CXLD64423 36V超低静态电流LDO | 2μA IQ | 峰值200mA | 零关断电流 - 嘉泰姆电子

CXLD64423 36V超低静态电流LDO | 2μA IQ | 峰值200mA | 零关断电流 - 嘉泰姆电子

产品型号:CXLD64423
产品类型:LDO线性稳压器
产品系列:线性稳压器单通道输出
产品状态:量产
浏览次数:7 次
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产品简介

CXLD64423 是一款36V、2μA静态电流、峰值200mA低压差线性稳压器,带使能控制,固定输出电压2.5V/3V/3.3V/5V/9V/12V可选,输入3.5V-36V,压降0.2V@10mA,精度±2%,关断电流接近零,支持陶瓷/钽电容稳定,集成过流/过温保护,提供SOP-8 EP/SOT-23-5/SOT-89-5/UDFN-6L多种封装。嘉泰姆电子提供便携/电池供电/笔记本电源方案。

技术参数

输入电压范围 (VIN)3.5 - 36V
输出电压 (VOUT)2.5~12V
输出电流 (IOUT)200mA
工作频率1000kHz
转换效率95%
封装类型PSOP-8;SOT-25;SOT-89-5;UDFN1.6x1.6-6
Dropout voltage200 @ 0.01A
Quiescent current2;3.5
Psrr.60dB@1kHz
Noise30μVRMS
Protection过流/过温
FeaturesEnable Input;OCP;Stable with Ceramic Capacitor
Application线性稳压器单通道输出
Temperature range-40℃~125℃
Output capacitorCeramic;Tantalum
Precision±2%
Bias RailYes
Charge PumpYes
Output Adj. MethodFixed

产品详细介绍

CXLD64423 36V超低静态电流LDO
2μA IQ | 峰值200mA | 零关断电流 | 多封装可选

产品版本:Rev 1.0 | 更新日期:2026年7月 | 型号:CXLD64423 | 封装:SOP-8 EP / SOT-23-5 / SOT-89-5 / UDFN-6L

嘉泰姆电子(JTM-IC)推出的 CXLD64423 是一款带使能控制的高电压低压差线性稳压器,兼具高输入电压、低压差、超低功耗和紧凑封装等优势。输入电压范围 3.5V至36V,连续输出电流 100mA(峰值200mA),提供 2.5V、3V、3.3V、5V、9V、12V 固定输出电压选项。超低静态电流低至 2μA,关断电流 接近零,是电池供电设备延长工作寿命的理想选择。芯片在全输入电压范围和全负载电流范围内均能稳定工作,支持陶瓷或钽输出电容,输出精度 ±2%。集成 使能控制(EN)过流保护过温保护,提供 SOP-8(Exposed Pad)SOT-23-5SOT-89-5UDFN-6L(1.6×1.6mm) 四种封装选项,是便携设备、超低功耗微控制器、笔记本及工业控制等应用的理想电源方案。

核心优势: 36V高输入电压 | 2μA超低静态电流 | 100mA连续/200mA峰值输出 | 零关断电流 | 固定输出电压(2.5/3/3.3/5/9/12V) | 0.2V压降@10mA | ±2%输出精度 | 稳定于陶瓷或钽电容 | 使能控制 | 过流/过温保护 | 四种封装可选(SOP-8 EP/SOT-23-5/SOT-89-5/UDFN-6L)。

1. 产品概述与市场定位

在便携设备、电池供电系统、超低功耗微控制器、工业控制及汽车电子等应用中,对电源管理芯片的要求日益严苛——既要承受宽范围输入电压(应对电池电压波动和瞬态过压),又要保持极低的自身功耗以延长电池寿命,同时还要求灵活的封装选择以适应不同PCB空间。CXLD64423 作为一款 高电压、超低静态电流线性稳压器,其核心优势在于 36V宽输入电压、2μA超低静态电流和接近零的关断电流——可直接从12V/24V汽车电池、工业总线或电源适配器取电,无需额外降压前级;自身消耗电流仅2μA,关断时电流几乎为零,在待机和关断模式下几乎不消耗电池能量,大幅延长设备续航时间。

芯片提供 2.5V、3V、3.3V、5V、9V、12V 六种固定输出电压选项,覆盖从低压逻辑供电到高压偏置的广泛应用场景。 使能控制(EN) 允许系统灵活开关稳压器,进一步优化功耗。 四种封装选项 满足从超紧凑(UDFN-6L 1.6×1.6mm)到高散热(SOP-8 Exposed Pad)的多样化需求。CXLD64423 是便携设备、电池供电系统、工业控制及汽车电子等应用的理想电源方案。

