
CXLD64431 1A超低压差LDO | 0.8V输入 | 60mV压降@1A | WL-CSP-6B - 嘉泰姆电子
| 产品型号: | CXLD64431 |
| 产品类型: | LDO线性稳压器 |
| 产品系列: | 线性稳压器单通道输出 |
| 产品状态: | 量产 |
| 浏览次数: | 8 次 |
产品简介
技术参数
| 输入电压范围 (VIN) | 0.8 - 5.5V |
|---|---|
| 输出电压 (VOUT) | 0.5~3V |
| 输出电流 (IOUT) | 1000mA |
| 工作频率 | 1000kHz |
| 转换效率 | 95% |
| 封装类型 | WL-CSP0.8x1.2-6(BSC) |
| Dropout voltage | 60 @ 1A |
| Quiescent current | 35 |
| Psrr. | 60dB@1kHz |
| Noise | 30μVRMS |
| Protection | 过流/过温 |
| Features | Enable Input;Low Dropout;OCP;Stable with Ceramic Capacitor |
| Application | 线性稳压器单通道输出 |
| Temperature range | -40℃~125℃ |
| Output capacitor | Ceramic |
| Precision | ±1;2% |
| Bias Rail | Yes |
| Charge Pump | No |
| Output Adj. Method | Resistor |
产品详细介绍
CXLD64431 1A超低压差线性稳压器
外部偏置供电 | 0.8V输入 | 60mV压降@1A | WL-CSP-6B / ZWL-CSP-6B
产品版本:Rev 1.0 | 更新日期:2026年7月 | 型号:CXLD64431 | 封装:WL-CSP-6B(0.8×1.2mm)/ ZWL-CSP-6B(0.8×1.2mm)
技术咨询:ouamo18@jtm-ic.com 或致电 13823140578 (嘉泰姆电子)
嘉泰姆电子(JTM-IC)推出的 CXLD64431 是一款高性能正电压线性稳压器,采用 外部偏置供电(VBIAS) 架构,专为需要极低输入电压和超低压差的大电流应用设计,输出电流高达 1A。输入电压(VIN)可低至 0.8V,VBIAS范围为 3V至5.5V,输出电压可通过外部反馈电阻在 0.5V至5V 范围内任意编程(可调版本基准0.5V),同时提供 0.7V至1.8V 的固定输出电压选项。在1A负载下压降仅 60mV(典型值),是目前业界领先的超低压差性能,非常适合VOUT非常接近VIN的高效率应用场景。
芯片采用 N沟道传输管 架构,由外部VBIAS供电驱动,实现超低压差调节。集成 使能控制(EN),关断时输出通过内部 150Ω 电阻快速放电。 过流保护 和 过温保护 确保在故障条件下安全运行。CXLD64431 提供 WL-CSP-6B(0.8×1.2mm) 和 ZWL-CSP-6B(0.8×1.2mm) 两种超小封装,是便携设备、电池供电系统、机顶盒等低压差大电流电源应用的理想选择。
1. 产品概述与市场定位
在便携设备、电池供电系统、机顶盒及高性能FPGA/ASIC供电应用中,系统需要从低压电源轨(如0.8V~1.8V)产生大电流(高达1A)的高精度稳压输出,同时要求极低压差以降低功耗。传统LDO使用P沟道传输管,在输入电压接近输出电压时无法提供足够的栅极驱动,导致压差过大或无法正常工作。CXLD64431 通过 外部偏置供电(VBIAS) 架构解决这一难题——VBIAS(3V~5.5V)为内部 N沟道传输管 提供足够的栅极驱动电压,使其在输入电压低至 0.8V 时仍能实现业界领先的超低压差(60mV@1A)调节,同时N沟道传输管具有更低的导通电阻,进一步降低功率损耗。
