CXTP65190A DDR终端稳压器
3A灌/拉电流 | VIN 1.1V-3.5V | 支持DDR/DDR2/DDR3/DDR4 VTT

产品版本：Rev 1.0 | 更新日期：2026年7月 | 型号：CXTP65190A | 封装：WDFN-10L 3x3

嘉泰姆电子（JTM-IC）推出的 CXTP65190A 是一款灌/拉电流跟踪终端稳压器，专为低成本和少外部元件数的系统设计，如笔记本电脑、台式机、服务器等。该器件具有高速运算放大器，可提供快速负载瞬态响应，仅需 3 x 10uF 陶瓷输出电容 即可稳定工作。CXTP65190A 支持 远程检测（SENSE） 功能，满足 DDRIII、低功耗 DDRIII 及 DDRIV VTT 总线终端的所有 JEDEC 规范要求。器件集成 开漏 PGOOD 指示 和 EN 使能控制（可用于 DDR S3 睡眠状态时放电 VTT），内置 软启动、UVLO、过流保护（OCP） 和 过温保护（OTP）。采用 WDFN-10L 3x3 高效散热封装，适用于笔记本电脑、服务器、电信/数据通信、液晶电视、机顶盒等 DDR 内存供电应用。

1. 产品概述与市场定位

在笔记本电脑、服务器、台式机以及通信设备中，DDR 内存总线终端（VTT）需要 精确跟踪 VREF（通常为 VDDQ 的一半），并提供 双向灌/拉电流 以维持总线信号完整性。CXTP65190A 作为一款线性跟踪终端稳压器，可提供高达 3A 的连续灌/拉电流，输出电压精确跟踪 REFIN 引脚电压，VTT 输出失调电压典型值小于 +/-25mV。器件支持 1.1V 至 3.5V 的 VIN 输入（直接来自内存 VDDQ），以及 2.9V 至 5.5V 的 VCNTL 控制电源（通常为 3.3V 或 5V 系统电源）。内置 REFOUT 缓冲器 可提供 10mA 的参考输出，简化系统设计。CXTP65190A 是 DDR 内存供电的完整解决方案，适用于 DDR、DDR2、DDR3、DDR3L、低功耗 DDR3 和 DDR4 应用。

2. 主要特点与技术亮点

• 3A 灌/拉电流能力：内部集成高侧和低侧 N-MOSFET，可连续提供 3A 的源电流和灌电流，满足 DDR VTT 总线的大电流需求。
• 精确跟踪输出：输出电压 VOUT 精确跟踪 REFIN 电压，典型失调电压 +/-25mV（IOUT < +/-2A），确保总线终端电压精度。
• 宽输入电压范围：VIN 支持 1.1V~3.5V，可直接连接 DDR 内存 VDDQ；VCNTL 支持 2.9V~5.5V，可接 3.3V 或 5V 电源轨。
• 支持陶瓷电容：仅需 3 x 10uF 陶瓷输出电容即可稳定工作，节省 BOM 成本和 PCB 面积。
• 集成 REFOUT 缓冲器：提供与 REFIN 等电压的参考输出，具备 10mA 灌/拉电流能力，可用于系统其它参考电压需求。
• PGOOD 指示：开漏输出，当 VOUT 在 PGOOD 窗口内且经过延迟后，PGOOD 为高阻，可用于系统上电时序监控。
• 过流保护：连续监测输出电流，过载时限制电流，保护器件免受过流损坏。
• 热关断保护：结温超过 160C 时关断，降温后自动恢复，保护器件免受过热损坏。
• 小型封装：WDFN-10L 3x3 封装，底部散热焊盘，适合高密度 PCB 布局。

3. 引脚配置与功能描述

4. 电气特性（设计参考）

5. 典型应用电路

CXTP65190A 典型应用包括 VIN 输入、VCNTL 控制电源、输出电容、SENSE 远程检测、REFOUT 旁路电容、EN 使能控制、PGOOD 上拉等。适用于 DDR VTT 总线终端供电。

图2. CXTP65190A 典型应用电路（DDR VTT 供电）

6. 工作原理与设计指导

6.1 基本工作原理

CXTP65190A 是一款线性灌/拉跟踪终端稳压器。内部集成高侧 N-MOSFET（用于源电流）和低侧 N-MOSFET（用于灌电流）。所有控制电路由 VCNTL 供电。误差放大器 OP 调节功率 MOSFET 的栅极驱动电压，使 SENSE 电压精确跟踪 REFIN 电压。源电流和灌电流均通过内部检测电阻监测，过载时 OCP 限制电流。

6.2 REFOUT 缓冲器

REFOUT 输出等于 VREFIN 电压，可提供 10mA 的灌/拉电流，用于系统其它参考电压需求。需在 REFOUT 引脚外接 0.1uF 陶瓷电容至 GND。

6.3 PGOOD 指示

当 SENSE 电压处于 PGOOD 窗口内（相对于 REFOUT 的 +/-20%）并持续 2ms 延迟后，PGOOD 引脚变为高阻（需外接上拉电阻至 VCNTL）。若 SENSE 超出窗口，PGOOD 拉低。

6.4 过流保护

连续监测输出电流，当电流超过限流值时限制电流，保护器件免受过载损坏。

6.5 使能与关断

EN 高电平（>1.7V）使能，低电平（<0.3V）关断。关断时内部电路关闭，VOUT 放电。

6.6 热保护

结温超过 160C 时，高侧和低侧 MOSFET 均关断；降温后自动恢复。

7. 应用信息与设计指导

7.1 电容选择

• 输入电容：VIN 引脚需靠近放置 >=10uF 陶瓷电容（X7R/X5R），VCNTL 引脚需 1uF~4.7uF 陶瓷电容。
• 输出电容：VOUT 端总电容需 >=30uF（建议 3 x 10uF 陶瓷），低 ESR 陶瓷电容可改善瞬态响应和稳定性。
• REFOUT 电容：REFOUT 引脚需 0.1uF 陶瓷电容至 GND。

7.2 远程检测（SENSE）

SENSE 引脚应连接至输出电容正端或负载端，以补偿 PCB 走线阻抗引起的压降，确保负载端电压精确跟踪 REFIN。

7.3 参考电压（REFIN）

REFIN 可由外部精确电压源提供，或由 VIN 通过电阻分压得到。建议在 REFIN 引脚和 VIN 之间采用开尔文连接，避免大电流走线压降影响参考精度。

7.4 热设计

最大功耗 P_D(MAX) = (T_J(MAX) - T_A) / theta_JA，T_J(MAX)=125C，WDFN-10L theta_JA=30.5C/W，TA=25C 时 PD=3.27W。实际功耗取决于 VOUT 与 VIN 差值及输出电流，注意散热焊盘焊接至大面积 PGND 平面。

7.5 PCB 布局建议

• 输入输出电容尽量靠近 IC 引脚，走线短而宽，减少寄生阻抗。
• PGND 与 GND 分隔，单点连接，PGND 铺铜面积尽可能大，多过孔散热。
• SENSE 走线独立引出，远离功率走线，避免噪声耦合。
• VCNTL 旁路电容靠近 VCNTL 引脚。

8. 订购信息与技术支持

CXTP65190A 采用 WDFN-10L 3x3 封装，无铅、RoHS 合规，结温范围 -40C~125C。嘉泰姆电子提供工程样品、评估板、参考设计及 FAE 技术支持，助力客户快速完成 DDR 内存 VTT 电源设计。