CXLD64431 1A超低压差LDO | 0.8V输入 | 60mV压降@1A | WL-CSP-6B - 嘉泰姆电子

CXLD64431 1A超低压差LDO | 0.8V输入 | 60mV压降@1A | WL-CSP-6B - 嘉泰姆电子

产品型号:CXLD64431
产品类型:LDO线性稳压器
产品系列:线性稳压器单通道输出
产品状态:量产
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产品简介

CXLD64431 是一款1A超低压差线性稳压器,采用外部偏置供电架构,输入低至0.8V,BIAS 3V-5.5V,可调输出0.5V-5V或固定输出0.7V-1.8V,压降仅60mV@1A,精度±1%,静态电流35μA,集成使能控制、输出放电、过流/过温保护,提供WL-CSP-6B和ZWL-CSP-6B 0.8×1.2mm超小封装。嘉泰姆电子提供便携/电池供电/机顶盒电源方案。

技术参数

输入电压范围 (VIN)0.8 - 5.5V
输出电压 (VOUT)0.5~3V
输出电流 (IOUT)1000mA
工作频率1000kHz
转换效率95%
封装类型WL-CSP0.8x1.2-6(BSC)
Dropout voltage60 @ 1A
Quiescent current35
Psrr.60dB@1kHz
Noise30μVRMS
Protection过流/过温
FeaturesEnable Input;Low Dropout;OCP;Stable with Ceramic Capacitor
Application线性稳压器单通道输出
Temperature range-40℃~125℃
Output capacitorCeramic
Precision±1;2%
Bias RailYes
Charge PumpNo
Output Adj. MethodResistor

产品详细介绍

CXLD64431 1A超低压差线性稳压器
外部偏置供电 | 0.8V输入 | 60mV压降@1A | WL-CSP-6B / ZWL-CSP-6B

产品版本:Rev 1.0 | 更新日期:2026年7月 | 型号:CXLD64431 | 封装:WL-CSP-6B(0.8×1.2mm)/ ZWL-CSP-6B(0.8×1.2mm)

嘉泰姆电子(JTM-IC)推出的 CXLD64431 是一款高性能正电压线性稳压器,采用 外部偏置供电(VBIAS) 架构,专为需要极低输入电压和超低压差的大电流应用设计,输出电流高达 1A。输入电压(VIN)可低至 0.8V,VBIAS范围为 3V至5.5V,输出电压可通过外部反馈电阻在 0.5V至5V 范围内任意编程(可调版本基准0.5V),同时提供 0.7V至1.8V 的固定输出电压选项。在1A负载下压降仅 60mV(典型值),是目前业界领先的超低压差性能,非常适合VOUT非常接近VIN的高效率应用场景。

芯片采用 N沟道传输管 架构,由外部VBIAS供电驱动,实现超低压差调节。集成 使能控制(EN),关断时输出通过内部 150Ω 电阻快速放电。 过流保护过温保护 确保在故障条件下安全运行。CXLD64431 提供 WL-CSP-6B(0.8×1.2mm)ZWL-CSP-6B(0.8×1.2mm) 两种超小封装,是便携设备、电池供电系统、机顶盒等低压差大电流电源应用的理想选择。

核心优势: 1A大电流输出 | 低至0.8V输入(外部VBIAS 3-5.5V) | 60mV超低压差@1A | 固定/可调输出(基准0.5V) | 输出主动放电(150Ω) | 过流/过温保护 | WL-CSP-6B / ZWL-CSP-6B(0.8×1.2mm)超小封装。

1. 产品概述与市场定位

在便携设备、电池供电系统、机顶盒及高性能FPGA/ASIC供电应用中,系统需要从低压电源轨(如0.8V~1.8V)产生大电流(高达1A)的高精度稳压输出,同时要求极低压差以降低功耗。传统LDO使用P沟道传输管,在输入电压接近输出电压时无法提供足够的栅极驱动,导致压差过大或无法正常工作。CXLD64431 通过 外部偏置供电(VBIAS) 架构解决这一难题——VBIAS(3V~5.5V)为内部 N沟道传输管 提供足够的栅极驱动电压,使其在输入电压低至 0.8V 时仍能实现业界领先的超低压差(60mV@1A)调节,同时N沟道传输管具有更低的导通电阻,进一步降低功率损耗。