芯片提供 可调输出电压(0.5V~5V) 和 固定输出电压(0.7V~1.8V) 两种版本,其中可调版本基准电压低至 0.5V,覆盖从超低核心电压到5V系统电压的广泛应用场景。 WL-CSP-6B(0.8×1.2mm) 和 ZWL-CSP-6B(0.8×1.2mm) 超小封装使其成为空间受限便携设备的理想选择。CXLD64431 是电池供电系统、便携电子设备、机顶盒等低压差大电流电源管理方案的理想选择。
2. 主要特点与技术亮点
- 1A大电流输出:支持高达1A连续输出电流,满足高性能处理器、FPGA、ASIC等大电流负载需求。
- 外部偏置供电架构:VBIAS(3V~5.5V)为内部N沟道传输管提供栅极驱动,VIN可低至0.8V仍能实现超低压差调节。
- 业界领先的超低压差:1A负载下典型压降仅60mV,大幅降低功率损耗,提高系统效率。
- 固定/可调双版本:可调版本通过外部电阻在0.5V至5V范围内设定(基准0.5V);固定版本提供0.7V、0.75V、0.8V、0.85V、0.9V、0.95V、1.0V、1.05V、1.1V、1.15V、1.2V、1.25V、1.3V、1.5V、1.8V等多种选项。
- 输出主动放电:关断时内部150Ω电阻快速泄放输出电容电荷,确保负载快速断电。
- 高精度输出:±1%输出电压精度(-40°C至85°C),负载/线性调整率优异。
- 超低静态电流:VBIAS静态电流典型值仅35μA,关断电流<1μA。
- 使能控制:EN引脚实现低功耗关断,关断电流<1μA。
- 完善保护:过流保护、过温保护(160°C触发,20°C迟滞)。
- 宽温度范围:-40°C至+125°C工作结温,适应各种环境。
- 超小封装:WL-CSP-6B(0.8×1.2mm)和ZWL-CSP-6B(0.8×1.2mm)超小封装,适合空间受限的便携设备。
3. 典型应用电路
CXLD64431 的典型应用电路包括:输入电容(CIN,4.7μF陶瓷),输出电容(COUT,10μF陶瓷,有效容量≥4.7μF),VBIAS去耦电容(CBIAS,1μF,建议串联510Ω电阻构成低通滤波器),反馈电阻分压(R1/R2)设定输出电压(可调版本),EN引脚接使能信号(高电平使能),可选的RC延时电路用于上电时序控制。VIN接输入电源(0.8V~5.5V),VBIAS接偏置电源(3V~5.5V),VOUT输出固定/可调电压,GND接地。固定版本无需外部反馈电阻。

图1. 典型应用电路(固定/可调输出LDO)
图2. CXLD64431 内部功能方框图
内部集成:N沟道传输管(外部偏置VBIAS驱动)、高精度基准源(0.5V)、误差放大器、内部电阻分压网络(固定版本)/ADJ输入(可调版本)、使能逻辑、输出放电开关(150Ω)、过流保护、过温保护等。
4. 极限参数与电气特性(设计参考)
| 符号 | 参数 | 最小值 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|
| VIN, VBIAS, EN, ADJ, VOUT | 各引脚电压 | -0.3 | 6 | V |
| PD(WL-CSP-6B) | 功耗(TA=25°C,EVB) | — | 1.01 | W |
| PD(ZWL-CSP-6B) | 功耗(TA=25°C,EVB) | — | 1.03 | W |
| θJA(WL-CSP-6B,EVB) | 热阻 | — | 98.7 | °C/W |
| θJA(ZWL-CSP-6B,EVB) | 热阻 | — | 97.5 | °C/W |
| TJ | 结温范围 | -40 | 150 | °C |
| TSTG | 存储温度 | -65 | 150 | °C |
| ESD (HBM) | 人体模型 | — | 2 | kV |
| 参数 | 最小值 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| VIN 输入电压 | 0.8 | 5.5 | V |
| VBIAS 偏置电压 | 3.0 | 5.5 | V |
| VOUT 输出电压 | 0.5 | 5.0 | V |
| 环境温度 | -40 | 85 | °C |
| 结温 | -40 | 125 | °C |
