
CXLD64442-QT 1A低噪声高PSRR LDO | AEC-Q100 | 可调0.8V-5.5V | 车规级 - 嘉泰姆电子
| 产品型号: | CXLD64442-QT |
| 产品类型: | LDO线性稳压器 |
| 产品系列: | 线性稳压器单通道输出 |
| 产品状态: | 量产 |
| 浏览次数: | 6 次 |
产品简介
技术参数
| 输入电压范围 (VIN) | 2.2 - 6V |
|---|---|
| 输出电压 (VOUT) | 0.8~5.5V |
| 输出电流 (IOUT) | 1000mA |
| 工作频率 | 1000kHz |
| 转换效率 | 95% |
| 封装类型 | VDFN3x3-8 |
| Dropout voltage | 170 @ 1A |
| Quiescent current | 190 |
| Psrr. | 60dB@1kHz |
| Noise | 30μVRMS |
| Protection | 过流/过温 |
| Features | AEC-Q100;Adjustable Soft-Start;Enable Input;Extra Low Noise;Stable with Ceramic Capacitor |
| Application | 线性稳压器单通道输出 |
| Temperature range | -40℃~125℃ |
| Output capacitor | Ceramic |
| Precision | ±3% |
| Bias Rail | No |
| Charge Pump | No |
| Output Adj. Method | Resistor |
产品详细介绍
CXLD64442-QT 低噪声高PSRR LDO稳压器
1A输出 | 2.2V-6V输入 | 可调0.8V-5.5V | AEC-Q100 Grade 1
产品版本:Rev 1.0 | 更新日期:2026年7月 | 型号:CXLD64442-QT | 封装:VDFN-8L 3x3
技术咨询:ouamo18@jtm-ic.com 或致电 13823140578 (嘉泰姆电子)
嘉泰姆电子(JTM-IC)推出的 CXLD64442-QT 是一款高性能正低压差线性稳压器,专为需要极低压差和高电源抑制比(PSRR)的应用设计,输出电流高达 1A。器件支持 2.2V 至 6V 的输入电压,输出电压可通过外部电阻在 0.8V 至 5.5V 范围内编程。采用 PMOS 调整管,仅需 4.7μF 陶瓷输出电容 即可提供优异的瞬态响应。外部使能控制(EN)有效降低关断功耗,NR 引脚外接电容可进一步抑制输出噪声并实现软启动。CXLD64442-QT 提供 ±1.5% 高精度输出,通过 AEC-Q100 Grade 1 车规认证,采用 VDFN-8L 3x3 封装,工作结温范围 -40°C~125°C,适用于车载信息娱乐、仪表盘、ADAS 摄像头/雷达、导航系统等汽车应用。
1. 产品概述与市场定位
在现代汽车电子系统中,如车载信息娱乐系统、ADAS 摄像头、雷达、导航和仪表盘,电源管理芯片必须同时满足 大电流、低噪声 和 高可靠性 的严苛要求。CXLD64442-QT 凭借 1A 输出能力、170mV 超低压差(@1A) 和 63dB@1kHz 的高PSRR,能够为噪声敏感的射频前端、图像传感器和处理器提供纯净的电源。器件通过 AEC-Q100 Grade 1 认证,确保在 -40°C~125°C 结温范围内稳定工作,满足汽车应用的高可靠性需求。内置 NR 引脚噪声抑制 功能,外接电容即可大幅降低输出噪声,同时可编程启动斜率限制浪涌电流。CXLD64442-QT 是汽车电源链中后级稳压的理想选择。
2. 主要特点与技术亮点
- 车规级认证:通过 AEC-Q100 Grade 1 认证,结温范围 -40°C~125°C,适用于汽车信息娱乐、ADAS、雷达等严苛环境。
- 高PSRR:63dB@1kHz,38dB@1MHz,有效抑制输入电源纹波,为射频和模拟电路提供干净电源。
- 超低压差:1A 负载时典型压差仅 170mV,提高效率,减少功耗。
- 低噪声与软启动:NR 引脚外接电容可降低输出噪声,同时通过内部快速启动电路和 RC 滤波实现可控启动斜率,限制浪涌电流。
