CXLD64418A/B 500mA LDO | 外部偏置供电 | 固定/可调输出 | SOT-23-6 - 嘉泰姆电子

CXLD64418A/B 500mA LDO | 外部偏置供电 | 固定/可调输出 | SOT-23-6 - 嘉泰姆电子

产品型号:CXLD64418A
产品类型:LDO线性稳压器
产品系列:线性稳压器单通道输出
产品状态:量产
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产品简介

CXLD64418A / CXLD64418B 是一款带外部偏置供电的低压差线性稳压器,支持1V-5.5V输入,偏置电压3V-5.5V,500mA输出,输出电压精度±2%。A版固定输出1V-2V(0.1V步进)带PGOOD指示,B版可调输出0.8V-2.5V(ADJ引脚),关断电流<1μA,集成过流/热关断保护,采用SOT-23-6封装。嘉泰姆电子提供笔记本/VID电源/PDA/手机等低压差电源方案。

技术参数

输入电压范围 (VIN)1 - 5.5V
输出电压 (VOUT)1~2V
输出电流 (IOUT)500mA
工作频率1000kHz
转换效率95%
封装类型SOT-26
Dropout voltage300 @ 0.5A
Quiescent current160
Psrr.60dB@1kHz
Noise30μVRMS
Protection过流/过温
FeaturesEnable Input;OCP;Power Good;Stable with Ceramic Capacitor
Application线性稳压器单通道输出
Temperature range-40℃~125℃
Output capacitorCeramic
Precision±2%
Bias RailYes
Charge PumpYes
Output Adj. MethodFixed

产品详细介绍

CXLD64418A / CXLD64418B 带外部偏置供电LDO
1V-5.5V输入 | 500mA输出 | 固定/可调版本 | PGOOD指示 | SOT-23-6

产品版本:Rev 1.0 | 更新日期:2026年7月 | 型号:CXLD64418A / CXLD64418B | 封装:SOT-23-6

嘉泰姆电子(JTM-IC)推出的 CXLD64418ACXLD64418B 是带外部偏置供电的低压差线性稳压器,专为需要从低电压输入产生低电压输出的应用设计。外部偏置电源(VDD)驱动内部 N沟道传输管 的栅极,使芯片能够在输入电压低至 1V 的条件下仍能提供稳定的低压输出,非常适用于笔记本VID电源、FPGA/ASIC核心供电等场景。

CXLD64418A 为固定输出电压版本,提供 1V至2V 范围(0.1V步进)的固定输出选项,并集成 PGOOD开漏输出 用于电源状态指示。CXLD64418B 为可调输出电压版本,通过ADJ引脚和外部反馈电阻可在 0.8V至2.5V 范围内灵活设定输出电压,同时也支持将ADJ引脚接地使用内部固定分压(等效于固定版本)。两款芯片输入电压范围均为 1V至5.5V,偏置电压范围 3V至5.5V,输出电流高达 500mA,输出电压精度 ±2%。集成 过流保护热关断保护使能控制,关断电流 <1μA,采用 SOT-23-6 封装,是笔记本计算机、VID电源、PDA、手机等低压差电源应用的理想选择。

核心优势: 外部偏置供电(VDD驱动N沟道传输管) | 输入低至1V | 500mA输出 | A版:固定1-2V(0.1V步进)+PGOOD | B版:可调0.8-2.5V(ADJ引脚) | ±2%输出精度 | 关断电流<1μA | 过流/热关断保护 | SOT-23-6封装。

1. 产品概述与市场定位

在笔记本计算机、FPGA/ASIC核心供电、VID电源等应用中,系统需要从极低的输入电压(如1V~2V)产生同样低电压但更高精度的稳压输出。传统LDO使用P沟道传输管,在输入电压接近输出电压时无法提供足够的栅极驱动,导致压差过大或无法正常工作。CXLD64418A/B 通过引入 外部偏置供电(VDD) 来解决这一问题——VDD(3V~5.5V)为内部N沟道传输管提供足够的栅极驱动电压,使其在输入电压低至 1V 时仍能实现极低压差调节,同时N沟道传输管具有更低的导通电阻,进一步降低压降。

芯片的 超低压差特性 使其非常适合后级稳压应用——在开关电源输出之后提供纯净的低噪声电源。 PGOOD指示(A版)便于系统电源时序控制, ADJ可调功能(B版)提供输出电压的灵活配置。 500mA 的输出能力满足主流低压负载需求。CXLD64418A/B 采用 SOT-23-6 紧凑封装,是笔记本、通信设备、便携电子等低压差电源管理的理想选择。

