
CXDC65217 SSD多通道PMIC | 4路降压+2路LDO | 可编程输出 | I²C控制 | 8个GPIO - 嘉泰姆电子
| 产品型号: | CXDC65217 |
| 产品类型: | DC-DC转换器 |
| 产品系列: | 整合型电源管理 IC车用 |
| 产品状态: | 量产 |
| 浏览次数: | 4 次 |
产品简介
技术参数
| 输入电压范围 (VIN) | 2.7V~3.7V |
|---|---|
| 输出电压 (VOUT) | 2.5~82V |
| 输出电流 (IOUT) | 4.5A |
| 工作频率 | 1000kHz |
| 转换效率 | 95% |
| 封装类型 | WL-CSP2.66x2.70-36(BSC) |
| Topology | 整合型电源管理 IC车用 |
| Control method | PWM/PFM |
| Protection | 过流/过压/过温 |
| Features | ACOT Control;Adjustable Current Limit;Adjustable Soft-Start;Cycle-by-Cycle Current Limit;Diode Emulation Mode;Enable Input;I2C;OCP;OVP;Power Good;Stable with Ceramic Capacitor;UVP |
| Application | SSD |
| Operating temp | -40℃~125℃ |
| Precision | ±1% |
| Number of Channels | 6 |
| Number of Buck Converters | 4 |
| Number of LDO Regulators | 2 |
产品详细介绍
CXDC65217 SSD多通道电源管理单元(PMIC)
4路同步降压(4A/2A/4A/2A)+ 2路LDO(400mA)| 2.7V-3.7V输入 | I²C控制 | 8个GPIO
产品版本:Rev 1.0 | 更新日期:2026年7月 | 型号:CXDC65217 | 封装:WL-CSP-36B 2.66×2.70 (BSC)
技术咨询:ouamo18@jtm-ic.com 或致电 13823140578 (嘉泰姆电子)
嘉泰姆电子(JTM-IC)推出的 CXDC65217 是一款高度集成的SSD多通道电源管理单元(PMIC),专为 固态硬盘(SSD) 等应用设计。该芯片集成了 4 路高效同步降压转换器(Buck) 和 2 路低压差线性稳压器(LDO),为SSD控制器、NAND闪存和外围电路提供完整的电源解决方案。CXDC65217 通过 I²C 接口 可灵活配置各通道输出电压、上电时序和开关频率,支持 400kHz / 1MHz / 3.4MHz 的I²C通信速率。芯片输入电压范围 2.7V 至 3.7V,Buck1 最大输出电流 4A(1.7V-2.9V,20mV/步进),Buck2 最大 2A(0.9V-2.0V,10mV/步进),Buck3 最大 4A(0.5V-1.3V,10mV/步进),Buck4 最大 2A(0.9V-2.0V,10mV/步进),LDO1/2 每路最大 400mA(1.0V-2.7V,50mV/步进)。CXDC65217 提供 8 个可配置 GPIO,支持 PWRDIS、睡眠模式、深度睡眠模式、Buck1/2 使能控制、外部使能信号等多种功能。芯片内置 非易失寄存器(EFUSE) 配置,支持 ±1.5% 反馈电压精度(全温度范围),并提供 OVP/UVP/OCP/OTP 等完善保护。CXDC65217 采用超小型 WL-CSP-36B 2.66×2.70mm 封装,是 SSD、固态硬盘等对尺寸和性能有严苛要求的理想电源管理方案。
1. 产品概述与市场定位
在固态硬盘(SSD)等存储设备中,系统需要多路高精度、大电流的电源轨,以供电给主控芯片、NAND闪存、DRAM缓存和外围电路,同时对 PCB 面积和电源性能有极高要求。CXDC65217 作为一款 专为SSD设计的6通道PMIC,其核心优势在于 单芯片集成4路降压转换器和2路LDO,覆盖了从 2.7V-3.7V 输入到各子系统所需的所有电压域,大幅简化了系统电源设计,显著减少了 PCB 占板面积。芯片内置的 ACOT(先进恒定导通时间) 控制架构保证了快速的负载瞬态响应和优异的轻载效率。
