CXDC65252LE IMVP9.1兼容CPU电源控制器
G-NAVP™ | 4/3/2/1相GTUS VR + 2/1相VCCSA VR | AQR快速响应 | 0.5% DAC精度

产品版本：Rev 1.0 | 更新日期：2026年4月 | 型号：CXDC65252LE | 封装：WQFN-52L 6x6

嘉泰姆电子（JTM-IC）推出的 CXDC65252LE 是一款同步Buck控制器，支持两路输出轨，完全满足 Intel IMVP9.1 规范要求。CXDC65252LE采用 G-NAVP™（Green Native AVP） 拓扑，这是基于有限直流增益误差放大器与电流模式控制的专有技术，使其能够轻松设置droop以满足Intel CPU的所有AVP（自适应电压定位）要求。基于G-NAVP™拓扑，CXDC65252LE具备新一代 自适应快速响应机制（Adaptive Quick Response，AQR），在负载瞬态期间优化AVP性能并减少输出电容。芯片集成 高精度ADC 用于平台和功能设置，如ICCMAX、开关频率或AQR触发电平。CXDC65252LE提供VR就绪和温度指示，并具备完整的故障保护功能，包括过压（OV）、欠压（UV）、过流（OC）和欠压锁定（UVLO）。

1. 产品概述与市场定位

在笔记本电脑和台式机中，CPU供电需要高精度、高效率且满足Intel IMVP9.1规范的电源管理方案。CXDC65252LE 作为一款IMVP9.1兼容的CPU电源控制器，其核心价值在于将 多相GTUS VR控制、多相VCCSA VR控制、SVID通信 和 高精度ADC 集成于单一芯片，显著简化CPU供电设计。

CXDC65252LE 采用 G-NAVP™拓扑，这是基于有限直流增益误差放大器与电流模式控制的专有技术，使droop设置变得简单。G-NAVP™拓扑能够实现简便的负载线设计，并提供高直流精度和快速瞬态响应。芯片支持 Adaptive Quick Response（AQR） 机制，在负载上升沿检测时允许所有PWM同时导通，优化瞬态响应。CXDC65252LE 还支持 Anti-Overshoot（ANTI-OVS） 功能，抑制负载下降沿的输出电压过冲。芯片支持 二极管仿真模式（DEM），提高轻载效率，并支持 Acoustic Noise Suppression 功能，降低MLCC压电效应引起的音频噪声。

2. 主要特点与技术亮点

• Intel IMVP9.1兼容：满足Intel IMVP9.1串行VID接口规范，支持GTUS和VCCSA双路输出。
• 4/3/2/1相GTUS VR：支持多相操作，可根据负载动态调整相数。
• 2/1相VCCSA VR：独立多相Buck控制器，支持外部驱动器。
• G-NAVP™拓扑：有限直流增益补偿器与电流模式控制，轻松设置AVP，满足Intel负载线要求。
• 自适应快速响应（AQR）：新一代快速响应机制，检测负载上升沿并自适应调整PWM脉宽，减少输出电容。
• Anti-Overshoot（ANTI-OVS）：检测负载下降沿，强制PWM三态直到零电流检测，抑制过冲。
• 0.5% DAC精度：高精度DAC，输出电压范围0V至1.52V（VID1）或0V至2.74V（VID2），支持可切换VID表。
• 差分远端电压检测：消除PCB走线、CPU内部走线和插座接触电阻的影响。
• 内置ADC：用于平台设置，如ICCMAX、开关频率、AQR触发电平等。
• 精确电流平衡：内部电流平衡机制，确保各相电流均衡。
• 二极管仿真模式：轻载条件下DEM操作，提高轻载效率。
• Acoustic Noise Suppression：降低MLCC压电效应引起的音频噪声。
• 零负载线支持：支持零负载线功能，通过AC-droop有效抑制负载瞬态回铃。
• 支持RT9637相位倍增器：GTUS轨最多支持6相操作（可选）。
• 支持SPS应用：兼容智能功率级（可选）。
• 焊接良好检测：SET1引脚连接5V并拉高VRON，若焊接良好，两路输出均为非零VBOOT。
• 地址支持：支持地址03和02。
• 全面保护：OVP、OCP、UVP，带保护标志输出。
• WQFN-52L封装：6x6mm紧凑封装，RoHS合规，无卤素。

3. 典型应用电路

CXDC65252LE的典型应用电路包含：VCC供电，GTUS VR连接4相功率级（通过RT9610C等驱动器+MOSFET+电感），VCCSA VR连接2相功率级，SVID接口连接CPU（VR_READY、VR_HOT、VCLK、VDIO、ALERT），电流检测采用电感DCR或检测电阻，差分远端检测连接VCC_SENSE和VSS_SENSE，IMON/IMONA/IMON_AUX电流监测输出，以及各种设置引脚（SET1-SET4、TSEN、TSENA、VREF、VREF_SPS等）。

图2. 典型应用电路

引脚封装图

4. 极限参数与电气特性（设计参考）

5. 工作原理与设计指导

5.1 G-NAVP™控制模式

CXDC65252LE 采用 G-NAVP™控制模式，这是基于电流模式恒定导通时间控制，具有有限直流增益误差放大器和直流偏移消除。该拓扑可实现简便的负载线设计，提供高直流精度和快速瞬态响应。当检测到的电流信号达到检测电压信号时，CXDC65252LE产生PWM脉冲以实现环路调制。

