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CXLD64446 1.2A超低噪声LDO稳压器 | 1.1V-6.5V输入 | 可调0.8V-5.5V | 6μVrms噪声 - 嘉泰姆电子
| 产品型号： | CXLD64446 |
| 产品类型： | LDO线性稳压器 |
| 产品系列： | 线性稳压器单通道输出 |
| 产品状态： | 量产 |
| 浏览次数： | 6 次 |
产品简介
技术参数
| 输入电压范围 (VIN) | 1.1 - 6.5V |
|---|---|
| 输出电压 (VOUT) | 0.8~5.5V |
| 输出电流 (IOUT) | 1200mA |
| 工作频率 | 1000kHz |
| 转换效率 | 95% |
| 封装类型 | WDFN3x3-8E |
| Dropout voltage | 75 @ 1.2A |
| Quiescent current | 3700 |
| Psrr. | 60dB@1kHz |
| Noise | 30μVRMS |
| Protection | 过流/过温 |
| Features | Enable Input;Extra Low Noise;High PSRR;Low Dropout;OCP;Output Discharge;Power Good |
| Application | 线性稳压器单通道输出 |
| Temperature range | -40℃~125℃ |
| Output capacitor | Ceramic |
| Precision | ±1% |
| Bias Rail | No |
| Charge Pump | Yes |
| Output Adj. Method | Resistor |
产品详细介绍
CXLD64446 1.2A超低噪声LDO稳压器
1.1V-6.5V输入 | 可调0.8V-5.5V | 6μVrms噪声 | 75mV压差
产品版本：Rev 1.0 | 更新日期：2026年7月 | 型号：CXLD64446 | 封装：WDFN-8EL 3x3
技术咨询：ouamo18@jtm-ic.com 或致电 13823140578 (嘉泰姆电子)
嘉泰姆电子（JTM-IC）推出的 CXLD64446 是一款大电流（1.2A）、超低噪声（6μVrms）、高精度（±1%）的低压差线性稳压器，输入电压范围 1.1V 至 6.5V。输出电压通过外部电阻分压可调，范围为 0.8V 至 5.5V。CXLD64446 具有 75mV 的超低压差（@1.2A）、高PSRR（38dB@500kHz） 和 超低噪声 特性，非常适合为 ADC、DAC、RF 组件、FPGA、DSP 和 ASIC 等噪声敏感型负载供电。器件集成 使能控制（EN）、可编程软启动/噪声抑制（NR/SS）、功率良好指示（PGOOD）、输出主动放电 和 过流/过温保护，采用 WDFN-8EL 3x3 封装，工作结温范围 -40°C~125°C。
1. 产品概述与市场定位
在高端无线基础设施、FPGA/DSP 核心供电、射频前端以及精密数据转换器中，电源轨的 噪声、瞬态响应 和 电流能力 直接影响系统性能。CXLD64446 凭借 1.2A 输出能力、6μVrms 的超低输出噪声 和 75mV 的极低压差，能够为高功耗、噪声敏感型负载提供干净、稳定的电源。器件支持 1.1V 超低输入电压，兼容低压电源轨，同时内置 NR/SS 引脚 实现噪声抑制和软启动可编程，PGOOD 和 EN 引脚便于系统时序控制。CXLD64446 是替代多路 DC-DC 后级 LDO 的理想选择，适用于便携设备、无线基础设施、射频/中频组件等高性能应用。
2. 主要特点与技术亮点
- 超低噪声：输出噪声低至 6μVrms（0.8V 输出），为射频和精密模拟电路提供纯净电源。
- 高PSRR：38dB@500kHz，有效抑制高频开关纹波，适合噪声敏感应用。
- 超低压差：1.2A 负载时典型压差 75mV（最大），提高效率，降低功耗。
- 高精度：±1% 输出电压精度（0.8V~5.5V），满足严苛电压容差要求。
- 可编程软启动/噪声抑制：NR/SS 引脚电容同时实现噪声滤波和软启动时间编程，限制浪涌电流。
- 功率良好（PGOOD）：开漏输出，指示输出电压状态，便于系统级上电时序控制。
