CXDC65257BE IMVP9.3兼容四路输出CPU电源控制器
混合控制架构 | 5/4/3/2/1相CORE VR + 2/1相GT VR + 1相SA VR + 1相ATOM VR | I²C接口

产品版本：Rev 1.0 | 更新日期：2026年4月 | 型号：CXDC65257BE | 封装：WQFN-52L 6x6

嘉泰姆电子（JTM-IC）推出的 CXDC65257BE 是一款四路输出同步VR控制器，完全符合 Intel IMVP9.3 PWM 规范。CXDC65257BE 采用瑞泰克新一代 混合控制架构，无需外部无源元件即可实现快速动态响应。控制环路设置可通过 I²C接口 轻松编程，简化了droop控制设置过程，满足CPU核心供电的所有AVP（自适应电压定位）要求。芯片具备新一代瞬态技术 AQR（Adaptive Quick Response），在负载瞬态期间优化AVP性能并减少输出电容。CXDC65257BE 采用 SPM（Smart Phase Management） 技术，通过可编程电流阈值和迟滞优化系统效率。芯片集成 高精度ADC 用于多信号遥测，包括输入电压、输出电流、各轨温度检测和系统功率监测。内置 MTP NVM 存储自定义配置，可通过ADDR引脚外接电阻选择配置。推荐结温范围 -40°C 至 125°C。

1. 产品概述与市场定位

在笔记本电脑和台式机中，CPU供电需要高精度、高效率且满足Intel IMVP9.3规范的电源管理方案。CXDC65257BE 作为一款IMVP9.3兼容的四路输出CPU电源控制器，其核心价值在于将 多相CORE VR控制、GT VR控制、SA VR控制、ATOM VR控制、SVID通信、I²C配置 和 高精度ADC 集成于单一芯片，显著简化CPU供电设计。

CXDC65257BE 采用 混合控制架构，无需外部RC补偿元件即可实现快速动态响应和良好的稳定性。控制环路设置可通过I²C接口编程，简化droop控制设置。芯片支持 Adaptive Quick Response（AQR） 技术，检测输出电压下降沿并允许所有相位PWM同时导通，优化瞬态响应。CXDC65257BE 采用 SPM（Smart Phase Management） 技术，通过可编程电流阈值和迟滞实现快速相位增减，优化系统效率。芯片还支持 Anti-Overshoot（ANTIOVS） 功能，抑制负载释放时的输出电压过冲。内置 MTP NVM 存储自定义配置，包括droop控制设置、ICCMAX电流、开关频率和SPM电流阈值。

2. 主要特点与技术亮点

• Intel IMVP9.3兼容：满足Intel IMVP9.3串行VID接口规范，支持四路输出。
• 5/4/3/2/1相CORE VR：支持多相操作，可根据负载动态调整相数。
• 2/1相GT VR + 1相SA VR + 1相ATOM VR：独立多相Buck控制器。
• 混合控制架构：无需外部RC补偿元件，具有良好的稳定性和快速动态性能。
• AQR快速响应：自适应快速响应，检测负载上升沿并自适应调整PWM脉宽。
• SPM智能相位管理：可编程电流阈值和迟滞，优化系统效率。
• 0.5% DAC精度：高精度DAC，支持5mV/10mV VID步进。
• 差分远端电压检测：消除PCB走线、CPU内部走线和插座接触电阻的影响。
• 内置ADC：用于信号监测和遥测，包括输入电压、输出电流、温度等。
• MTP NVM：存储自定义配置，可通过ADDR引脚外接电阻选择。
• I²C接口：标准I²C协议接口，支持100kbps/400kbps。
• DVID增强：支持动态VID补偿，加快稳定时间。
• Zero Load-Line：支持零负载线功能。
• 支持Fast V-Mode（FVM）：快速电压模式。
• VR Ready和热指示：VR_READY和VR_HOT#输出。
• 焊接良好检测：SET1引脚连接5V并拉高VRON，若焊接良好，两路输出均为非零VBOOT。
• 全面保护：UVLO、UV、OV、OC、SPS故障指示。
• WQFN-52L封装：6x6mm紧凑封装，RoHS合规，无卤素。

3. 典型应用电路

CXDC65257BE的典型应用电路包含：VCC供电，CORE VR连接5相功率级（通过SPS智能功率级+电感），GT VR连接2相功率级，SA VR连接1相功率级，ATOM VR连接1相功率级。SVID接口连接CPU（VR_READY、VR_HOT#、VCLK、VDIO、ALERT#），I²C接口连接SM_SCL/SM_SDA，电流检测采用SPS IMON或电感DCR，差分远端检测连接VSEN_A/B/C/D和RGND_A/B/C/D，IMON/IMON_AUX电流监测输出，以及TSEN_A/B/C/D温度监测引脚。

图2. 典型应用电路

引脚封装图

4. 极限参数与电气特性（设计参考）

5. 工作原理与设计指导

5.1 混合控制架构

CXDC65257BE 采用 混合控制架构，结合了偏移消除环路和高速路径。偏移消除环路通过低通滤波器形成正反馈，有效产生无限直流增益以消除稳态误差。高速路径采用有限直流增益的高通滤波器，在负载瞬态时快速响应并触发PWM比较器。芯片支持两种控制模式：Mode 1（2极点2零点）和Mode 2（3极点3零点）。对于非零负载线应用，Mode 1已足够满足所有AVP要求；对于零负载线应用，Mode 2可进一步扩展带宽。