2. 主要特点与技术亮点

外部偏置供电VDD驱动N沟道传输管
超低输入电压VIN低至1V
500mA输出满足多种负载
固定版本(A)1-2V + PGOOD
可调版本(B)0.8-2.5V(ADJ)
±2%精度高精度输出
关断电流<1μA
完善保护过流/热关断
  • 外部偏置供电架构:VDD(3V~5.5V)为内部N沟道传输管提供栅极驱动,使VIN可低至1V仍能正常工作,实现超低压差调节。
  • 超低输入电压(1V~5.5V):直接从低压电源轨取电,适合后级稳压应用。
  • 500mA输出电流:满足FPGA、ASIC、DSP等低压核心负载需求。
  • 两种型号可选:CXLD64418A固定输出1V~2V(0.1V步进)+ PGOOD指示;CXLD64418B可调输出0.8V~2.5V(ADJ引脚),也可接地使用内部固定分压。
  • 高输出精度:±2%输出电压精度,为敏感负载提供稳定电源。
  • 超低关断电流:关断模式下VIN和VDD静态电流均<1μA,延长电池待机时间。
  • PGOOD开漏输出(A版):指示输出电压状态,便于系统电源时序控制。
  • 无最小负载要求:空载时仍能保持稳定和调节,适合CMOS RAM保持等应用。
  • 完善保护:过流保护(0.7A典型值)、热关断保护(165°C触发)。
  • SOT-23-6封装:紧凑型封装,适合空间受限设计。

3. 典型应用电路

CXLD64418A/B 的典型应用电路包括:输入电容(CIN,10μF陶瓷),输出电容(COUT,10μF陶瓷),偏置电源去耦电容(CVDD,0.1μF~10μF)。对于B版可调输出,需在VOUT与ADJ之间连接R1,ADJ与GND之间连接R2。VIN接输入电源(1V~5.5V),VDD接偏置电源(3V~5.5V),EN接使能信号(高电平使能),GND接地。

典型应用电路
图1. 典型应用电路(CXLD64418A固定输出+PGOOD / CXLD64418B可调输出)

图2. CXLD64418A/B 内部功能方框图
内部集成:N沟道传输管(外部偏置VDD驱动)、高精度基准源(0.8V)、误差放大器、内部电阻分压网络(A版)/ADJ输入(B版)、使能逻辑、PGOOD比较器(A版)、过流保护、热关断保护等。

4. 极限参数与电气特性(设计参考)

极限参数 (Absolute Maximum Ratings)
符号 参数 最小值 最大值 单位
VIN, VDD 输入/偏置电压 -0.3 6 V
EN, PGOOD, ADJ 其他引脚 -0.3 6 V
PD 功耗(TA=25°C) 0.4 W
θJA 热阻(SOT-23-6) 250 °C/W
TJ 结温范围 -40 150 °C
TSTG 存储温度 -65 150 °C
ESD (HBM) 人体模型 2 kV
推荐工作条件
参数 最小值 最大值 单位
VIN 输入电压 1.0 5.5 V
VDD 偏置电压 3.0 5.5 V
VOUT(A版固定) 1.0 2.0 V
VOUT(B版可调) 0.8 2.5 V
环境温度 -40 85 °C
结温 -40 125 °C
关键电气特性 (VIN=1.8V, IOUT=1mA, COUT=10μF, TA=25°C, 典型值)
参数 条件 典型值 单位
VIN 输入范围 1.0 – 5.5 V
VDD 偏置范围 3.0 – 5.5 V
VOUT范围(A版固定) 0.1V步进 1.0 – 2.0 V
VOUT范围(B版可调) 外部电阻设定 0.8 – 2.5 V
输出电压精度(A版) IOUT=10mA ±2 %
输出电压精度(B版) IOUT=10mA, ADJ接地 ±2 %
参考电压(B版) IOUT=10mA 0.8 V
静态电流(VDD) IOUT=0mA 160 μA
关断电流(VIN) EN=GND 1 μA
关断电流(VDD) EN=GND 1 μA
VDD UVLO 阈值 2.7 V
线调整率 IOUT=10mA ±0.15 %/V
负载调整率 1mA~500mA 0.2 %
电流限制 0.7 A
EN高电平阈值 1.2 V
EN低电平阈值 0.4 V
热关断温度 165 °C
推荐输出电容 陶瓷(ESR>2mΩ) ≥10 μF

5. 工作原理与设计指导

5.1 外部偏置供电架构

CXLD64418A/B 采用 外部偏置供电(VDD)驱动N沟道传输管 的独特架构。传统LDO使用P沟道传输管,当输入电压(VIN)接近输出电压(VOUT)时,栅极驱动不足导致压差增大。而本芯片使用N沟道传输管,其栅极由外部VDD(3V~5.5V)驱动,即使VIN低至1V,传输管仍能完全导通,实现 超低压差 调节。这种架构特别适合从低压电源轨(如1V/1.2V/1.5V)产生同样低压输出的应用,如FPGA/ASIC核心供电、VID电源等。