- 全面保护：过流保护（限流 1.8A 典型）、过温保护（160°C 关断，20°C 迟滞）、欠压锁定（UVLO）。
- 小封装：WDFN-8EL 3x3 超小封装，适合高密度 PCB 布局。
3. 引脚配置与功能描述
图1. CXLD64446 引脚封装图（WDFN-8EL 3x3）
（此处预留封装外形及引脚排列示意图位置，编辑时可替换为实际封装图纸）
引脚 1=VOUT，2=FB，3,9（EP）=GND，4=PGOOD，5=NC，6=NR/SS，7=EN，8=VIN
| 引脚号 | 名称 | 功能描述 |
|---|---|---|
| 1 | VOUT | 稳压输出，需靠近放置 ≥4.7μF 陶瓷电容（有效容值需满足稳定性要求）。 |
| 2 | FB | 反馈输入，外部电阻分压设定输出电压（基准 0.8V）。 |
| 3, 9 (EP) | GND | 地，散热焊盘需焊接至大面积地平面。 |
| 4 | PGOOD | 功率良好指示，开漏输出，需外接上拉电阻（10kΩ~100kΩ）。 |
| 5 | NC | 无内部连接，可悬空或接地以增强散热。 |
| 6 | NR/SS | 噪声抑制/软启动，外接电容至 GND 降低噪声并设定启动时间。 |
| 7 | EN | 使能（高有效），高电平（>1.1V）使能，低电平（<0.5V）关断。 |
| 8 | VIN | 电源输入（1.1V~6.5V），需靠近放置 ≥10μF 陶瓷电容。 |
4. 电气特性（设计参考）
| 符号 | 参数 | 最小值 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|
| VIN, PGOOD, EN | 电压范围 | -0.3 | 7 | V |
| VOUT | 输出电压 | -0.3 | VIN+0.3 | V |
| NR/SS, FB | 电压范围 | -0.3 | 3.6 | V |
| PD (TA=25°C) | 功耗（WDFN-8EL） | — | 3.27 | W |
| θJA | 热阻（WDFN-8EL） | — | 30.5 | °C/W |
| TJ | 结温范围 | -40 | 125（推荐） | °C |
| TSTG | 存储温度 | -65 | 150 | °C |
| ESD (HBM) | 人体模型 | — | 2 | kV |
| 参数 | 最小值 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| 输入电压（VIN） | 1.1 | 6.5 | V |
| 输出电压（可调） | 0.8 | 5.5 | V |
| 输出电流 | 0 | 1.2 | A |
| 结温范围 | -40 | 125 | °C |
| 参数 | 测试条件 | 典型值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| 输入电压范围 | — | 1.1 – 6.5 | V |
| 反馈参考电压（VREF） | — | 0.8 | V |
| 欠压锁定上升阈值 | VIN上升 | 1.02 | V |
| 欠压锁定迟滞 | — | 150 | mV |
| 输出电压精度 | 5mA≤IOUT≤1.2A, VIN=VOUT+0.3V | ±1（最大） | % |
| 线性调整率 | 1.4V≤VIN≤6.5V, IOUT=5mA | 0.05 | %/V |
| 负载调整率 | 5mA≤IOUT≤1.2A | 0.08 | %/A |
| 压差电压 | IOUT=1.2A | 75（最大） | mV |
| 电流限制 | VOUT=90%VOUT(TARGET) | 1.8（典型） | A |
| PSRR | f=500kHz, IOUT=750mA | 38 | dB |
| 输出噪声 | 100Hz~100kHz, VOUT=0.8V | 6 | μVrms |
| EN 上升阈值 | — | 1.1（最小） | V |
| EN 下降阈值 | — | 0.5（最大） | V |
| 关断电流 | VEN<0.5V | 25（最大） | μA |
| 过温关断阈值 | — | 160 | °C |
| 过温迟滞 | — | 20 | °C |
5. 典型应用电路
CXLD64446 典型应用包括输入电容、输出电容、NR/SS 电容、反馈电阻分压器以及 PGOOD 上拉电阻。EN 可由逻辑控制或接 VIN 常开。