芯片提供 可调输出电压(0.5V~5V)固定输出电压(0.7V~1.8V) 两种版本,其中可调版本基准电压低至 0.5V,覆盖从超低核心电压到5V系统电压的广泛应用场景。 WL-CSP-6B(0.8×1.2mm)ZWL-CSP-6B(0.8×1.2mm) 超小封装使其成为空间受限便携设备的理想选择。CXLD64431 是电池供电系统、便携电子设备、机顶盒等低压差大电流电源管理方案的理想选择。

2. 主要特点与技术亮点

1A大电流输出满足高负载需求
低至0.8V输入外部VBIAS驱动
超低压差60mV@1A(业界领先)
固定/可调输出基准0.5V
输出主动放电150Ω关断放电
使能控制低功耗关断
高精度±1%输出精度
超小封装WL-CSP-6B 0.8×1.2mm
  • 1A大电流输出:支持高达1A连续输出电流,满足高性能处理器、FPGA、ASIC等大电流负载需求。
  • 外部偏置供电架构:VBIAS(3V~5.5V)为内部N沟道传输管提供栅极驱动,VIN可低至0.8V仍能实现超低压差调节。
  • 业界领先的超低压差:1A负载下典型压降仅60mV,大幅降低功率损耗,提高系统效率。
  • 固定/可调双版本:可调版本通过外部电阻在0.5V至5V范围内设定(基准0.5V);固定版本提供0.7V、0.75V、0.8V、0.85V、0.9V、0.95V、1.0V、1.05V、1.1V、1.15V、1.2V、1.25V、1.3V、1.5V、1.8V等多种选项。
  • 输出主动放电:关断时内部150Ω电阻快速泄放输出电容电荷,确保负载快速断电。
  • 高精度输出:±1%输出电压精度(-40°C至85°C),负载/线性调整率优异。
  • 超低静态电流:VBIAS静态电流典型值仅35μA,关断电流<1μA。
  • 使能控制:EN引脚实现低功耗关断,关断电流<1μA。
  • 完善保护:过流保护、过温保护(160°C触发,20°C迟滞)。
  • 宽温度范围:-40°C至+125°C工作结温,适应各种环境。
  • 超小封装:WL-CSP-6B(0.8×1.2mm)和ZWL-CSP-6B(0.8×1.2mm)超小封装,适合空间受限的便携设备。

3. 典型应用电路

CXLD64431 的典型应用电路包括:输入电容(CIN,4.7μF陶瓷),输出电容(COUT,10μF陶瓷,有效容量≥4.7μF),VBIAS去耦电容(CBIAS,1μF,建议串联510Ω电阻构成低通滤波器),反馈电阻分压(R1/R2)设定输出电压(可调版本),EN引脚接使能信号(高电平使能),可选的RC延时电路用于上电时序控制。VIN接输入电源(0.8V~5.5V),VBIAS接偏置电源(3V~5.5V),VOUT输出固定/可调电压,GND接地。固定版本无需外部反馈电阻。

典型应用电路
图1. 典型应用电路(固定/可调输出LDO)

图2. CXLD64431 内部功能方框图
内部集成:N沟道传输管(外部偏置VBIAS驱动)、高精度基准源(0.5V)、误差放大器、内部电阻分压网络(固定版本)/ADJ输入(可调版本)、使能逻辑、输出放电开关(150Ω)、过流保护、过温保护等。

4. 极限参数与电气特性(设计参考)