5.2 SVID接口与动态VID

CXDC65252LE 内置 SVID接口，接收或发送SVID信号与CPU通信。控制逻辑执行命令（读写寄存器、setVID、setPS）并发送相关信号控制VR。支持动态VID增强功能，通过DVID_LIFT电流从FB引脚内部吸收，产生DVID补偿，减少droop效应，使输出电压更快稳定到目标值。

5.3 工作模式转换

CXDC65252LE 支持多种工作模式转换，包括PS0（全相CCM）、PS1（单相CCM）、PS2（单相DEM）。通过SetPS命令切换，优化不同负载条件下的效率。GTUS VR支持4/3/2/1相操作，VCCSA VR支持2/1相操作。

5.4 电流检测与平衡

CXDC65252LE 支持 电感DCR电流检测。每相电流检测信号用于负载线控制、电流报告、电流平衡和零电流检测。总电流检测方法只需一个NTC电阻进行温度补偿，节省NTC电阻成本。外部低通滤波器Rx1和Cx重建电流信号，时间常数Rx1×Cx应匹配电感时间常数Lx/DCR。

5.5 保护功能

• 过压保护（OVP）：OVP阈值与VID相关，VID=0V时屏蔽。当VID从0V上升至稳定期间，OVP阈值为2.45V；其他情况OVP阈值=VID+350mV（VID>1.0V）或1.35V（VID≤1.0V）。触发后VR_READY拉低，PWM强制低电平。
• 欠压保护（UVP）：输出电压低于VID-650mV并持续3μs时触发，所有PWM三态，关断高侧和低侧MOSFET。
• 过流保护（OCP）：SUM OCP阈值通过VIMON和ICCMAX设置，PS0时KSOCP=1.3（ICCMAX≥40A）或1.6（ICCMAX<40A）。触发后VR_READY拉低，PWM三态，VREF强制为2V。
• 欠压锁定（UVLO）：VCC低于4.2V时触发，关断控制器。

5.6 温度监测与指示

TSEN/TSENA引脚处理PIN-SETTING（功能设置）和热监测两种功能。上电后TSEN有三种工作模式：PIN-SETTING、Pre-Thermal Sense和Thermal Sense。热监测模式下，TSEN电压=0.6V×R2/(R1+R2)+80μA×[(R1//R2)+R3]。当TSEN电压低于1.105V时，VR_HOT拉低指示热报警。

5.7 系统输入功率监测（PSYS）

CXDC65252LE 提供PSYS功能，监测整个平台系统功率并通过SVID接口报告给CPU。PSYS表测量系统输入电流并输出比例电流信号IPSYS，RPSYS设计使最大PSYS时VPSYS=1.6V（满量程FFh数字码）。

6. 基于CXDC65252LE的笔记本CPU供电设计实例

设计目标：一款IMVP9.1兼容的笔记本CPU供电方案，GTUS VR采用4相Buck，VCCSA VR采用2相Buck，输入电压12V，输出电压0V-1.52V（VID1）可调，最大电流160A（GTUS）+50A（VCCSA）。

• 系统配置：选用CXDC65252LE，VCC接5V。GTUS VR使用4个RT9610C驱动器+MOSFET+电感。VCCSA VR使用2个RT9610C驱动器+MOSFET+电感。SVID接口连接CPU，VR_READY、VR_HOT、VCLK、VDIO、ALERT信号正确连接。
• 参数设置：SET1设置VBOOT和ICCMAX，SET2设置VBOOT_A、VIDT和kTON，SET3设置UDS和DVID补偿，SET4设置DBLR和kTON_A，TSEN/TSENA设置Ai和AQR_TH，VREF连接0.47μF+3.9Ω到地，VREF_SPS连接0.22μF到地。
• 保护设计：OVP、OCP、UVP、UVLO全面启用，TSEN/TSENA连接NTC热敏电阻实现温度监测和补偿。
• PCB布局：输入电容靠近高侧MOSFET漏极和低侧MOSFET源极，功率回路最小化，电流检测采用Kelvin连接，高速开关节点远离敏感模拟区域。

7. PCB布局建议

• 输入电容：陶瓷输入电容尽可能靠近高侧MOSFET漏极和低侧MOSFET源极，最小化功率回路。
• 高电流路径：保持短而宽，特别是接地端子。
• 功率走线：保持短，这是实现高效率的关键。
• 电流检测：ISENxP和ISENxN采用Kelvin连接，确保电流检测精度。电流检测线必须以差分对形式从电感布线到控制器，且在同一层。
• 高速开关节点：远离敏感模拟区域（COMP、FB、ISENxP、ISENxN等）。
• 散热：WQFN-52L 6x6封装，散热焊盘连接大面积地平面，多过孔散热。

8. 订购信息与技术支持

CXDC65252LE 采用 WQFN-52L 6x6 封装，无铅、RoHS合规，无卤素。产品型号命名规则：CXDC65252LE + 封装类型（QW：WQFN-52L 6x6）+ 铅镀层（G：绿色）。嘉泰姆电子提供工程样品、量产芯片及全面的技术支持，包括评估板、参考设计和FAE现场支持。