CXDC65230S 工业/汽车PMIC
400mA HV降压转换器 + 200mA LDO | AEC-Q100 Grade 1 | WQFN-16L 3×3

产品版本：Rev 1.0 | 更新日期：2026年8月 | 型号：CXDC65230S | 封装：WQFN-16L 3×3

嘉泰姆电子（JTM-IC）推出的 CXDC65230S 是一款高度集成的低功耗高性能PMIC（电源管理IC），专为工业与汽车应用设计。该器件集成了一路400mA高压同步降压DC-DC转换器和一路200mA低压差LDO，所有功率MOSFET和补偿网络均内置，极大简化了外部电路设计。

HV降压转换器支持4.5V至15V宽输入电压，输出可调（2.7V-5V），采用峰值电流模式控制，固定2MHz开关频率，可有效降低EMI并减小外部元件尺寸。LDO支持2.7V-5.5V输入，输出可调（1V-3.6V），为传感器或低噪声模拟电路提供干净电源。芯片符合AEC-Q100 Grade 1标准（-40°C至125°C环境温度），采用WQFN-16L 3×3封装，是汽车摄像头、座舱系统及工业分布式电源方案的理想选择。

1. 产品概述与市场定位

汽车和工业应用对电源管理方案有严苛要求：宽输入电压适应（12V电池或工业总线）、高效率、低EMI、高可靠性（AEC-Q100）、小尺寸。CXDC65230S作为一款高度集成的低功耗PMIC，以极小的封装提供了完整的电源轨：一路高压降压转换器（用于传感器、处理器或I/O供电）和一路LDO（用于低噪声模拟电路供电），单芯片解决多种供电需求。

芯片采用峰值电流模式PWM控制，固定2MHz开关频率，配合内部补偿网络，无需外部补偿元件即可稳定工作。内置逐周期过流保护、输入欠压锁定（UVLO）、输出欠压保护（UVP）、过压保护（OVP）和过温保护（OTP），确保系统安全可靠。CXDC65230S已通过AEC-Q100 Grade 1认证，适用于严苛的车载和工业环境。

2. 主要特点与技术亮点

• HV降压转换器：4.5V-15V输入，可调输出（2.7V-5V），400mA输出电流，集成330mΩ/150mΩ功率MOSFET。
• LDO：2.7V-5.5V输入，可调输出（1V-3.6V），200mA输出电流，低 dropout电压。
• 峰值电流模式控制：内置补偿网络，无需外部补偿元件，简化设计。
• 固定2MHz开关频率：减小外部电感/电容尺寸，优化EMI性能。
• EN使能控制：支持外部逻辑控制，内部100kΩ下拉电阻。
• Power Good指示：开漏输出，20ms延迟，监控系统状态。
• 保护机制：逐周期过流保护（OCP）、输入欠压锁定（UVLO）、输出欠压保护（UVP）、输出过压保护（OVP）、过温保护（OTP），其中UVP/OCP为打嗝模式自动恢复。
• 预稳压器：内部4.45V线性稳压器（VDDA），为内部控制电路供电，不可外接负载。

3. 技术参数与电气特性

4. 应用场景

• 汽车系统：摄像头模块、座舱系统、网联汽车系统。
• 工业应用：分布式电源系统中的负载点（POL）调节器。
• 数字机顶盒：为SoC和外围电路供电。
• 宽带通信：为通信模块提供稳压电源。

5. 功能框图

6. 典型应用电路

图2. CXDC65230S 典型应用电路

典型应用电路包括：VIN输入电容（4.7μF/50V + 0.1μF），HV-Buck输出可调（FB1电阻分压），LDO输出可调（FB2电阻分压），输出电容（Buck 10μF，LDO 2.2μF），VDDA去耦电容（1μF），EN使能控制，PGOOD上拉电阻（4.7kΩ）等。建议电感值10μH-15μH。

7. 引脚配置与功能描述

主要引脚包括：VIN（HV-Buck输入）、LX1（开关节点）、FB1（HV-Buck反馈）、VOUT1S（OVP检测）、PVD2（LDO输入）、VOUT2（LDO输出）、FB2（LDO反馈）、ENA（使能）、PGOOD（电源正常指示）、VDDA（内部预稳压输出）、AGND（模拟地）、PGND（功率地/散热焊盘）等。