极限参数 (Absolute Maximum Ratings)
符号 参数 最小值 最大值 单位
VIN, VBIAS, EN, ADJ, VOUT 各引脚电压 -0.3 6 V
PD(WL-CSP-6B) 功耗(TA=25°C,EVB) 1.01 W
PD(ZWL-CSP-6B) 功耗(TA=25°C,EVB) 1.03 W
θJA(WL-CSP-6B,EVB) 热阻 98.7 °C/W
θJA(ZWL-CSP-6B,EVB) 热阻 97.5 °C/W
TJ 结温范围 -40 150 °C
TSTG 存储温度 -65 150 °C
ESD (HBM) 人体模型 2 kV
推荐工作条件
参数 最小值 最大值 单位
VIN 输入电压 0.8 5.5 V
VBIAS 偏置电压 3.0 5.5 V
VOUT 输出电压 0.5 5.0 V
环境温度 -40 85 °C
结温 -40 125 °C
关键电气特性 (VBIAS≥3V且VBIAS≥VOUT+1.6V,VIN=VOUT+0.3V,IOUT=1mA,TA=25°C,典型值)
参数 条件 典型值 单位
VIN 工作范围 0.8 – 5.5 V
VBIAS 工作范围 3.0 – 5.5 V
VBIAS UVLO 上升阈值 1.6 V
参考电压(可调版本) 0.5 V
输出电压精度(-40°C~85°C) ±1 %
输出电压精度(-40°C~125°C) ±2 %
输出电压精度(空载) ±0.5 %
VIN压降电压 IOUT=1A 60 mV
VBIAS压降电压 IOUT=1A, VIN=VBIAS 1.05 V
输入偏置电流(VBIAS) VBIAS=3V 35 μA
关断电流(VBIAS) EN≤0.4V 0.5 μA
关断电流(VIN) EN≤0.4V 0.5 μA
电流限制 1.4~2.7 A
EN高电平阈值 0.81 V
EN低电平阈值 0.68 V
放电电阻 EN=0V, VOUT=0.5V 150 Ω
PSRR(VIN→VOUT) f=1kHz, IOUT=150mA 70 dB
PSRR(VBIAS→VOUT) f=1kHz, IOUT=150mA 70 dB
输出噪声(固定版本) 10Hz~100kHz, VOUT=1V 30 μVRMS
输出噪声(可调版本) 10Hz~100kHz 15×VOUT/VREF μVRMS
OTP触发温度 温度上升 160 °C
OTP恢复温度 温度下降 140 °C
推荐输出电容 陶瓷(有效容量) ≥4.7 μF

5. 工作原理与设计指导

5.1 外部偏置供电架构

CXLD64431 采用 外部偏置供电(VBIAS)驱动N沟道传输管 的架构。传统LDO使用P沟道传输管,当输入电压(VIN)接近输出电压(VOUT)时,栅极驱动不足导致压差增大。而本芯片使用N沟道传输管,其栅极由外部VBIAS(3V~5.5V)驱动,即使VIN低至0.8V,传输管仍能完全导通,实现 业界领先的超低压差 调节(60mV@1A)。这种架构特别适合从低压电源轨产生同样低压输出的高电流应用,如便携设备、机顶盒、FPGA/ASIC供电等。

5.2 输出电压设定

可调版本:通过ADJ引脚外接反馈电阻设定输出电压,内部基准电压为 0.5V。输出电压计算公式:
VOUT = 0.5V × (1 + R1/R2)
其中R1连接VOUT至ADJ,R2连接ADJ至GND。建议R1和R2使用较低阻值以减小噪声注入。可选的 前馈电容(CFF) 可优化瞬态响应,增加带宽和相位裕度。

固定版本:内部集成了高精度电阻分压网络,提供0.7V、0.75V、0.8V、0.85V、0.9V、0.95V、1.0V、1.05V、1.1V、1.15V、1.2V、1.25V、1.3V、1.5V、1.8V等多种固定输出电压选项。用户根据应用需求选择相应型号,无需外部反馈电阻。

5.3 VBIAS供电要求

VBIAS为LDO控制电路供电,要求 VBIAS ≥ 3VVBIAS ≥ VOUT + 1.6V 以确保正常工作和超低压差性能。建议VBIAS纹波 < 30mV(5mV/μs),可在VBIAS引脚输入端串联510Ω电阻并接1μF电容构成RC低通滤波器,以增强抗噪能力。建议上电时序:先建立VBIAS,再建立VIN,最后使能EN,以确保软启动正常工作。EN引脚电压需满足 VEN < VBIAS + 0.5V 以防止误动作。

5.4 使能与输出放电

EN引脚为高电平(>0.93V)时芯片使能;低电平(<0.54V)时进入关断模式。关断时,内部 150Ω 放电电阻将VOUT快速泄放至GND,确保负载快速断电。EN引脚内部有下拉电流,悬空时芯片默认关断。