- 高精度:±1.5% 输出精度,满足严格电压容差要求。
- 全面保护:过流保护(典型限流 1.4A)、过温保护(160°C 关断,20°C 迟滞)、欠压锁定(UVLO)。
- 小封装:VDFN-8L 3x3 超小型封装,适合高密度 PCB 布局。
3. 引脚配置与功能描述
图1. CXLD64442-QT 引脚封装图(VDFN-8L 3x3)
(此处预留封装外形及引脚排列示意图位置,编辑时可替换为实际封装图纸)
引脚 1,2=VOUT,3=FB,4,9(EP)=GND,5=EN,6=NR,7,8=VIN
| 引脚号 | 名称 | 功能描述 |
|---|---|---|
| 1, 2 | VOUT | 稳压输出,需靠近放置 ≥4.7μF 陶瓷电容以保证稳定性。 |
| 3 | FB | 反馈输入,通过外部电阻分压设定输出电压(基准 0.8V)。 |
| 4, 9 (EP) | GND | 地,散热焊盘需焊接至大面积地平面。 |
| 5 | EN | 使能控制(高有效),高电平(>1.2V)使能,低电平(<0.4V)关断,不可悬空。 |
| 6 | NR | 噪声抑制输入,外接电容至 GND 可降低输出噪声并设定软启动时间。 |
| 7, 8 | VIN | 电源输入(2.2V~6V),需靠近放置 ≥1μF 陶瓷电容。 |
4. 电气特性(设计参考)
| 符号 | 参数 | 最小值 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|
| 所有引脚 | 电压范围 | -0.3 | 7 | V |
| TJ | 结温 | — | 150 | °C |
| TSTG | 存储温度 | -65 | 150 | °C |
| ESD (HBM) | 人体模型 | — | 2 | kV |
| 参数 | 最小值 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| 输入电压(VIN) | 2.2 | 6 | V |
| 输出电压(可调) | 0.8 | 5.5 | V |
| 输出电流 | 0 | 1 | A |
| 结温范围 | -40 | 125 | °C |
| 参数 | 测试条件 | 典型值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| 输入电压范围 | — | 2.2 – 6 | V |
| 欠压锁定上升阈值 | — | 2.0 | V |
| 欠压锁定迟滞 | — | 200 | mV |
| 关断电流 | VEN≤0.4V, VIN≥2.2V | 0.2(最大2) | μA |
| 静态电流(IQ) | IOUT=0mA | 190(最大350) | μA |
| 输出电压范围 | — | 0.8 – 5.5 | V |
| 输出精度 | 100mA≤IOUT≤1A, -40°C~125°C | ±1.5(最大) | % |
| 线性调整率 | VOUT+0.5V≤VIN≤6V, IOUT=100mA | 0.2 | % |
| 负载调整率 | 100mA≤IOUT≤1A | 0.3 | % |
| EN 上升阈值 | — | 1.2(最小) | V |
| EN 下降阈值 | — | 0.4(最大) | V |
| 电流限制 | VIN=3.3V, VOUT=0.85×VOUT | 1.4(典型) | A |
| 压差电压(IOUT=1A) | VIN≥2.5V | 370(最大) | mV |
| 压差电压(IOUT=500mA) | VIN≥2.2V | 160 | mV |
| PSRR | f=1kHz, IOUT=750mA | 63 | dB |
| PSRR | f=1MHz, IOUT=750mA | 38 | dB |
| 输出噪声 | 100Hz~100kHz, CNR=10nF | 15.6×VOUT | μVrms |
| 软启动时间(CNR=10nF) | VOUT=3.3V, ROUT=3.3kΩ, COUT=4.7μF | 1.6 | ms |
| 过温关断阈值 | — | 160 | °C |
| 过温迟滞 | — | 20 | °C |
5. 典型应用电路
