CXTP65191 DDR终端稳压器
1.5A连续灌/拉电流 | 峰值3A | 支持DDR VTT总线终端

产品版本：Rev 1.0 | 更新日期：2026年7月 | 型号：CXTP65191 | 封装：SOP-8 / SOP-8（Exposed Pad）

嘉泰姆电子（JTM-IC）推出的 CXTP65191 是一款 1.5A 连续电流（瞬态峰值 3A）的灌/拉电流跟踪终端稳压器，专为低成本和少外部元件数的系统设计，如数据通信、企业服务器、网络通信设备以及芯片组/RAM 供电等。该器件具有高速运算放大器，可提供快速负载瞬态响应，支持 远程检测（SENSE） 功能，满足 DDR SDRAM VTT 总线终端的所有 JEDEC 规范要求。内部集成 VREF 缓冲器（由 VDDQ 输入产生 VDDQ/2 参考电压），并包含 SD 关断控制 和 热关断保护。关断模式下 VTT 输出为高阻抗，而 VREF 保持有效。CXTP65191 采用 SOP-8 和 SOP-8（Exposed Pad） 封装，适用于企业服务器、网络通信、芯片组/RAM 供电及通用 DC/DC 电源稳压等应用。

1. 产品概述与市场定位

在数据通信、企业服务器、网络通信设备以及芯片组/RAM 供电系统中，DDR 内存总线终端（VTT）需要 精确跟踪 VREF（通常为 VDDQ/2），并提供 双向灌/拉电流 以维持总线信号完整性。CXTP65191 作为一款线性跟踪终端稳压器，可提供高达 1.5A 的连续灌/拉电流（瞬态峰值 3A），输出电压精确跟踪内部 VREF 缓冲器产生的 VDDQ/2 电压。器件支持 2.5V 至 5.5V 的 AVIN/PVIN 输入，VDDQ 输入用于产生内部参考电压。内置 SD 关断控制 可将 VTT 输出置于高阻抗状态（适用于睡眠状态），而 VREF 缓冲器保持激活。CXTP65191 是 DDR SDRAM VTT 总线终端的完整解决方案，适用于企业服务器、网络通信、芯片组供电等应用。

2. 主要特点与技术亮点

• 1.5A 连续灌/拉电流：内部集成高侧和低侧功率级，可连续提供 1.5A 的源电流和灌电流，瞬态峰值高达 3A，满足 DDR VTT 总线的严苛电流需求。
• 精确跟踪输出：输出电压精确跟踪 VDDQ/2（由内部 VREF 缓冲器产生），输出失调电压典型值小于 ±20mV（空载），确保总线终端电压精度。
• 宽输入电压范围：AVIN 和 PVIN 均支持 2.5V~5.5V，可灵活连接系统电源轨。
• 集成 VREF 缓冲器：通过 VDDQ 输入产生 VDDQ/2 的参考电压，可提供小电流驱动，关断模式下仍保持有效。
• SD 关断控制：SD 引脚低电平（<0.8V）将 VTT 输出置于高阻抗状态（VREF 保持激活），适用于 DDR 睡眠状态（S3）等低功耗模式。
• 热关断保护：结温超过 165C 时关断，降温 10C 后自动恢复，保护器件免受过热损坏。
• 支持陶瓷电容：仅需 10F 输入陶瓷电容和 2×10F 输出陶瓷电容即可稳定工作，节省 BOM 成本和 PCB 面积。
• 双封装选项：SOP-8（标准）和 SOP-8（Exposed Pad，带散热焊盘），后者提供更好的散热性能，适合更高功率应用。

3. 引脚配置与功能描述

4. 电气特性（设计参考）

5. 典型应用电路

CXTP65191 典型应用包括 PVIN/AVIN 输入、VDDQ 参考输入、输出电容、VTTSNS 远程检测、VTTREF 旁路电容、SD 关断控制等。适用于 DDR VTT 总线终端供电。

图2. CXTP65191 典型应用电路（DDR VTT 供电）

6. 工作原理与设计指导

6.1 基本工作原理

CXTP65191 是一款线性灌/拉跟踪终端稳压器。内部集成高侧和低侧功率级，由 PVIN 供电。VDDQ 输入通过内部缓冲器产生 VDDQ/2 的参考电压（VTTREF），误差放大器将 VTTSNS 引脚电压与 VTTREF 比较，调节功率级驱动，使 VTT 输出精确跟踪 VDDQ/2。VTTSNS 用于远程检测，确保负载端电压准确。

6.2 VREF 缓冲器

VDDQ 输入通过高阻分压网络产生 VDDQ/2，缓冲器输出 VTTREF（可提供 ±30A 电流）。VTTREF 在关断模式下仍保持有效，便于系统在睡眠状态下参考电压仍可用。

6.3 关断模式（SD）

SD 引脚低电平（<0.8V）使器件进入关断模式，VTT 输出为高阻抗（漏电流 <10A），VREF 缓冲器保持激活。高电平（>1.9V）使能正常输出。

6.4 热关断保护

结温超过 165C 时，器件进入关断模式（VTT 高阻），降温 10C 后自动恢复。

7. 应用信息与设计指导

7.1 电容选择

• PVIN 输入电容：建议 10F 陶瓷电容，靠近 PVIN 引脚，距 IC < 0.5 英寸。
• AVIN 输入电容：建议 1F 陶瓷电容靠近 AVIN 引脚，滤除电源噪声。
• VTT 输出电容：总容值 20F（建议 2×10F 陶瓷），低 ESR 陶瓷电容可改善瞬态响应和稳定性。
• VTTREF 电容：需外接 0.1F 陶瓷电容至 GND，确保参考稳定。

7.2 远程检测（VTTSNS）

VTTSNS 引脚应连接至 VTT 输出电容正端或负载端，以补偿 PCB 走线阻抗引起的压降，确保负载端电压精确等于 VDDQ/2。

7.3 热设计

最大功耗 PD(MAX) = (TJ(MAX) - TA) / JA，TJ(MAX)=125C。SOP-8 JA=120C/W，TA=25C 时 PD=0.833W；SOP-8 Exposed Pad JA=49C/W，PD=2.13W。实际功耗取决于 VTT 与 PVIN 差值及输出电流，注意散热焊盘（EP）焊接至大面积地平面。

7.4 PCB 布局建议

• 输入输出电容尽量靠近 IC 引脚，走线短而宽，减少寄生阻抗。
• VTTSNS 走线独立引出，远离功率走线，避免噪声耦合。
• GND 和 PGND 铺铜面积尽可能大，EP 焊盘需焊接至地平面，多过孔散热。
• VDDQ 和 VTTREF 走线应远离噪声源。

8. 订购信息与技术支持

CXTP65191 提供 SOP-8 和 SOP-8（Exposed Pad）两种封装，无铅、RoHS 合规，结温范围 -40C~125C。嘉泰姆电子提供工程样品、评估板、参考设计及 FAE 技术支持，助力客户快速完成 DDR VTT 终端稳压电源设计。