CXLD64411Q 36V超低静态电流LDO | 2μA IQ | AEC-Q100 | SOP-8 - 嘉泰姆电子

CXLD64411Q 36V超低静态电流LDO | 2μA IQ | AEC-Q100 | SOP-8 - 嘉泰姆电子

产品型号:CXLD64411Q
产品类型:LDO线性稳压器
产品系列:线性稳压器单通道输出
产品状态:量产
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产品简介

CXLD64411Q 是一款36V、2μA静态电流、100mA低压差线性稳压器,固定输出电压2.5V/3.3V/5V/12V可选,输入3.5V-36V,压降0.55V@10mA,精度±2%,集成过流/过温保护,通过AEC-Q100 Grade 3认证,采用SOP-8 Exposed Pad封装。嘉泰姆电子提供便携/电池供电/笔记本电源方案。

技术参数

输入电压范围 (VIN)3.5 - 36V
输出电压 (VOUT)2.5~12V
输出电流 (IOUT)100mA
工作频率1000kHz
转换效率95%
封装类型PSOP-8
Dropout voltage320 @ 0.01A
Quiescent current2;3.5
Psrr.60dB@1kHz
Noise30μVRMS
Protection过流/过温
FeaturesAEC-Q100;OCP;Stable with Ceramic Capacitor
Application线性稳压器单通道输出
Temperature range-40℃~125℃
Output capacitorCeramic;Tantalum
Precision±2%
Bias RailYes
Charge PumpYes
Output Adj. MethodFixed

产品详细介绍

CXLD64411Q 36V超低静态电流LDO
2μA IQ | 100mA输出 | AEC-Q100 | 固定输出电压 | SOP-8

产品版本:Rev 1.0 | 更新日期:2026年7月 | 型号:CXLD64411Q | 封装:SOP-8(Exposed Pad)

嘉泰姆电子(JTM-IC)推出的 CXLD64411Q 是一款高电压线性稳压器,兼具高输入电压、低压差、超低静态电流和极少外部元件等优势。输入电压范围 3.5V至36V,输出电流高达 100mA,提供 2.5V、3.3V、5V、12V 固定输出电压选项。超低静态电流低至 2μA,是电池供电设备延长工作寿命的理想选择。芯片在全输入电压范围(3.5V~36V)和全负载电流范围(0mA~100mA)内均能稳定工作,支持陶瓷或钽电容输出。CXLD64411Q 集成 过流保护过温保护,输出精度 ±2%,通过 AEC-Q100 Grade 3 认证,采用 SOP-8(Exposed Pad) 封装,是便携设备、电池供电系统、超低功耗微控制器及笔记本电脑等应用的理想电源方案。

核心优势: 36V高输入电压 | 2μA超低静态电流 | 100mA输出能力 | 固定输出电压(2.5/3.3/5/12V) | 0.55V压降@10mA | ±2%输出精度 | AEC-Q100 Grade 3认证 | 过流/过温保护 | 稳定于陶瓷或钽电容 | SOP-8(Exposed Pad)封装。

1. 产品概述与市场定位

在便携设备、电池供电系统、超低功耗微控制器及汽车电子等应用中,对电源管理芯片的要求日益严苛——既要承受宽范围输入电压(应对电池电压波动和瞬态过压),又要保持极低的自身功耗以延长电池寿命。CXLD64411Q 作为一款 高电压、超低静态电流线性稳压器,其核心优势在于 36V宽输入电压和2μA超低静态电流——可直接从12V/24V汽车电池或工业总线取电,无需额外降压前级;同时自身消耗电流仅2μA,在待机模式下几乎不消耗电池能量,大幅延长设备续航时间。

芯片提供 2.5V、3.3V、5V、12V 四种固定输出电压选项,覆盖从低压逻辑供电到高压偏置的广泛应用场景。 ±2% 的输出精度确保为敏感负载提供稳定电源。 AEC-Q100 Grade 3 认证使其满足汽车电子可靠性要求。CXLD64411Q 采用 SOP-8(Exposed Pad) 封装,良好的散热性能支持更高功耗应用,是工业、汽车、便携设备电源管理的理想选择。

