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CXLD64449W 500mA低噪声LDO稳压器 | 1.7V-5.5V输入 | 25μVrms噪声 | POK指示 - 嘉泰姆电子
| 产品型号： | CXLD64449W |
| 产品类型： | LDO线性稳压器 |
| 产品系列： | 线性稳压器单通道输出 |
| 产品状态： | 量产 |
| 浏览次数： | 8 次 |
产品简介
技术参数
| 输入电压范围 (VIN) | 1.7 - 5.5V |
|---|---|
| 输出电压 (VOUT) | 0.6~5.3V |
| 输出电流 (IOUT) | 500mA |
| 工作频率 | 1000kHz |
| 转换效率 | 95% |
| 封装类型 | WDFN2x2-8S |
| Dropout voltage | 150 @ 0.5A |
| Quiescent current | 160 |
| Psrr. | 60dB@1kHz |
| Noise | 30μVRMS |
| Protection | 过流/过温 |
| Features | Enable Input;Extra Low Noise;High PSRR;Low Dropout;OCP;Output Discharge;Power Good;SCP;Stable with Ceramic Capacitor |
| Application | 线性稳压器单通道输出 |
| Temperature range | -40℃~125℃ |
| Output capacitor | Ceramic |
| Precision | ±1.5% |
| Bias Rail | No |
| Charge Pump | Yes |
| Output Adj. Method | Resistor |
产品详细介绍
CXLD64449W 500mA低噪声LDO稳压器
1.7V-5.5V输入 | 25μVrms噪声 | 高PSRR | 可调0.6V-5.3V
产品版本：Rev 1.0 | 更新日期：2026年7月 | 型号：CXLD64449W | 封装：WDFN-8SL 2x2
技术咨询：ouamo18@jtm-ic.com 或致电 13823140578 (嘉泰姆电子)
嘉泰姆电子（JTM-IC）推出的 CXLD64449W 是一款低噪声、高精度、低压差线性稳压器，可提供高达 500mA 的输出电流。器件支持 1.7V 至 5.5V 单输入电源，输出电压可通过外部电阻在 0.6V 至 5.3V 范围内调节。CXLD64449W 专为噪声敏感型应用设计（如射频前端、PLL、时钟电路、模拟传感器），具有 高 PSRR（63dB@100kHz） 和 超低输出噪声（25μVrms）。内部集成 可编程软启动（通过BYP电容）、短路保护、反向电流保护 和 过温保护，并配备 使能（EN） 和 功率良好（POK） 指示，方便系统时序控制。采用 WDFN-8SL 2x2mm 封装，结温范围 -40°C~125°C，是光模块、摄像头模块、便携设备等中电流噪声敏感应用的理想选择。
1. 产品概述与市场定位
在射频收发器、PLL合成器、高速时钟分配以及高精度模拟信号链中，电源噪声直接影响系统性能。CXLD64449W 凭借 25μVrms 的超低输出噪声 和 高达63dB（@100kHz）的PSRR，能够有效抑制来自前级DC-DC或电源总线的纹波，为敏感电路提供干净的电源轨。其 500mA 输出能力 和 低至150mV的压差（@500mA），可满足中等电流负载需求，同时保持高效率。器件内置 BYP引脚，外接电容可同时实现 噪声过滤 和 可编程软启动斜率，简化设计并减少外部元件。POK指示和反向电流保护进一步增强了系统可靠性和灵活性。CXLD64449W 是光学模块、摄像机、便携设备及噪声敏感中电流应用的理想LDO选择。
2. 主要特点与技术亮点
- 超低噪声：在10Hz~100kHz带宽内输出噪声仅25μVrms（典型值），无需额外滤波即可为射频和模拟电路提供纯净电源。
- 高PSRR：1kHz时PSRR为60dB，500kHz时仍达48dB，有效抑制高频开关噪声。
- 可编程软启动：BYP引脚外接电容可设定启动压摆率（公式：Slew Rate = 5V/ms x (0.01μF/CBYP)），限制浪涌电流。
- 功率良好（POK）：开漏输出，当VOUT达到标称值91%以上时指示正常，便于系统上电时序控制。
- 反向电流保护：当VIN低于VOUT约10mV时，内部电路关断并断开体二极管连接，阻止反向电流。
- 输出主动放电：关断时内部电流沉快速泄放输出电容。