图2. CXLD64446 典型应用电路
图3. CXLD64446 内部功能方框图
内部集成：带隙基准、误差放大器、PMOS调整管、使能逻辑、UVLO、过流保护、过温保护、NR/SS软启动/噪声滤波、PGOOD比较器、输出放电。
| 位号 | 描述 | 推荐值 | 备注 |
|---|---|---|---|
| CIN | 输入陶瓷电容（X7R/X5R） | ≥10μF（10V） | 靠近VIN引脚 |
| COUT | 输出陶瓷电容（X7R/X5R） | ≥4.7μF（需考虑容值降额） | 靠近VOUT引脚 |
| CNR/SS | 噪声抑制/软启动电容 | 10nF~1μF（推荐10nF） | 靠近NR/SS引脚 |
| R1, R2 | 反馈分压电阻 | 建议R2≤12kΩ | VOUT = 0.8V×(1+R1/R2) |
| RPGOOD | PGOOD上拉电阻 | 10kΩ~100kΩ | 接逻辑电源（≤6.5V） |
| CFF（可选） | 前馈电容 | 10nF | 优化瞬态和PSRR |
6. 工作原理与设计指导
6.1 输出电压设定
通过 FB 引脚外接 R1/R2 分压，基准 0.8V：VOUT = 0.8V × (1+R1/R2)。建议 R2 ≤ 12kΩ 以减小噪声和偏置电流误差。
6.2 软启动与噪声抑制（NR/SS）
NR/SS 引脚外接电容 CNR/SS 同时实现两个功能：
1) 与内部电阻构成低通滤波器，降低带隙基准噪声；
2) 设定启动斜率，限制浪涌电流。启动时间近似：tSS = (0.8V × CNR/SS) / INR/SS（INR/SS 为内部充电电流，典型值见数据手册）。推荐 CNR/SS ≥ 10nF 以获得低噪声性能。
6.3 使能与关断
EN 高电平（>1.1V）使能，低电平（<0.5V）关断，关断电流 <25μA。EN 内部有 50mV 迟滞，可容忍缓慢变化信号。若不用 EN，可接 VIN（建议串联电阻）。
6.4 功率良好（PGOOD）
开漏输出，当 FB 电压达到参考电压的 88%（典型）以上时，PGOOD 为高阻（需上拉）；当输出欠压、EN 关断、过流或过温时，PGOOD 拉低。可用于系统上电时序监控。
6.5 压差与功耗
压差 VDROP = RDS(ON) × IOUT，典型 RDS(ON) 约 62.5mΩ（75mV@1.2A）。最大功耗 PD(MAX) = (125°C - TA) / 30.5°C/W（WDFN-8EL），25°C 时约 3.27W。实际功耗 = (VIN - VOUT)×IOUT，需保证结温 ≤125°C。
7. 应用信息与设计指导
7.1 输入/输出电容选型
- CIN：推荐 ≥10μF 陶瓷（X7R/X5R），靠近 VIN 引脚，以抑制输入电压振铃。
- COUT：推荐 ≥4.7μF（有效容值）陶瓷，靠近 VOUT 引脚。注意陶瓷电容在直流偏压和温度下的容值衰减，建议选择较大封装（如 0805）或更高额定电压。
- CNR/SS：10nF~1μF，推荐 10nF，低漏电陶瓷电容。
7.2 前馈电容（CFF）
可在 R1 上并联 10nF 前馈电容，优化瞬态响应、PSRR 和噪声。但会延长启动时间，需权衡。
7.3 反向电流保护
若 VOUT > VIN + 0.3V，内部体二极管可能导通产生反向电流。建议在 VIN 与 VOUT 间并联肖特基二极管，限制压降 <0.3V，防止损坏。
7.4 PCB 布局建议
- 输入输出电容紧靠 IC 引脚，走线短而宽。
- GND 引脚/散热焊盘连接至大面积地平面，多过孔散热。
- FB 走线远离噪声源，电阻分压器靠近 IC。
- NR/SS 引脚电容靠近 IC，避免长走线引入噪声。
- PGOOD 上拉电阻靠近 IC，走线短。
图4. CXLD64446 PCB 布局参考（WDFN-8EL）
（此处预留布局示意图位置，编辑时可替换为实际布局图纸）
8. 订购信息与技术支持
CXLD64446 采用 WDFN-8EL 3x3 封装，可调输出电压 0.8V~5.5V，精度 ±1%。产品符合 RoHS 和 J-STD-020 标准。嘉泰姆电子提供工程样品、评估板、参考设计及 FAE 技术支持，助力客户快速完成大电流低噪声 LDO 电源设计。
技术邮件: ouamo18@jtm-ic.com | 技术热线: 13823140578
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