5.2 输出电压设定

CXLD64418A(固定版本):内部集成了高精度电阻分压网络,提供 1V~2V 范围内的固定输出电压(0.1V步进)。用户根据应用需求选择相应型号,无需外部反馈电阻,设计简洁。

CXLD64418B(可调版本):通过ADJ引脚和外部反馈电阻设定输出电压,内部基准电压为 0.8V。输出电压计算公式:
VOUT = 0.8V × (1 + R1/R2)
其中R1连接VOUT至ADJ,R2连接ADJ至GND。推荐R1+R2 ≤ 800kΩ以减小噪声影响。若将ADJ引脚直接接地,则输出固定为0.8V(内部基准电压)。

5.3 PGOOD指示(A版)

CXLD64418A 集成 PGOOD开漏输出,用于指示输出电压状态。当输出电压达到目标值且正常时,PGOOD输出高阻(需外接上拉电阻);当输出电压低于阈值或芯片处于关断/保护状态时,PGOOD拉低。PGOOD便于系统实现电源时序控制和故障监测。

5.4 保护机制

  • VDD UVLO:VDD电压低于2.7V(典型值)时芯片关断,防止偏置电压不足导致异常工作。
  • 过流保护:内部限流电路监测输出电流,限制电流至0.7A(典型值),保护芯片和负载。
  • 热关断保护:结温超过165°C时关断输出,温度下降后自动恢复。

6. 基于 CXLD64418B 的笔记本VID电源设计实例

设计目标:一款笔记本CPU VID电源,需要从1.8V输入产生1.2V/400mA可调输出,VDD来自系统5V电源,要求高精度、低压差。

  • 型号选择:选用 CXLD64418B(可调版本),VIN=1.8V,VDD=5V,目标VOUT=1.2V。
  • 反馈电阻计算:VREF=0.8V,VOUT=1.2V,取R2=100kΩ,则R1 = (1.2/0.8 - 1)×100k = 50kΩ。
  • 电容选择:CIN=10μF陶瓷,COUT=10μF陶瓷(ESR>2mΩ),CVDD=0.1μF~10μF陶瓷。
  • 功耗计算:PD = (1.8-1.2)V × 400mA = 0.24W。SOT-23-6封装θJA=250°C/W,温升≈60°C,在85°C环境温度下结温≈145°C,超过125°C建议上限。建议降低功耗或增强散热(增大PCB铜箔面积)。
  • PCB布局:CIN和COUT靠近引脚,反馈电阻靠近ADJ,VDD和VIN分别去耦。
设计支持: 嘉泰姆电子提供 CXLD64418A/B 评估板、参考设计(原理图、BOM、PCB 布局)及 FAE 技术支持,助力客户快速完成低压差LDO方案设计。

7. PCB 布局建议

  • 输入/输出电容就近放置:CIN(≥10μF)和COUT(≥10μF)应尽可能靠近VIN/VOUT和GND引脚,走线短、宽,减小寄生电感和电阻。输入电容必须放置在距离器件输入引脚 0.5英寸以内
  • VDD去耦电容:CVDD(0.1μF~10μF)靠近VDD引脚放置,滤除偏置电源噪声。
  • 反馈电阻靠近ADJ(B版):R1/R2紧靠ADJ引脚放置,ADJ走线尽量短,避免噪声耦合。
  • PGOOD上拉(A版):PGOOD为开漏输出,需外接上拉电阻(建议100kΩ)至VDD或系统电源。
  • 地线设计:GND引脚连接至大面积地平面,以增强散热和降低地阻抗。
  • 散热考虑:SOT-23-6封装θJA=250°C/W,最大功耗0.4W(TA=25°C)。在500mA大电流应用中,需确保功耗在允许范围内,必要时增加PCB铜箔面积散热。
  • 电容类型:推荐使用X7R或X5R介质的陶瓷电容,输出电容ESR需>2mΩ以确保稳定性。

8. 引脚封装图与订购信息

图3. CXLD64418A/B 引脚封装图(SOT-23-6)
6引脚SOT-23封装,引脚间距0.95mm。封装尺寸:2.90mm×1.60mm×1.10mm(最大)。

CXLD64418A(固定版本,带PGOOD)和 CXLD64418B(可调版本,带ADJ)均采用 SOT-23-6 封装,无铅、RoHS 合规。A版提供1V~2V范围固定输出电压(0.1V步进);B版通过外部反馈电阻可调输出0.8V~2.5V。嘉泰姆电子提供工程样品、量产芯片及全面的技术支持,包括评估板、参考设计和 FAE 现场支持。

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