- 宽输出电压范围：0.6V至5.3V可调，覆盖低压核心和通用接口电压。
- 全面保护：过流限流（典型700mA）、过温关断（160°C关断，140°C恢复）。
3. 引脚配置与功能描述
图1. CXLD64449W 引脚封装图（WDFN-8SL 2x2）
（此处预留封装外形及引脚排列示意图位置，编辑时可替换为实际封装图纸）
引脚1=VIN，2=GND，3=EN，4=GS（接GND），5=POK，6=FB，7=BYP，8=VOUT，9=Exposed Pad（GND）
| 引脚号 | 名称 | 功能描述 |
|---|---|---|
| 1 | VIN | 电源输入（1.7V~5.5V），建议靠近放置10μF陶瓷电容。 |
| 2, 9 (EP) | GND | 地，散热焊盘需焊接至大面积地平面。 |
| 3 | EN | 使能（高有效），拉低关断。可与其他电源随意排序，不损坏器件。 |
| 4 | GS | 内部检测脚，必须连接至GND。 |
| 5 | POK | 功率良好指示，开漏输出，需外接上拉电阻（10kΩ~100kΩ）。 |
| 6 | FB | 反馈输入，外接电阻分压设定VOUT（基准0.6V）。 |
| 7 | BYP | 旁路/软启动电容引脚，接0.01μF~0.1μF电容至GND，降噪并设定启动斜率。 |
| 8 | VOUT | 稳压输出，需靠近放置≥4.7μF陶瓷电容（有效容值≥2μF）。 |
4. 电气特性（设计参考）
| 符号 | 参数 | 最小值 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|
| 所有引脚 | 电压范围 | -0.3 | 7 | V |
| TJ | 结温 | — | 150 | °C |
| TSTG | 存储温度 | -65 | 150 | °C |
| ESD (HBM) | 人体模型 | — | 2 | kV |
| 参数 | 最小值 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| 输入电压（VIN） | 1.7 | 5.5 | V |
| 输出电压（VOUT） | 0.6 | 5.3 | V |
| 结温范围 | -40 | 125 | °C |
| 参数 | 测试条件 | 典型值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| 输入电压范围 | — | 1.7 – 5.5 | V |
| 欠压锁定上升阈值 | VIN上升 | 1.6 | V |
| 输出电压范围 | — | 0.6 – 5.3 | V |
| 输出电压精度 | 0.1mA≤IOUT≤500mA | ±1.5（最大） | % |
| 负载调整率 | 0.1mA~500mA | 0.02 | %/A |
| 线性调整率 | 1.7V≤VIN≤5.5V（VOUT≤1.4V时） | 0.04 | %/V |
| 压差电压（VDROP） | IOUT=500mA, VIN≥3.6V | 50（最大100） | mV |
| 压差电压（VDROP） | IOUT=500mA, VIN=1.7V | 150 | mV |
| 输出电流限 | VOUT=95%标称值 | 700（典型） | mA |
| 输出噪声（VN） | 10Hz~100kHz, IOUT=100mA, CBYP=0.01μF | 25 | μVrms |
| PSRR | f=1kHz, IOUT=10mA | 60 | dB |
| PSRR | f=100kHz, IOUT=10mA | 63 | dB |
| PSRR | f=500kHz, IOUT=10mA | 48 | dB |
| 反馈基准电压（VFB） | 0.1mA≤IOUT≤500mA | 0.6 | V |
| FB输入偏置电流 | VFB=0.6V | 0.02 | μA |
| BYP电容范围 | — | 4.7nF~100nF | — |
| BYP启动电流 | 启动期间从BYP到GND | 50 | μA |
| 接地电流（空载） | IOUT=0mA, TA=85°C | 130（最大200） | μA |
| 关断电流 | EN=0V, VIN=5.5V | 0.001（最大1） | μA |
| EN上升阈值 | — | 0.8（最大1.2） | V |
| EN下降阈值 | — | 0.4（典型0.7） | V |
| POK阈值（上升） | VOUT上升 | 91% | — |
| 过温关断阈值 | — | 160 | °C |
5. 典型应用电路