5.5 保护机制

  • 过流保护:监测输出电流,过载或短路时限制电流(典型值1.4A~2.7A),保护芯片和负载。
  • 过温保护:结温超过160°C时关断输出,温度降至140°C后自动恢复。
  • VBIAS UVLO:VBIAS低于1.6V时芯片关断,防止偏置电压不足导致异常工作。

6. 基于 CXLD64431 的便携设备电源设计实例

设计目标:一款高性能便携设备,需要为处理器核心提供1.0V/800mA电源,输入来自系统1.2V电源轨,VBIAS来自系统5V电源,要求超低压差、小封装、低功耗。

  • 型号选择:选用 CXLD64431-10(固定1.0V输出),VIN=1.2V,VBIAS=5V。
  • 电容选择:CIN=4.7μF陶瓷(0603,X5R),COUT=10μF陶瓷(0603,X5R,有效容量≥4.7μF),CBIAS=1μF陶瓷+510Ω串联电阻。
  • 功耗计算:PD = (1.2-1.0)V × 800mA = 0.16W。WL-CSP-6B封装θJA=98.7°C/W,温升≈16°C,在85°C环境温度下结温≈101°C,安全。
  • 低功耗优势:VBIAS静态电流仅35μA,关断电流<1μA。
  • PCB布局:输入/输出电容靠近引脚,VBIAS RC滤波器靠近VBIAS引脚,Exposed Pad焊接至大面积地平面散热。
设计支持: 嘉泰姆电子提供 CXLD64431 评估板、参考设计(原理图、BOM、PCB 布局)及 FAE 技术支持,助力客户快速完成超低压差LDO方案设计。

7. PCB 布局建议

  • 功率回路最小化:VIN、VOUT和GND为大电流路径(最高1A),走线应宽短,减小压降和寄生电感。
  • 输入/输出电容就近放置:CIN(≥4.7μF)和COUT(≥10μF)应尽可能靠近VIN/VOUT和GND引脚,走线短、宽。输入电容必须放置在距离器件输入引脚0.5英寸以内。
  • VBIAS RC滤波器:在VBIAS引脚输入端串联510Ω电阻并接1μF电容,靠近VBIAS引脚放置,滤除偏置电源噪声。
  • 反馈电阻靠近ADJ(可调版本):R1/R2紧靠ADJ引脚放置,ADJ走线尽量短,避免噪声耦合。前馈电容(如有)靠近反馈电阻放置。
  • 地线设计:所有电路元件尽量放置在PCB同一侧,靠近对应LDO引脚。地线通过宽铜表面连接,以增强散热和降低地阻抗。避免使用过孔和长走线连接输入/输出电容。
  • 上电时序:建议先建立VBIAS,再建立VIN,最后使能EN,以确保软启动正常工作。可使用RC延时电路控制EN上电时序。
  • 散热考虑:WL-CSP-6B封装θJA=98.7°C/W,最大功耗1.01W;ZWL-CSP-6B封装θJA=97.5°C/W,最大功耗1.03W(TA=25°C,EVB)。在1A大电流应用中,需确保足够的铜箔面积和散热过孔,使结温不超过125°C。
  • 电容类型:推荐使用X7R或X5R介质的陶瓷电容,确保有效容量在全温度范围内满足要求。

8. 引脚封装图与订购信息

图3. CXLD64431 引脚封装图(WL-CSP-6B / ZWL-CSP-6B,0.8×1.2mm)
6-ball CSP封装,引脚间距0.4mm,球径0.24-0.30mm。封装尺寸:0.80mm×1.20mm×0.50-0.60mm。ZWL-CSP版本为超薄型,厚度更薄。

CXLD64431 提供 WL-CSP-6B(0.8×1.2mm)ZWL-CSP-6B(0.8×1.2mm) 两种超小封装,均无铅、RoHS 合规。可调版本(CXLD64431)通过外部反馈电阻可调输出0.5V~5V(基准0.5V);固定版本(CXLD64431A-XX)提供0.7V、0.75V、0.8V、0.85V、0.9V、0.95V、1.0V、1.05V、1.1V、1.15V、1.2V、1.25V、1.3V、1.5V、1.8V等多种输出电压选项。嘉泰姆电子提供工程样品、量产芯片及全面的技术支持,包括评估板、参考设计和 FAE 现场支持。

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