5.2 SVID接口与I²C配置

CXDC65257BE 内置 SVID接口，接收或发送SVID信号与CPU通信。控制逻辑执行SVID命令并发送相关信号控制VR。I²C接口可用于微调控制器性能和功能设置，配置寄存器包括CPU所需寄存器、基本操作必需寄存器和功能设置寄存器。I²C接口不支持时钟拉伸，支持标准模式（100kbps）和快速模式（400kbps）。

5.3 AQR与SPM

CXDC65257BE 支持 Adaptive Quick Response（AQR） 技术，检测输出电压下降沿并允许所有相位PWM同时导通，快速传递功率，显著改善瞬态响应。AQR触发阈值和脉宽可通过NVM设置。芯片采用 SPM（Smart Phase Management） 技术，通过可编程电流阈值和迟滞实现快速相位增减，优化系统效率。SPM阈值以ICCMAX的百分比定义，迟滞为VICCMAX的线性分数。

5.4 电流检测与负载线设置

CXDC65257BE 采用 SPS IMON电流检测。所有ISENxP引脚连接到SPS的IMON引脚，通过终端电阻RSPS参考VREF。等效DCR应满足0.2mΩ至0.8mΩ范围。负载线通过ΔVIMON信号产生所需droop，电流镜增益为0.125 A/A。RLL寄存器可设置为零用于零负载线应用。建议在EN=LOW时编程RLL和RIMON，避免意外的PWM行为和电压误差。

5.5 保护功能

• 软启动过流保护（SSOCP）：从0V初始启动时，当电感电流超过SSOCP阈值（200% ICCMAX），控制器强制所有PWM三态，关断高侧和低侧开关。
• 总和过流保护（SOCP）：SOCP阈值可设置为ICCMAX的百分比，默认为130%。去抖时间为20μs，触发后PWM三态，VR_READY拉低。
• 过压保护（OVP）：OVP阈值与VID相关，VID=0V时屏蔽。去抖时间为0.5μs，触发后PWM强制低电平。
• 欠压保护（UVP）：输出电压低于VID-650mV并持续3μs时触发，PWM三态，关断高侧和低侧开关。
• SPS/DrMOS故障检测：监测TMON信号，当电压拉至3.3V时检测到故障，阈值2.2V，去抖时间600ns。

5.6 NVM编程与地址设置

CXDC65257BE 提供多个功能设置用于性能调优和BOM优化。这些寄存器可通过I²C接口访问，并使用特定编程指令编程到NVM。NVM编程过程约需450ms，编程期间EN引脚应保持LOW状态。用户可通过ADDR引脚外接电阻设置I²C从地址，支持多个设备连接到单条I²C总线。

6. 基于CXDC65257BE的笔记本CPU供电设计实例

设计目标：一款IMVP9.3兼容的笔记本CPU供电方案，CORE VR采用5相Buck，GT VR采用2相Buck，SA VR采用1相Buck，ATOM VR采用1相Buck，输入电压12V，输出电压0V-1.52V可调。

• 系统配置：选用CXDC65257BE，VCC接5V。CORE VR使用5个SPS智能功率级+电感。GT VR使用2个SPS。SA VR使用1个SPS。ATOM VR使用1个SPS。SVID接口连接CPU，I²C接口连接EC。
• 参数设置：通过I²C接口配置ICCMAX、RLL、RIMON、KTON、SPM阈值等参数，通过NVM存储自定义配置。ADDR引脚外接电阻设置I²C从地址。
• 保护设计：UVLO、OVP、UVP、SOCP、SSOCP、SPS故障检测全面启用，TSEN_A/B/C/D连接SPS TMON引脚实现温度监测。
• PCB布局：输入电容靠近高侧MOSFET漏极和低侧MOSFET源极，功率回路最小化，电流检测采用Kelvin连接，高速开关节点远离敏感模拟区域。

7. PCB布局建议

• 输入电容：陶瓷输入电容尽可能靠近高侧MOSFET漏极和低侧MOSFET源极，最小化功率回路。
• 高电流路径：保持短而宽，特别是接地端子。
• 功率走线：保持短，这是实现高效率的关键。
• 电流检测：ISENxP和ISENxN采用Kelvin连接，确保电流检测精度。电流检测线必须以差分对形式从SPS布线到控制器，且在同一层。
• 高速开关节点：远离敏感模拟区域（COMP、FB、ISENxP、ISENxN等）。
• 散热：WQFN-52L 6x6封装，散热焊盘连接大面积地平面，多过孔散热。

8. 订购信息与技术支持

CXDC65257BE 采用 WQFN-52L 6x6 封装，无铅、RoHS合规，无卤素。产品型号命名规则：CXDC65257BE + 封装类型（N：WQFN-52L 6x6）+ 包装（A：标准）+ 配置代码。嘉泰姆电子提供工程样品、量产芯片及全面的技术支持，包括评估板、参考设计和FAE现场支持。