2. 主要特点与技术亮点

36V输入电压宽范围输入
2μA静态电流超低功耗
100mA输出满足多种负载
固定输出电压2.5/3.3/5/12V可选
±2%精度高精度输出
低压差0.55V@10mA
AEC-Q100Grade 3认证
完善保护过流/过温保护
  • 36V高输入电压:输入电压范围3.5V~36V,可直接从12V/24V汽车电池、工业电源取电,无需额外降压电路。
  • 2μA超低静态电流:极低的自身功耗,非常适合电池供电和待机应用,显著延长设备续航时间。
  • 100mA输出电流:满足超低功耗微控制器、传感器、CAN收发器、LDO后级等负载需求。
  • 固定输出电压选项:提供2.5V、3.3V、5V、12V四种固定输出,无需外部反馈电阻,设计简洁。
  • 高输出精度:±2%输出精度(含负载、线性和温度变化),为敏感负载提供稳定电源。
  • 低压差:10mA负载下压降仅0.55V,在低输入电压下仍能保持正常调节。
  • AEC-Q100 Grade 3认证:满足汽车电子可靠性要求,工作温度范围-40°C至85°C。
  • 稳定于陶瓷或钽电容:兼容多种输出电容类型,设计灵活。
  • 完善保护:过流保护(电流限制)、过温保护(150°C触发,20°C迟滞)。
  • SOP-8(Exposed Pad)封装:带散热焊盘,增强散热能力,支持更高功耗应用。

3. 典型应用电路

CXLD64411Q 的典型应用电路非常简洁:输入电容(CIN,1μF陶瓷),输出电容(COUT,≥1μF陶瓷或钽电容)。VCC接输入电源(3.5V~36V),VOUT输出固定电压(2.5V/3.3V/5V/12V),GND接地。无需外部反馈电阻。

典型应用电路
图1. 典型应用电路(固定输出LDO)

图2. CXLD64411Q 内部功能方框图
内部集成:P-MOSFET调整管、高精度基准源、误差放大器、内部固定电阻分压网络、过流保护、过温保护等。

4. 极限参数与电气特性(设计参考)

极限参数 (Absolute Maximum Ratings)
符号 参数 最小值 最大值 单位
VCC 输入电压 -0.3 40 V
PD 功耗(TA=25°C,70mm²铜箔) 2.041 W
θJA 热阻(SOP-8 Exposed Pad,70mm²铜箔) 49 °C/W
TJ 结温范围 -40 150 °C
TSTG 存储温度 -65 150 °C
ESD (HBM) 人体模型 2 kV
推荐工作条件
参数 最小值 最大值 单位
VCC 输入电压 3.5 36 V
环境温度(AEC-Q100 Grade 3) -40 85 °C
结温 -40 125 °C
关键电气特性 (VOUT+1V < VCC < 36V, TA=-40°C至85°C, 典型值)
参数 条件 典型值 单位
输入电压范围 3.5 – 36 V
输出电压(2.5V选项) IOUT=10mA 2.50 V
输出电压(3.3V选项) IOUT=10mA 3.30 V
输出电压(5V选项) IOUT=10mA 5.00 V
输出电压(12V选项) IOUT=10mA 12.00 V
输出电压精度 所有选项 ±2 %
压降电压 IOUT=10mA 0.55 V
静态电流 IOUT=0mA 2 μA
静态电流(最大值) 3.5 μA
线调整率 IOUT=10mA ±0.04 %
负载调整率 0mA < IOUT < 50mA ±0.5 %
输出电流限制 VOUT=0.5×VOUT(normal) 175 mA
OTP触发温度 150 °C
OTP迟滞 20 °C
推荐输出电容 有效容量≥1μF

5. 工作原理与设计指导

5.1 工作原理

CXLD64411Q 是一款高输入电压线性稳压器,专为低外部元件系统设计。内部P-MOSFET输出晶体管提供低导通电阻,实现低压差工作。误差放大器将内部基准电压与内部电阻分压网络的反馈电压进行比较,控制P-MOSFET的栅极电压,从而在输出端实现良好的线性调整率和负载调整率。