CXDC65217 的 Buck1 可配置为负载开关(PLSW)或降压转换器,输出 1.7V-2.9V(20mV步进),最大 4A,适合为SSD主控供电。Buck2 输出 0.9V-2.0V(10mV步进),最大 2A,适合为NAND I/O供电。Buck3 输出 0.5V-1.3V(10mV步进),最大 4A,适合为NAND核心供电。Buck4 可配置为LDO或降压转换器,输出 0.9V-2.0V(10mV步进),最大 2A。LDO1/2 输出 1.0V-2.7V(50mV步进),每路 400mA,适合为外围模拟电路供电。8 个 GPIO 可配置为 PWRDIS、睡眠模式(PS3.5)、深度睡眠模式(PS4)、Buck1/2 使能控制、EXT_EN1/2 输入/输出等多种功能,提供极高的系统控制灵活性。非易失寄存器(EFUSE) 允许出厂配置定制,简化系统设计。CXDC65217 采用超小型 WL-CSP-36B 2.66×2.70mm 封装,是 SSD、固态硬盘等存储设备对尺寸和性能有严苛要求的理想电源管理方案。
2. 主要特点与技术亮点
- 高集成度:单芯片集成4路同步降压转换器和2路LDO,覆盖SSD所有电源轨需求,大幅减少PCB面积和外围元件数量。
- 灵活的电压编程:通过I²C接口独立设置各通道输出电压。Buck1(1.7V-2.9V,20mV步进),Buck2(0.9V-2.0V,10mV步进),Buck3(0.5V-1.3V,10mV步进),Buck4(0.9V-2.0V,10mV步进),LDO1/2(1.0V-2.7V,50mV步进)。
- 可配置GPIO:8个GPIO支持多种功能——PWRDIS、睡眠模式(PS3.5)、深度睡眠模式(PS4)、Buck1/2使能控制、EXT_EN1/2_O输出、EXT_EN1/2_I输入、nIRQ、SYSMON等,提供极高的系统控制灵活性。
- 睡眠与深度睡眠模式:支持PS3.5(睡眠)和PS4(深度睡眠)两种低功耗模式,在睡眠状态下可配置各通道保持输出电压或进入低功耗模式(LPM),有效降低系统待机功耗。
- ACOT控制架构:先进恒定导通时间控制提供快速负载瞬态响应和优异的轻载效率,支持PSKIP、FPWM和LPM(低功耗模式)三种工作模式。
- 可配置非易失寄存器:内置EFUSE,允许出厂配置定制默认输出电压、时序和GPIO功能,简化系统设计和物料管理。
- 完善的保护机制:包括输入欠压锁定(UVLO,2.5V下降/2.6V上升)、输出过压保护(OVP,110% VREF)、欠压保护(UVP,BUCK 93%/85%可编程,LDO 84%)、逐周期过流保护(OCL)和过温保护(OTP,150°C关断,125°C恢复)。
- 超小封装:WL-CSP-36B 2.66×2.70mm封装,适合空间极度受限的SSD和便携设备。
3. 典型应用电路
CXDC65217 的典型应用电路包含:VIN输入(2.7V-3.7V,各Buck输入接10μF电容,LDO输入接2.2μF电容),Buck1/2/3/4各接0.47μH电感(B1/B3:HTTD32251B-R47MMR,B2/B4:HMMQ20161B-R47MDR),各通道输出接22μF电容。GPIO1为nRESET输出(上拉至VIN),GPIO2-8根据配置连接外部控制信号。I²C接口(SCL/SDA)连接主控。

图1. 典型应用电路(SSD多通道电源方案)
图2. CXDC65217 内部功能方框图
内部集成:4路同步降压转换器(BUCK1-4)、2路LDO(LDO1-2)、8个GPIO、I²C接口、时序控制逻辑、EFUSE非易失存储器、状态机(Off/Standby/Normal/Sleep1/Sleep2/Thermal Recovery/Recovery)、OVP/UVP/OCP/OTP保护电路、ACOT控制器、基准电压源等。
4. 极限参数与电气特性(设计参考)