CXLD64449W 典型应用需要输入电容、输出电容、BYP电容、反馈电阻分压器以及POK上拉电阻。GS引脚必须接地。
图2. CXLD64449W 典型应用电路
图3. CXLD64449W 内部功能方框图
内部集成：基准源、误差放大器、P-MOSFET调整管、BYP噪声滤波/软启动控制、POK比较器、EN逻辑、UVLO、反向电流保护、过流限流、过温保护、输出放电等。
| 位号 | 描述 | 推荐值 | 封装 |
|---|---|---|---|
| CIN | 输入陶瓷电容（X5R/X7R） | 10μF（10V） | 0603/0805 |
| COUT | 输出陶瓷电容（X5R/X7R） 有效容值≥2μF |
4.7μF~10μF（6.3V） | 0603/0805 |
| CBYP | 旁路/软启动电容 | 0.01μF（典型） | 0402/0603 |
| R1, R2 | 反馈分压电阻 | R2≤60kΩ | 0603 |
| RPOK | POK上拉电阻 | 10kΩ~100kΩ | 0603 |
反馈电阻计算：VOUT = 0.6V x (1+R1/R2)。例如 VOUT=3.3V 时，R1=267kΩ, R2=59kΩ（约3.3V）。
6. 工作原理与设计指导
6.1 使能（EN）
EN高电平（>0.8V典型）使能，低电平（<0.4V典型）关断，关断电流<1μA。EN内置迟滞，可容忍缓慢变化的信号。若不用EN，可接VIN（需靠近输入电容大电容处，避免电压跌落误触发）。
6.2 BYP降噪与软启动
BYP引脚外接电容至GND，起到两个作用：
1) 滤除基准源100Hz以上的噪声，降低输出噪声；
2) 设定启动压摆率：启动斜率 = 5V/ms x (0.01μF / CBYP)。例如 CBYP=0.01μF时斜率为5V/ms；若需更慢启动，可增大CBYP（最高100nF）。注意CBYP还影响启动时输入浪涌电流。
6.3 功率良好（POK）
开漏输出，当VOUT达到标称值91%以上时，POK为高阻（需外接上拉电阻）；当VOUT低于该阈值或器件关断/保护时，POK拉低。可用于系统级上电时序。
6.4 电流限制与过温保护
过流限流典型值700mA，短路时限制电流；过温关断阈值160°C，恢复迟滞约20°C。长期结温超过125°C会降低可靠性。
6.5 反向电流保护与输出放电
当VIN低于VOUT约10mV时，内部电路关断调整管并断开体二极管，防止反向电流。关断时内部电流沉对输出电容放电。
7. 应用信息与设计指导
7.1 输出电压设定
通过外部电阻R1（上）和R2（下）设定，R2建议≤60kΩ以减小FB偏置电流误差。VOUT = 0.6V x (1+R1/R2)。
7.2 压差电压
压差与输出电流和输入电压有关。在VIN≥3.6V、IOUT=500mA时典型压差50mV；VIN=1.7V时压差150mV。建议正常工作条件为VIN > VOUT + VDROP以确保良好PSRR和瞬态响应。
7.3 输入/输出电容选择
- CIN：推荐10μF陶瓷（X5R/X7R），靠近VIN引脚放置，以抑制输入电压振铃。
- COUT：推荐4.7μF~10μF陶瓷（有效容值≥2μF），靠近VOUT引脚。陶瓷电容容值受DC偏压影响，建议选择0805或更大封装以确保有效容值。
- CBYP：4.7nF~100nF，通常0.01μF即可。
7.4 热设计
最大功耗：PD(MAX) = (TJ(MAX) - TA) / θJA，TJ(MAX)=125°C，WDFN-8SL 2x2的θJA(EVB)=61.6°C/W，TA=25°C时PD=1.62W。实际功耗=(VIN-VOUT)xIOUT，需确保结温不超过125°C（推荐）或绝对最大150°C。
7.5 PCB布局建议
- 所有元件尽量靠近IC，采用短宽走线。
- 输入输出电容的接地端应返回IC的GND引脚，避免长回路。
- 反馈电阻分压器靠近FB引脚，避免噪声耦合。
- 散热焊盘焊接至大面积地平面，多过孔散热。
- 避免在功率路径上使用过孔和长走线，以减少寄生电感。
图4. CXLD64449W PCB布局参考（WDFN-8SL）
（此处预留布局示意图位置，编辑时可替换为实际布局图纸）
8. 订购信息与技术支持
CXLD64449W 采用 WDFN-8SL 2x2 封装，无铅、RoHS 合规，结温范围-40°C~125°C。嘉泰姆电子提供工程样品、评估板、参考设计及FAE技术支持，助力客户快速完成低噪声电源设计。
技术邮件: ouamo18@jtm-ic.com | 技术热线: 13823140578
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