5.2 固定输出电压

芯片内部集成了高精度电阻分压网络,无需外部反馈电阻即可提供 2.5V、3.3V、5V、12V 四种固定输出电压。用户根据应用需求选择相应型号,简化设计,降低BOM成本。

5.3 电容选择

输入电容建议使用 ≥1μF 陶瓷电容,并尽量靠近VCC和GND引脚放置。输出电容可使用陶瓷或钽电容,有效容量 ≥1μF,ESR ≥1mΩ。增大输出电容和降低ESR可改善PSRR和线瞬态响应。

5.4 保护机制

  • 过流保护:通过内部检测晶体管监测输出电流,过载或短路时限制电流,防止芯片损坏。
  • 过温保护:结温超过150°C时关断P-MOSFET,温度下降约20°C后自动恢复。

6. 基于 CXLD64411Q 的汽车传感器供电设计实例

设计目标:一款汽车压力传感器模块,需要为MCU和传感器提供3.3V/50mA电源,输入来自12V汽车电池(9V~16V,冷启动时低至4.5V,负载突降时高达36V)。要求低静态电流以降低电池耗电,通过AEC-Q100认证。

  • 型号选择:选用 CXLD64411Q-3.3(固定3.3V输出),输入电压范围4.5V~36V。
  • 电容选择:CIN=1μF陶瓷(耐压50V),COUT=1μF陶瓷(耐压16V)。
  • 功耗计算:最大功耗发生在最高输入电压和最大负载时:PD(max) = (36-3.3)V × 50mA = 1.635W。在TA=85°C时,需确保结温不超过125°C。
  • 散热设计:使用SOP-8 Exposed Pad封装,Exposed Pad焊接至PCB大面积地平面(建议≥70mm²铜箔),θJA可降至49°C/W,温升≈80°C,在85°C环境温度下结温≈165°C,超过125°C上限,需降低功耗或增强散热。实际上在典型12V输入下PD=(12-3.3)V×50mA=0.435W,温升≈21°C,安全。
  • PCB布局:输入/输出电容靠近引脚,Exposed Pad大面积接地散热,VCC和VOUT走线宽短。
  • AEC-Q100认证:芯片已通过AEC-Q100 Grade 3认证,满足汽车电子可靠性要求。
设计支持: 嘉泰姆电子提供 CXLD64411Q 评估板、参考设计(原理图、BOM、PCB 布局)及 FAE 技术支持,助力客户快速完成高电压LDO方案设计。

7. PCB 布局建议

  • 输入/输出电容就近放置:CIN(≥1μF)和COUT(≥1μF)应尽可能靠近VCC/VOUT和GND引脚,减小寄生电感。
  • Exposed Pad焊接:Exposed Pad必须焊接至PCB大面积地平面,建议铜箔面积≥70mm²,以增强散热和降低地阻抗。通过多个过孔连接至内层地铜箔。
  • 功率走线:VCC、VOUT和GND为大电流路径,走线应宽短,减小压降。
  • NC引脚:NC(No Connect)引脚可悬空或接地。
  • 散热优化:增加Exposed Pad下方铜箔面积可显著降低θJA,提高最大允许功耗。参考热阻数据:最小焊盘θJA=75°C/W,70mm²铜箔θJA=49°C/W。

8. 引脚封装图与订购信息

图3. CXLD64411Q 引脚封装图(SOP-8,Exposed Pad)
8引脚SOP封装,带底部散热焊盘,引脚间距1.27mm。封装尺寸:4.90mm×3.90mm×1.75mm(最大)。

CXLD64411Q 采用 SOP-8(Exposed Pad) 封装,无铅、RoHS 合规,通过 AEC-Q100 Grade 3 认证。提供2.5V、3.3V、5V、12V四种固定输出电压选项,请根据实际需求选择对应型号。嘉泰姆电子提供工程样品、量产芯片及全面的技术支持,包括评估板、参考设计和 FAE 现场支持。

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