2. 主要特点与技术亮点

36V输入电压宽范围输入
2μA静态电流超低功耗
零关断电流使能控制
100mA/200mA连续/峰值输出
固定输出电压2.5/3/3.3/5/9/12V可选
±2%精度高精度输出
低压差0.2V@10mA
四种封装SOP-8 EP/SOT-23-5/SOT-89-5/UDFN-6L
  • 36V高输入电压:输入电压范围3.5V~36V,可直接从12V/24V汽车电池、工业电源取电,无需额外降压电路。
  • 2μA超低静态电流:极低的自身功耗,非常适合电池供电和待机应用,显著延长设备续航时间。
  • 零关断电流:EN引脚拉低时,关断电流接近零(<0.1μA),几乎不消耗电池能量。
  • 100mA连续/200mA峰值输出:满足超低功耗微控制器、传感器、CAN收发器等负载需求,峰值能力应对瞬态负载。
  • 固定输出电压选项:提供2.5V、3V、3.3V、5V、9V、12V六种固定输出,无需外部反馈电阻,设计简洁。
  • 高输出精度:±2%输出精度(含负载、线性和温度变化),为敏感负载提供稳定电源。
  • 低压差:10mA负载下压降仅0.2V(VCC=5V),在低输入电压下仍能保持正常调节。
  • 稳定于陶瓷或钽电容:兼容多种输出电容类型,设计灵活。
  • 使能控制:EN引脚实现低功耗关断,关断电流为零,延长电池待机时间。
  • 完善保护:过流保护(电流限制典型值350mA)、过温保护(150°C触发,20°C迟滞)。
  • 四种封装选项:SOP-8 EP(高散热)、SOT-23-5(紧凑)、SOT-89-5(中等散热)、UDFN-6L(1.6×1.6mm超紧凑),灵活适配不同设计需求。

3. 典型应用电路

CXLD64423 的典型应用电路非常简洁:输入电容(CIN,1μF陶瓷),输出电容(COUT,≥1μF陶瓷或钽电容),EN引脚接使能信号(高电平使能,低电平关断)。VCC接输入电源(3.5V~36V),VOUT输出固定电压,GND接地。无需外部反馈电阻。

典型应用电路
图1. 典型应用电路(固定输出LDO)

图2. CXLD64423 内部功能方框图
内部集成:P-MOSFET调整管、高精度基准源、误差放大器、内部固定电阻分压网络、使能逻辑、过流保护、过温保护等。

4. 极限参数与电气特性(设计参考)

极限参数 (Absolute Maximum Ratings)
符号 参数 最小值 最大值 单位
VCC, EN 输入/使能电压 -0.3 40 V
VOUT(2.5/3/3.3/5V) 输出电压 -0.3 6 V
VOUT(9/12V) 输出电压 -0.3 15 V
PD(SOP-8 EP) 功耗(TA=25°C) 3.26 W
PD(SOT-23-5) 功耗(TA=25°C) 0.45 W
PD(SOT-89-5) 功耗(TA=25°C) 0.87 W
PD(UDFN-6L) 功耗(TA=25°C) 2.15 W
θJA(SOP-8 EP) 热阻 30.6 °C/W
θJA(SOT-23-5) 热阻 218.1 °C/W
θJA(SOT-89-5) 热阻 113.9 °C/W
θJA(UDFN-6L) 热阻 46.5 °C/W
TJ 结温范围 -40 150 °C
TSTG 存储温度 -65 150 °C
ESD (HBM) 人体模型 2 kV
推荐工作条件
参数 最小值 最大值 单位
VCC 输入电压 3.5 36 V
环境温度 -40 85 °C
结温 -40 125 °C
关键电气特性 (CIN=1μF, TA=25°C, 典型值)
参数 条件 典型值 单位
输入电压范围 3.5 – 36 V
输出电压精度 IOUT=10mA ±2 %
静态电流 IOUT=0mA, VOUT≤5.5V 2 μA
关断电流 EN=0V 0.1 μA
压降电压(VCC=5V) IOUT=10mA 0.20 V
线调整率 IOUT=1mA, VCC=3.5~36V 0.04 %
负载调整率 0mA < IOUT < 100mA ±1 %
输出电流限制 350 mA
EN高电平阈值 1.6 V
EN低电平阈值 0.6 V
EN输入电流 VEN=36V 0.1 μA
OTP触发温度 150 °C
OTP迟滞 20 °C
推荐输出电容 有效容量≥1μF

5. 工作原理与设计指导

5.1 工作原理

CXLD64423 是一款高输入电压线性稳压器,专为低外部元件系统设计。内部P-MOSFET输出晶体管提供低导通电阻,实现低压差工作。误差放大器将内部基准电压与内部电阻分压网络的反馈电压进行比较,控制P-MOSFET的栅极电压,从而在输出端实现良好的线性调整率和负载调整率。最低输出电容要求为 1μF 有效电容(考虑温度和电压系数)。

