CXDC65261A VR12/IMVP7兼容双路单相PWM控制器 | G-NAVP™ | CPU CORE + GFX VR - 嘉泰姆电子

CXDC65261A VR12/IMVP7兼容双路单相PWM控制器 | G-NAVP™ | CPU CORE + GFX VR - 嘉泰姆电子

产品型号:CXDC65261A
产品类型:DC-DC转换器
产品系列:Vcore Intel CPU Vcore 解决方案
产品状态:量产
浏览次数:18 次
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产品简介

CXDC65261A 是一款VR12/IMVP7兼容的双路单相同步Buck PWM控制器,集成栅极驱动器,支持CPU CORE和GFX VR,采用G-NAVP™拓扑,0.5% DAC精度,差分远端电压检测,内置ADC,支持DCR电流检测,WQFN-48L封装。嘉泰姆电子提供完整方案。

技术参数

输入电压范围 (VIN)5V~25V
输出电压 (VOUT)5V
工作频率300kHz
转换效率95%
封装类型WQFN6x6-48
TopologyVcore Intel CPU Vcore 解决方案
Control methodPWM/PFM
Switching frequency300kHz
Protection过流/过压/过温
FeaturesAdjustable Current Limit;Adjustable Frequency;Built-in Bootstrap Switch;Cycle-by-Cycle Current Limit;DCR Current Sense;Diode Emulation Mode;Droop Control;Enable Input;G-NAVP Control;OVP;Power Good;SCP;UVP
Operating temp-40℃~125℃
Precision±1%
Built-in DAC GeneratorYes
Number of MOSFET Drivers1;1
Accuracy (Vout>=1V) (+/- %)0.5
VID Table SupportIMVP7;VR12
Number of Phases1;1

产品详细介绍

CXDC65261A VR12/IMVP7兼容双路单相PWM控制器 | G-NAVP™ | CPU CORE + GFX VR - 嘉泰姆电子

CXDC65261A VR12/IMVP7兼容双路单相PWM控制器
G-NAVP™ | CPU CORE + GFX VR | 集成栅极驱动器 | SVID接口 | 0.5% DAC精度

产品版本:Rev 1.0 | 更新日期:2026年4月 | 型号:CXDC65261A | 封装:WQFN-48L 6x6

嘉泰姆电子(JTM-IC)推出的 CXDC65261A 是一款双路单相同步Buck PWM控制器,集成栅极驱动器,符合 Intel VR12/IMVP7规范。芯片内置 串行VID(SVID)接口 与Intel VR12/IMVP7兼容CPU通信,集成差分远端输出电压检测功能和高精度DAC,实现精确的输出电压调节。CXDC65261A支持VR12/IMVP7兼容的电源管理状态和VID动态调节功能,支持PS2(DEM)和PS1/PS0(强制CCM)两种电源管理状态。瑞泰克专有 G-NAVP™(Green Native AVP) 技术使AVP(主动电压定位)设计更简单、更稳健,同时提升DEM和CCM效率。芯片集成高精度ADC用于平台设置,如无负载偏移或过流电平。为CORE VR和GFX VR提供独立的VR就绪输出信号。芯片还具备完整的故障保护功能,包括过压、欠压、负压、过流和欠压锁定。CXDC65261A采用 WQFN-48L 6x6 小尺寸封装。

核心优势: VR12/IMVP7兼容 | 双路输出控制器(CPU CORE + GFX VR) | 集成两个栅极驱动器 | G-NAVP™拓扑 | 0.5% DAC精度 | 差分远端输出电压检测 | 内置ADC平台编程 | 二极管仿真模式 | Droop使能/禁止 | 快速瞬态响应 | 电流监测输出 | 全面保护 | WQFN-48L封装。

1. 产品概述与市场定位

在笔记本电脑、上网本和台式机中,CPU核心和GPU核心供电需要高精度、高效率且满足Intel VR12/IMVP7规范的电源管理方案。CXDC65261A 作为一款VR12/IMVP7兼容的双路单相PWM控制器,其核心价值在于将 CPU CORE VR控制GFX VR控制集成栅极驱动器SVID通信高精度ADC 集成于单一芯片,显著简化CPU/GPU供电设计并降低BOM成本。

CXDC65261A 采用 G-NAVP™拓扑,这是基于有限增益谷值电流模式与CCRCOT(恒定电流纹波恒定导通时间)的专有技术,使负载线可通过设置误差放大器直流增益轻松编程,满足AVP要求。G-NAVP™拓扑还使工作频率随输出电压、负载和VIN变化,即使在CCM模式下也能进一步提升效率。芯片支持 CCM和DEM模式转换,不同工作状态允许整个电源系统实现低功耗。CXDC65261A 支持 DCR和检测电阻电流检测,提供CPU CORE和GFX VR的VR_READY信号,并具备完整的故障保护功能,包括过压、欠压、负压、过流和欠压锁定。