CXLD64442-QT 典型应用包括输入电容、输出电容、NR 电容、反馈电阻分压器。EN 可由逻辑控制或接 VIN 常开。

图2. CXLD64442-QT 典型应用电路
图3. CXLD64442-QT 内部功能方框图
内部集成:带隙基准、误差放大器、PMOS调整管、使能逻辑、UVLO、过流保护、过温保护、NR噪声滤波/软启动电路。
| 位号 | 描述 | 推荐值 | 备注 |
|---|---|---|---|
| CIN | 输入陶瓷电容(X7R/X5R) | ≥1μF(10V) | 靠近VIN引脚,<0.5英寸 |
| COUT | 输出陶瓷电容(X7R/X5R) | ≥4.7μF(10V) | 靠近VOUT引脚 |
| CNR | 噪声抑制电容 | 10nF(推荐) | 可调,影响启动时间 |
| R1, R2 | 反馈分压电阻 | 建议总阻值≤50kΩ | VOUT = 0.8V×(1+R1/R2) |
6. 工作原理与设计指导
6.1 启动与软启动(NR引脚)
NR 引脚外接电容 CNR 实现双重功能:
1) 与内部 224kΩ 电阻构成低通滤波器,降低带隙基准噪声;
2) 通过内部快速启动电路(35kΩ 电阻)在启动初期快速充电,CNR 电压斜坡决定基准上升斜率,从而限制浪涌电流。启动时间近似:tSS(s) ≈ 160000 × CNR(F)(CNR≥10nF 时)。建议 CNR ≥ 10nF 以获得最佳噪声抑制,但过大的 CNR 会显著延长启动时间(若 2ms 快速充电期后未充满,将通过 224kΩ 慢充)。
6.2 使能与关断
EN 高电平(>1.2V)使能,低电平(<0.4V)关断,关断电流 <2μA。EN 不可悬空,若不使用可接 VIN(建议串联 100kΩ 电阻限制电流)。
6.3 输出电压设定
通过外部电阻 R1(上)和 R2(下)设定,基准 0.8V:VOUT = 0.8V × (1+R1/R2)。建议 R2 ≤ 50kΩ 以减小偏置电流误差,同时较低电阻值可减少 FB 引脚的噪声注入。
6.4 电流限制与过温保护
限流典型值 1.4A,防止过载;过温关断 160°C,迟滞 20°C,在故障条件下自动恢复。
7. 应用信息与设计指导
7.1 输入/输出电容选型
- CIN:≥1μF 陶瓷(X7R/X5R),靠近 VIN 引脚,距 IC <0.5 英寸。
- COUT:≥4.7μF 陶瓷(X7R/X5R),低 ESR,靠近 VOUT 引脚。增大电容可改善瞬态响应和 PSRR。
7.2 噪声抑制与软启动
CNR 电容推荐 10nF(X7R 或 COG),可同时实现低噪声和合适的启动斜率。若需要更慢启动,可增大 CNR,但启动时间会按比例延长。
7.3 压差与功耗
压差 VDROP = RDS(ON) × IOUT,典型 RDS(ON) 约 170mΩ(170mV@1A),但实际压差随输入电压和温度变化,请参考电气特性表。最大功耗 PD(MAX) = (TJ(MAX) - TA) / θJA,VDFN-8L 的 θJA(EVB)=45.06°C/W,25°C 时 PD≈2.22W。实际功耗 = (VIN - VOUT)×IOUT,需保证结温 ≤125°C。
7.4 PCB 布局建议
- 输入输出电容紧靠 IC 引脚,走线短而宽。
- GND 引脚/散热焊盘连接至大面积地平面,多过孔散热。
- FB 反馈走线远离噪声源,R2 的返回端直接接 IC 的 GND(Kelvin 连接)。
- NR 引脚电容靠近 IC,避免长走线引入噪声。
图4. CXLD64442-QT PCB 布局参考(VDFN-8L)
(此处预留布局示意图位置,编辑时可替换为实际布局图纸)
8. 订购信息与技术支持
CXLD64442-QT 采用 VDFN-8L 3x3 封装,AEC-Q100 Grade 1 认证,可调输出电压 0.8V~5.5V,精度 ±1.5%。产品符合 RoHS 和 J-STD-020 标准。嘉泰姆电子提供工程样品、评估板、参考设计及 FAE 技术支持,助力客户快速完成车规级低噪声电源设计。
技术邮件: ouamo18@jtm-ic.com | 技术热线: 13823140578

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