP-4B 0.67×0.67mm）到标准贴片的不同PCB布局需求。CXLD64432 是便携设备、无线通信、医疗电子及工业设备等超低噪声电源管理的理想选择。

2. 主要特点与技术亮点

• 250mA输出电流：保证250mA连续输出能力，满足射频前端、图像传感器、音频编解码器等负载需求。
• 超低噪声（无需旁路电容）：内部优化设计，无需外部旁路电容即可实现超低输出噪声，节省PCB面积和BOM成本。
• 超高PSRR：1kHz时PSRR达85dB，10kHz时达80dB，有效抑制电源纹波，适合射频、音频等敏感应用。
• 超低静态电流：典型值仅16μA，显著延长电池供电设备的续航时间。
• 超低关断电流：关断模式下静态电流<1μA，几乎不消耗电池能量。
• 宽输出电压范围：1.2V至4.5V，25mV步进，覆盖主流电压需求，无需外部反馈电阻。
• 低压差：250mA负载下压降仅120mV，在低输入电压下仍能保持正常调节。
• 陶瓷电容稳定：仅需1μF输入和输出陶瓷电容（X5R/X7R）即可稳定工作，降低BOM成本。
• 输出自动放电：关断时内部10Ω电阻快速泄放输出电容电荷，确保负载快速断电。
• 快速启动：启动时间仅80μs，适合需要快速响应的系统。
• 完善保护：过流保护、过温保护（160°C触发，26°C迟滞）。
• 三种封装选项：SOT-23-5（标准贴片）、ZQFN-4L（1×1mm超紧凑）、WL-CSP-4B（0.67×0.67mm极致紧凑），灵活适配不同设计需求。

3. 典型应用电路

CXLD64432 的典型应用电路非常简洁：输入电容（CIN，1μF陶瓷），输出电容（COUT，1μF陶瓷），EN引脚接使能信号（高电平使能，低电平关断）。VIN接输入电源（2.2V~5.5V），VOUT输出固定电压，GND接地。无需外部旁路电容和反馈电阻。

图1. 典型应用电路（固定输出LDO）

4. 极限参数与电气特性（设计参考）

5. 工作原理与设计指导

5.1 工作原理

CXLD64432 是一款高性能低静态电流线性稳压器，专为低外部元件系统设计。内部P-MOSFET输出晶体管提供低导通电阻，实现低压差工作。误差放大器将内部基准电压与内部固定电阻分压网络的反馈电压进行比较，控制P-MOSFET的栅极电压，从而在输出端实现良好的线性调整率和负载调整率。最低输出电容要求为 1μF 有效电容（X5R/X7R，考虑温度和电压系数）。

5.2 固定输出电压

芯片内部集成了高精度电阻分压网络，提供 1.2V至4.5V 范围内的固定输出电压，步进 25mV。用户根据应用需求选择对应型号（通过输出电压代码表），无需外部反馈电阻，简化设计，降低BOM成本。

5.3 使能控制与输出放电

EN引脚为高电平（>1.2V）时芯片使能；低电平（<0.4V）时进入关断模式，关断电流 <1μA。EN引脚内部有1MΩ下拉电阻，悬空时芯片默认关断。关断时，内部 10Ω 放电电阻将VOUT快速泄放至GND，确保负载快速断电。

5.4 电容选择

输入/输出电容：推荐使用 ≥1μF 陶瓷电容（X5R/X7R），并尽量靠近VIN/VOUT和GND引脚放置。增大电容值和降低ESR可改善PSRR和瞬态响应。合理布局下，输出电容可放置在距离芯片5cm以内，输入电容在1cm以内。

5.5 最低工作电压

CXLD64432 内部电路在VIN达到2.2V之前不完全工作，输出电压在VIN达到 (VOUT + VDROP) 之前不进行调节。建议VIN ≥ VOUT + 1V 以获得最佳性能。

5.6 保护机制

• 过流保护：通过内部检测晶体管监测输出电流，过载或短路时限制电流，防止芯片损坏。
• 过温保护：结温超过160°C时关断P-MOSFET，温度下降约26°C后自动恢复。

6. 基于 CXLD64432 的智能手机射频电源设计实例

设计目标：一款5G智能手机，需要为射频前端模块（RF FEM）提供2.8V/150mA电源，输入来自锂离子电池（3.0V~4.4V）。要求超低噪声和高PSRR以避免干扰射频接收灵敏度，低静态电流以延长待机时间，超小封装以节省PCB面积。

• 型号选择：选用 CXLD64432-2.8（固定2.8V输出），封装选择WL-CSP-4B（0.67×0.67mm极致紧凑），输入电压范围3.0V~4.4V。
• 电容选择：CIN=1μF陶瓷（0402，X5R），COUT=1μF陶瓷（0402，X5R）。
• 功耗计算：PD(max) = (4.4-2.8)V × 150mA = 0.24W。WL-CSP-4B封装θJA=214.9°C/W，温升≈52°C，在85°C环境温度下结温≈137°C，超过125°C上限。建议降低功耗或选择ZQFN-4L封装（θJA=92.7°C/W，温升≈22°C，结温≈107°C，安全）。
• 噪声性能：无需外部旁路电容即可实现85dB@1kHz的PSRR和超低噪声，满足射频前端严格要求。
• PCB布局：输入/输出电容靠近对应引脚，EN引脚接MCU GPIO（或接VIN常开），GND连接至大面积地平面。

7. PCB 布局建议

• 输入/输出电容就近放置：CIN（≥1μF）和COUT（≥1μF）应尽可能靠近VIN/VOUT和GND引脚，走线短、宽。建议使用0402或0603尺寸的X5R/X7R陶瓷电容。
• 地线设计：GND引脚连接至大面积地平面，以增强散热和降低地阻抗。对于ZQFN-4L和WL-CSP-4B封装，建议通过过孔连接至内层地平面以增强散热。
• 功率走线：VIN、VOUT和GND为电流路径，走线应宽短，减小压降。
• EN走线：EN为CMOS逻辑输入，走线可稍长，但应避免与高噪声线路并行。EN引脚内部有1MΩ下拉电阻，悬空时默认关断。
• 封装选择建议：对于高功耗应用，建议选择ZQFN-4L封装（θJA=92.7°C/W，最大功耗1.07W）；对于极致紧凑应用，选择WL-CSP-4B（0.67×0.67mm）；对于标准贴片应用，选择SOT-23-5。
• 散热考虑：SOT-23-5封装θJA=218.1°C/W，最大功耗0.45W；ZQFN-4L封装θJA=92.7°C/W，最大功耗1.07W；WL-CSP-4B封装θJA=214.9°C/W，最大功耗0.46W（TA=25°C）。在250mA大电流或高输入电压应用中，建议选择ZQFN-4L封装并增加PCB铜箔面积散热，确保结温不超过125°C。
• 电容类型：推荐使用X7R或X5R介质的陶瓷电容，确保有效容量在全温度范围内满足≥1μF要求。

8. 引脚封装图与订购信息

CXLD64432 提供 SOT-23-5、ZQFN-4L（1×1mm） 和 WL-CSP-4B（0.67×0.67mm） 三种封装，均无铅、RoHS 合规。输出电压范围1.2V~4.5V（25mV步进），请根据实际需求选择对应型号（通过输出电压代码表）。嘉泰姆电子提供工程样品、量产芯片及全面的技术支持，包括评估板、参考设计和 FAE 现场支持。