2. 主要特点与技术亮点

VR12/IMVP7兼容Intel CPU/GPU电源规范
双路单相PWMCPU CORE + GFX VR
G-NAVP™拓扑专有AVP技术
集成栅极驱动器简化PCB设计
SVID接口Fast/Slow/Decay
0.5% DAC精度高精度电压调节
差分远端检测高精度电压调节
内置ADC平台编程
  • VR12/IMVP7兼容:满足Intel VR12/IMVP7串行VID接口规范,支持CPU CORE和GFX双路输出。
  • 双路单相PWM控制器:集成两个栅极驱动器,简化PCB设计。
  • G-NAVP™拓扑:有限增益谷值电流模式与CCRCOT控制,轻松设置AVP。
  • 0.5% DAC精度:高精度DAC,输出电压范围0.25V至1.52V,5mV步进。
  • 差分远端输出电压检测:消除PCB走线和插座接触电阻影响。
  • 内置ADC:用于平台编程,如无负载偏移、ICCMAX、TMPMAX等设置。
  • 二极管仿真模式(DEM):轻载条件下DEM操作,提高轻载效率。
  • Droop使能/禁止:可通过DRPEN/DRPENA引脚独立使能或禁止CORE/GFX VR的droop功能。
  • 快速瞬态响应:G-NAVP™拓扑与快速响应机制。
  • 电流监测输出:IMON/IMONA引脚输出与负载电流成比例的电压。
  • 热节流指示:VRHOT输出。
  • 电源就绪指示:VR_READY/VRA_READY输出。
  • 开关频率:每相高达1MHz。
  • 全面保护:OVP、UVP、NVP、OCP、UVLO。
  • WQFN-48L封装:6x6mm紧凑封装,RoHS合规,无卤素。

3. 典型应用电路

CXDC65261A的典型应用电路包含:VCC供电,CPU CORE VR连接单相功率级(通过MOSFET+电感),GFX VR连接单相功率级。SVID接口连接CPU(VR_READY、VRA_READY、VRHOT、VCLK、VDIO、ALERT),电流检测采用电感DCR或检测电阻,差分远端检测连接VCC_SENSE和VSS_SENSE,SETINI/SETINIA设置初始电压,ICCMAX/ICCMAXA设置最大电流,TMPMAX设置最大温度,DRPEN/DRPENA设置droop使能。

典型应用电路
图2. 典型应用电路

引脚封装图
引脚封装图

4. 极限参数与电气特性(设计参考)

极限参数 (Absolute Maximum Ratings)
符号参数最小值最大值单位
VCC控制器电源-0.36.5V
PVCC驱动器电源-0.36.5V
RGNDx返回地-0.30.3V
TONSETxOn-Time设置-0.328V
其他引脚逻辑引脚-0.3VCC+0.3V
BOOTx-PHASEx自举电压-0.36.5V
PHASEx (DC)开关节点-328V
UGATEx-PHASEx (DC)高侧栅极-0.3BOOT-PHASEV
LGATEx (DC)低侧栅极-0.3PVCC+0.3V
TJ结温150°C
TSTG存储温度-65150°C
ESD (HBM)人体模型2kV
推荐工作条件
参数最小值最大值单位
VCC供电电压4.55.5V
PVCC供电电压4.55.5V
输入电压VIN525V
结温-40125°C
环境温度-4085°C
关键电气特性 (VCC=5V, TA=25°C)
参数条件典型值单位
供电电流(VCC+PVCC)EN=1.05V, 不开关12–20mA
关断电流EN=0V5μA
On-Time设置IRTON=80μA, VFB=1V350ns
最小Off-Time350ns
DAC精度VID=1.000V–1.520V±0.5%
动态VID转换速率SetVID Slow3.125mV/μs
动态VID转换速率SetVID Fast12.5mV/μs
误差放大器增益RL=47kΩ70–80dB
增益带宽积CLOAD=5pF10MHz
IBIAS电压RIBIAS=53.6kΩ2.14V
Droop使能阈值EN上升后10μs内4.5V
Droop禁止阈值EN上升后10μs内2V

5. 工作原理与设计指导

5.1 G-NAVP™控制模式

CXDC65261A 采用 G-NAVP™控制器,这是一种基于有限增益谷值电流模式与CCRCOT(恒定电流纹波恒定导通时间)拓扑的控制方式。输出电压随输出负载电流增加而降低,控制环路包含PWM调制器、电流检测放大器和误差放大器。当负载电流增加时,VCS增加,稳态COMP电压也增加,使输出电压降低,从而实现AVP。