5.2 固定输出电压

芯片内部集成了高精度电阻分压网络,无需外部反馈电阻即可提供 2.5V、3V、3.3V、5V、9V、12V 六种固定输出电压。用户根据应用需求选择相应型号,简化设计,降低BOM成本。

5.3 使能控制

EN引脚为高电平(>1.6V)时芯片使能,输出正常;低电平(<0.6V)时进入关断模式,关断电流 接近零(<0.1μA)。EN引脚可直接连接至VCC以保持常开状态。

5.4 电容选择

输入电容:建议使用 ≥1μF 陶瓷电容(X7R/X5R),并尽量靠近VCC和GND引脚放置。

输出电容:可使用陶瓷或钽电容,有效容量 ≥1μF。推荐使用X7R或X5R介质的陶瓷电容,确保有效容量在全温度范围内满足要求。增大输出电容可改善瞬态响应和PSRR。

5.5 保护机制

  • 过流保护:通过内部检测晶体管监测输出电流,过载或短路时限制电流(典型值350mA),防止芯片损坏。
  • 过温保护:结温超过150°C时关断P-MOSFET,温度下降约20°C后自动恢复。

6. 基于 CXLD64423 的工业传感器供电设计实例

设计目标:一款工业无线传感器节点,需要为MCU和LoRa模块提供3.3V/50mA电源,输入来自24V工业电源(18V~30V)。要求低静态电流以降低功耗,宽输入电压范围以应对电源波动,紧凑封装以节省PCB面积。

  • 型号选择:选用 CXLD64423-3.3(固定3.3V输出),封装选择UDFN-6L(超紧凑1.6×1.6mm),输入电压范围18V~30V。
  • 电容选择:CIN=1μF陶瓷(耐压50V),COUT=1μF陶瓷(耐压16V)。
  • 功耗计算:PD(max) = (30-3.3)V × 50mA = 1.335W。UDFN-6L封装θJA=46.5°C/W,温升≈62°C,在85°C环境温度下结温≈147°C,超过125°C上限。建议降低功耗或选择SOP-8 EP封装(θJA=30.6°C/W,温升≈41°C,结温≈126°C,接近上限)。实际在24V典型输入下PD=1.035W,SOP-8 EP温升≈32°C,结温≈117°C,安全。
  • 低功耗优势:2μA静态电流在待机时几乎不消耗能量,EN关断时电流接近零。
  • PCB布局:输入/输出电容靠近引脚,Exposed Pad(如有)焊接至大面积地平面散热。
设计支持: 嘉泰姆电子提供 CXLD64423 评估板、参考设计(原理图、BOM、PCB 布局)及 FAE 技术支持,助力客户快速完成高电压LDO方案设计。

7. PCB 布局建议

  • 输入/输出电容就近放置:CIN(≥1μF)和COUT(≥1μF)应尽可能靠近VCC/VOUT和GND引脚,减小寄生电感。
  • 地线设计:GND引脚连接至大面积地平面,以增强散热和降低地阻抗。SOP-8 EP和UDFN-6L封装的Exposed Pad必须焊接至PCB地平面。
  • 功率走线:VCC、VOUT和GND为电流路径,走线应宽短,减小压降。
  • EN走线:EN为逻辑控制,走线可稍长,但应避免与高噪声线路并行。
  • 封装选择建议:高功耗应用(如输入电压较高或输出电流较大)建议选择SOP-8 EP封装以获得最佳散热性能;超紧凑应用选择UDFN-6L封装(需注意功耗限制)。
  • 散热优化:SOP-8 EP封装θJA=30.6°C/W,最大功耗3.26W;UDFN-6L封装θJA=46.5°C/W,最大功耗2.15W;SOT-89-5封装θJA=113.9°C/W,最大功耗0.87W;SOT-23-5封装θJA=218.1°C/W,最大功耗0.45W(TA=25°C)。根据实际功耗选择合适封装,确保结温不超过125°C。
  • 电容类型:推荐使用X7R或X5R介质的陶瓷电容,确保有效容量在全温度范围内满足要求。

8. 引脚封装图与订购信息

图3. CXLD64423 引脚封装图(SOP-8 EP / SOT-23-5 / SOT-89-5 / UDFN-6L)
四种封装选项:SOP-8(Exposed Pad)高散热;SOT-23-5紧凑型;SOT-89-5中等散热;UDFN-6L(1.6×1.6mm)超紧凑。

CXLD64423 提供 SOP-8(Exposed Pad)SOT-23-5SOT-89-5UDFN-6L(1.6×1.6mm) 四种封装,均无铅、RoHS 合规。提供2.5V、3V、3.3V、5V、9V、12V六种固定输出电压选项,请根据实际需求选择对应型号。嘉泰姆电子提供工程样品、量产芯片及全面的技术支持,包括评估板、参考设计和 FAE 现场支持。

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