| 参数 | 条件 | 典型值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| VIN 工作范围 | — | 0.8 – 5.5 | V |
| VBIAS 工作范围 | — | 3.0 – 5.5 | V |
| VBIAS UVLO 上升阈值 | — | 1.6 | V |
| 参考电压(可调版本) | — | 0.5 | V |
| 输出电压精度(-40°C~85°C) | — | ±1 | % |
| 输出电压精度(-40°C~125°C) | — | ±2 | % |
| 输出电压精度(空载) | — | ±0.5 | % |
| VIN压降电压 | IOUT=1A | 60 | mV |
| VBIAS压降电压 | IOUT=1A, VIN=VBIAS | 1.05 | V |
| 输入偏置电流(VBIAS) | VBIAS=3V | 35 | μA |
| 关断电流(VBIAS) | EN≤0.4V | 0.5 | μA |
| 关断电流(VIN) | EN≤0.4V | 0.5 | μA |
| 电流限制 | — | 1.4~2.7 | A |
| EN高电平阈值 | — | 0.81 | V |
| EN低电平阈值 | — | 0.68 | V |
| 放电电阻 | EN=0V, VOUT=0.5V | 150 | Ω |
| PSRR(VIN→VOUT) | f=1kHz, IOUT=150mA | 70 | dB |
| PSRR(VBIAS→VOUT) | f=1kHz, IOUT=150mA | 70 | dB |
| 输出噪声(固定版本) | 10Hz~100kHz, VOUT=1V | 30 | μVRMS |
| 输出噪声(可调版本) | 10Hz~100kHz | 15×VOUT/VREF | μVRMS |
| OTP触发温度 | 温度上升 | 160 | °C |
| OTP恢复温度 | 温度下降 | 140 | °C |
| 推荐输出电容 | 陶瓷(有效容量) | ≥4.7 | μF |
5. 工作原理与设计指导
5.1 外部偏置供电架构
CXLD64431 采用 外部偏置供电(VBIAS)驱动N沟道传输管 的架构。传统LDO使用P沟道传输管,当输入电压(VIN)接近输出电压(VOUT)时,栅极驱动不足导致压差增大。而本芯片使用N沟道传输管,其栅极由外部VBIAS(3V~5.5V)驱动,即使VIN低至0.8V,传输管仍能完全导通,实现 业界领先的超低压差 调节(60mV@1A)。这种架构特别适合从低压电源轨产生同样低压输出的高电流应用,如便携设备、机顶盒、FPGA/ASIC供电等。
5.2 输出电压设定
可调版本:通过ADJ引脚外接反馈电阻设定输出电压,内部基准电压为 0.5V。输出电压计算公式:
VOUT = 0.5V × (1 + R1/R2)
其中R1连接VOUT至ADJ,R2连接ADJ至GND。建议R1和R2使用较低阻值以减小噪声注入。可选的 前馈电容(CFF) 可优化瞬态响应,增加带宽和相位裕度。
固定版本:内部集成了高精度电阻分压网络,提供0.7V、0.75V、0.8V、0.85V、0.9V、0.95V、1.0V、1.05V、1.1V、1.15V、1.2V、1.25V、1.3V、1.5V、1.8V等多种固定输出电压选项。用户根据应用需求选择相应型号,无需外部反馈电阻。
5.3 VBIAS供电要求
VBIAS为LDO控制电路供电,要求 VBIAS ≥ 3V 且 VBIAS ≥ VOUT + 1.6V 以确保正常工作和超低压差性能。建议VBIAS纹波 < 30mV(5mV/μs),可在VBIAS引脚输入端串联510Ω电阻并接1μF电容构成RC低通滤波器,以增强抗噪能力。建议上电时序:先建立VBIAS,再建立VIN,最后使能EN,以确保软启动正常工作。EN引脚电压需满足 VEN < VBIAS + 0.5V 以防止误动作。
5.4 使能与输出放电
EN引脚为高电平(>0.93V)时芯片使能;低电平(<0.54V)时进入关断模式。关断时,内部 150Ω 放电电阻将VOUT快速泄放至GND,确保负载快速断电。EN引脚内部有下拉电流,悬空时芯片默认关断。