5.2 SVID接口与动态VID

CXDC65261A 内置 SVID接口,支持SetVID_Fast、SetVID_Slow、SetVID_Decay等命令,与Intel VR12/IMVP7 CPU通信。支持动态VID增强功能,通过内部补偿电流减少droop效应,使输出电压更快稳定到目标值。

5.3 工作模式转换

CXDC65261A 支持多种工作模式转换,包括PS0(CCM)和PS2(DEM)。通过SetPS命令切换,优化不同负载条件下的效率。GFX VR支持强制DEM功能,可通过GFXPS2引脚使能。

5.4 电流检测与负载线设置

CXDC65261A 支持 DCR和检测电阻电流检测。负载线通过设置误差放大器直流增益轻松编程。目标输出特性为:VOUT = VREFx − ILOAD × RDROOP。误差放大器增益AV = R2/R1 = Ai × RSENSE / RDROOP。droop功能可通过DRPEN/DRPENA引脚独立使能或禁止。

5.5 保护功能

  • 过压保护(OVP):ISENxN超过VMAX+200mV时触发,锁存并关断高侧MOSFET,开启低侧MOSFET。
  • 负压保护(NVP):OVP锁存期间,ISENxN低于-0.05V时触发,关断低侧MOSFET。
  • 欠压保护(UVP):ISENxN低于VREFx-300mV时触发,关断高侧和低侧MOSFET。
  • 过流保护(OCP):通过OCSETx引脚设置阈值,逐周期限流,连续15周期触发锁存。
  • 过温保护(OTP):通过TSENx引脚监测VR温度,VRHOT输出报警。
  • 欠压锁定(UVLO):VCC低于UVLO阈值时触发,关断所有驱动器。

5.6 温度监测与指示

CXDC65261A 提供TSENx引脚用于CPU/GFX VR温度监测。TSENx电压与VR温度成比例,ADC转换为数字格式存储于Temperature Zone寄存器。VRHOT为开漏输出,当TSEN电压高于1.855V时拉低指示热报警。

6. 基于CXDC65261A的笔记本CPU/GPU供电设计实例

设计目标:一款VR12/IMVP7兼容的笔记本CPU/GPU供电方案,CPU CORE VR采用单相Buck,GFX VR采用单相Buck,输入电压12V,输出电压0.25V-1.52V可调。

  • 系统配置:选用CXDC65261A,VCC接5V。CPU CORE VR使用单相功率级(MOSFET+电感)。GFX VR使用单相功率级。SVID接口连接CPU,VR_READY、VRA_READY、VRHOT、VCLK、VDIO、ALERT信号正确连接。
  • 参数设置:SETINI/SETINIA设置初始电压,ICCMAX/ICCMAXA设置最大电流,TMPMAX设置最大温度,OCSET/OCSETA设置过流阈值,TONSET/TONSETA设置On-Time,IBIAS连接53.6kΩ电阻到地,DRPEN/DRPENA设置droop使能。
  • 保护设计:OVP、UVP、NVP、OCP、OTP、UVLO全面启用,TSEN/TSENA连接NTC热敏电阻实现温度监测和补偿。
  • PCB布局:输入电容靠近高侧MOSFET漏极和低侧MOSFET源极,功率回路最小化,电流检测采用Kelvin连接,高速开关节点远离敏感模拟区域。
设计支持: 嘉泰姆电子提供CXDC65261A评估板、参考设计(原理图、BOM、PCB布局)及FAE技术支持。

7. PCB布局建议

  • 高电流路径:保持短而宽,特别是接地端子。
  • 功率走线:保持短,这是实现高效率的关键。
  • 电流检测:ISENxP和ISENxN采用Kelvin连接,确保电流检测精度。DCR检测电容和电阻靠近控制器放置。
  • NTC热敏电阻:靠近电感放置,实现更好的DCR温度补偿。
  • 高速开关节点:远离敏感模拟区域(COMPx、FBx、ISENxP、ISENxN等)。
  • 散热:WQFN-48L 6x6封装,散热焊盘连接大面积地平面,多过孔散热。

8. 订购信息与技术支持

CXDC65261A 采用 WQFN-48L 6x6 封装,无铅、RoHS合规,无卤素。产品型号命名规则:CXDC65261A + 封装类型(QW:WQFN-48L 6x6)+ 铅镀层(G:绿色)。嘉泰姆电子提供工程样品、量产芯片及全面的技术支持,包括评估板、参考设计和FAE现场支持。

型号封装包装环保
CXDC65261AGQWWQFN-48L 6x6标准无卤无铅

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