8. 工作原理与设计指导

8.1 峰值电流模式控制

HV降压转换器采用峰值电流模式PWM控制。内部时钟在每个周期开始时开启高侧MOSFET，电感电流上升。电感电流在每个周期内部监测，输出电压通过FB1引脚经电阻分压采样，与内部基准比较。当电感电流达到阈值时，高侧MOSFET关断，低侧MOSFET导通，电感电流下降。此循环在每个时钟周期重复，通过调节电感电流来控制占空比和输出电压。

8.2 使能控制（ENA）

ENA引脚用于外部使能控制。当ENA电压低于逻辑低阈值（<0.5V）时，器件进入关断模式，供电电流降至7μA（典型值）。当ENA电压高于逻辑高阈值（>2V）且VIN高于UVLO阈值时，器件开启，启动软启动序列。ENA引脚内置100kΩ下拉电阻。

8.3 预稳压器（VDDA）

芯片内部集成4.45V线性预稳压器（VDDA），由VIN供电，为内部控制电路提供电源。VDDA引脚不可外接负载，需外接1μF X7R陶瓷电容到AGND进行去耦。

8.4 保护功能

• 输入欠压锁定（UVLO）：VIN低于3.9V时关闭所有通道，上升至4.0V恢复。
• 输入过压保护（OVP）：VIN超过15.5V持续5ms后关闭所有通道，电压降至13.5V以下自动恢复。
• 输出欠压保护（UVP）：FB电压低于基准50%（Buck）或40%（LDO）时，关闭所有通道，打嗝模式自动恢复。
• 输出过压保护（OVP）：Buck输出超过5.5V时关闭所有通道，打嗝模式自动恢复。
• 过流保护（OCP）：逐周期监测电感峰值电流（Buck 0.6A，LDO 0.3A），持续4ms后关闭所有通道，锁存模式需EN复位。
• 过温保护（OTP）：结温超过160°C时关闭所有通道，降至140°C以下且EN为高时自动恢复。

8.5 Power Good（PGOOD）

PGOOD为开漏输出，需外接上拉电阻。当LDO输出达到目标电压90%后，PMU开始计数20ms，然后拉高PGOOD，直至ENA拉低或触发保护。建议使用4.7kΩ上拉电阻。

8.6 上电/断电时序

上电时序：HV-Buck（CH1）先开启，随后LDO（CH2）开启。断电时序遵循先开后关原则（CH2先关，CH1后关）。异常关断时所有通道同时关闭，需将ENA拉低复位后重新拉高才能再次开启。

9. 输出电压设置

• HV-Buck（CH1）：V_OUT1 = 0.8V × (1 + R_FB11 / R_FB12)，R_FB11建议10k-500kΩ。
• LDO（CH2）：V_OUT2 = 0.8V × (1 + R_FB21 / R_FB22)，R_FB21建议5k-500kΩ。

10. 外部元件选型与布局建议

10.1 电感选择

建议电感值10μH-15μH（如Cyntec VCHA075D-100MS6或VCMT063T-150MN5），饱和电流需大于峰值电流限（0.6A）。

10.2 输入/输出电容

• HV-Buck输入：4.7μF/50V X7R + 0.1μF/50V X7R。
• HV-Buck输出：10μF/25V X7R。
• LDO输入：10μF/10V X7R。
• LDO输出：2.2μF/25V X7R。
• VDDA：1μF/50V X7R。

10.3 PCB布局

• 建议四层或六层PCB，大面积地平面。
• 主电流路径走线宽而短。
• 输入去耦电容（C3）尽可能靠近VIN引脚。
• VDDA去耦电容靠近VDDA引脚。
• LX1节点铜皮面积尽量小，降低耦合噪声。
• 反馈网络靠近FB引脚，走线远离噪声源。
• 散热焊盘焊接至大面积PGND平面，多过孔散热。

11. 热性能信息

最大功耗计算（T_A=25°C）：P_D(MAX) = (150°C - 25°C) / (30°C/W) = 4.17W

12. 订购信息与技术支持

CXDC65230S采用WQFN-16L 3×3封装，无铅、RoHS合规，符合AEC-Q100 Grade 1。嘉泰姆电子提供工程样品、量产芯片及全面的技术支持，包括评估板、参考设计和FAE现场支持。