5.5 保护机制
- 过流保护:监测输出电流,过载或短路时限制电流(典型值1.4A~2.7A),保护芯片和负载。
- 过温保护:结温超过160°C时关断输出,温度降至140°C后自动恢复。
- VBIAS UVLO:VBIAS低于1.6V时芯片关断,防止偏置电压不足导致异常工作。
6. 基于 CXLD64431 的便携设备电源设计实例
设计目标:一款高性能便携设备,需要为处理器核心提供1.0V/800mA电源,输入来自系统1.2V电源轨,VBIAS来自系统5V电源,要求超低压差、小封装、低功耗。
- 型号选择:选用 CXLD64431-10(固定1.0V输出),VIN=1.2V,VBIAS=5V。
- 电容选择:CIN=4.7μF陶瓷(0603,X5R),COUT=10μF陶瓷(0603,X5R,有效容量≥4.7μF),CBIAS=1μF陶瓷+510Ω串联电阻。
- 功耗计算:PD = (1.2-1.0)V × 800mA = 0.16W。WL-CSP-6B封装θJA=98.7°C/W,温升≈16°C,在85°C环境温度下结温≈101°C,安全。
- 低功耗优势:VBIAS静态电流仅35μA,关断电流<1μA。
- PCB布局:输入/输出电容靠近引脚,VBIAS RC滤波器靠近VBIAS引脚,Exposed Pad焊接至大面积地平面散热。
7. PCB 布局建议
- 功率回路最小化:VIN、VOUT和GND为大电流路径(最高1A),走线应宽短,减小压降和寄生电感。
- 输入/输出电容就近放置:CIN(≥4.7μF)和COUT(≥10μF)应尽可能靠近VIN/VOUT和GND引脚,走线短、宽。输入电容必须放置在距离器件输入引脚0.5英寸以内。
- VBIAS RC滤波器:在VBIAS引脚输入端串联510Ω电阻并接1μF电容,靠近VBIAS引脚放置,滤除偏置电源噪声。
- 反馈电阻靠近ADJ(可调版本):R1/R2紧靠ADJ引脚放置,ADJ走线尽量短,避免噪声耦合。前馈电容(如有)靠近反馈电阻放置。
- 地线设计:所有电路元件尽量放置在PCB同一侧,靠近对应LDO引脚。地线通过宽铜表面连接,以增强散热和降低地阻抗。避免使用过孔和长走线连接输入/输出电容。
- 上电时序:建议先建立VBIAS,再建立VIN,最后使能EN,以确保软启动正常工作。可使用RC延时电路控制EN上电时序。
- 散热考虑:WL-CSP-6B封装θJA=98.7°C/W,最大功耗1.01W;ZWL-CSP-6B封装θJA=97.5°C/W,最大功耗1.03W(TA=25°C,EVB)。在1A大电流应用中,需确保足够的铜箔面积和散热过孔,使结温不超过125°C。
- 电容类型:推荐使用X7R或X5R介质的陶瓷电容,确保有效容量在全温度范围内满足要求。
8. 引脚封装图与订购信息
图3. CXLD64431 引脚封装图(WL-CSP-6B / ZWL-CSP-6B,0.8×1.2mm)
6-ball CSP封装,引脚间距0.4mm,球径0.24-0.30mm。封装尺寸:0.80mm×1.20mm×0.50-0.60mm。ZWL-CSP版本为超薄型,厚度更薄。
CXLD64431 提供 WL-CSP-6B(0.8×1.2mm) 和 ZWL-CSP-6B(0.8×1.2mm) 两种超小封装,均无铅、RoHS 合规。可调版本(CXLD64431)通过外部反馈电阻可调输出0.5V~5V(基准0.5V);固定版本(CXLD64431A-XX)提供0.7V、0.75V、0.8V、0.85V、0.9V、0.95V、1.0V、1.05V、1.1V、1.15V、1.2V、1.25V、1.3V、1.5V、1.8V等多种输出电压选项。嘉泰姆电子提供工程样品、量产芯片及全面的技术支持,包括评估板、参考设计和 FAE 现场支持。
技术邮件: ouamo18@jtm-ic.com | 技术热线: 13823140578

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