| 符号 | 参数 | 最小值 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|
| VIN_B1/B2/B3/B4, AVIN, VIN_LDO1 | 输入电压 | -0.3 | 6 | V |
| SWx(DC) | 开关节点 | -0.3 | 6 | V |
| SWx(<10ns) | 开关节点瞬态 | -2.5 | 9.0 | V |
| 其他引脚 | 控制/GPIO引脚 | -0.3 | 6 | V |
| PD @ TA=25°C | 最大功耗 (WL-CSP-36B) | — | 3.5 | W |
| θJA | 结到环境热阻 | — | 28.56 | °C/W |
| TJ | 结温范围 | — | 150 | °C |
| TSTG | 存储温度 | -65 | 150 | °C |
| ESD (HBM) | 人体模型 | — | 2 | kV |
| 参数 | 最小值 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| 输入电压 VIN | 2.7 | 3.7 | V |
| VIN_LDO1(LDO模式) | 1.62 | 5.5 | V |
| 其他引脚 | 0 | 5.5 | V |
| 结温范围 | -40 | 125 | °C |
| 环境温度 | -40 | 85 | °C |
| 参数 | 条件 | 典型值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| AVIN UVLO 下降阈值 | — | 2.5 | V |
| AVIN UVLO 滞后 | — | 100 | mV |
| Buck1 输出电压范围 | I²C可编程,20mV步进 | 1.7 – 2.9 | V |
| Buck1 最大输出电流 | — | 4 | A |
| Buck2 输出电压范围 | I²C可编程,10mV步进 | 0.9 – 2.0 | V |
| Buck2 最大输出电流 | — | 2 | A |
| Buck3 输出电压范围 | I²C可编程,10mV步进 | 0.5 – 1.3 | V |
| Buck3 最大输出电流 | — | 4 | A |
| Buck4 输出电压范围 | I²C可编程,10mV步进 | 0.9 – 2.0 | V |
| Buck4 最大输出电流 | — | 2 | A |
| LDO1/2 输出电压范围 | I²C可编程,50mV步进 | 1.0 – 2.7 | V |
| LDO1/2 最大输出电流 | 每路 | 400 | mA |
| Buck1/2/3/4 反馈电压精度 | 全温度范围 | ±1.5 | % |
| LDO1/2 输出电压精度 | 全温度范围 | ±1.5 | % |
| Buck1/3 开关频率 | 可编程,默认2MHz | 2 | MHz |
| Buck2/4 开关频率 | 可编程,默认2MHz | 2 | MHz |
| Buck1 限流 | 可编程,默认5A | 5 | A |
| Buck3 限流 | 可编程,默认5A | 5 | A |
| OTP 关断温度 | — | 150 | °C |
| OTP 恢复温度 | — | 125 | °C |
| I²C 时钟频率 | 高速模式 | 3.4 | MHz |
5. 工作原理与设计指导
5.1 总体架构与状态机
CXDC65217 包含一个内部状态机,管理六种状态:Off(关断)、Standby(待机)、Normal(正常)、Sleep1(睡眠PS3.5)、Sleep2(深度睡眠PS4)、Thermal Recovery(热恢复)和Recovery(故障恢复)。当AVIN超过UVLO阈值(2.6V)后进入Standby状态,寄存器从EFUSE加载。AVIN超过SYSMON阈值(可编程2.725V-3.1V)后进入Normal状态,按预设时序上电。GPIO配置的Sleep1/Sleep2信号或I²C软件控制可进入睡眠模式,降低功耗。过温(150°C)或故障(UVP/OVP)触发相应恢复状态。
5.2 Buck转换器(ACOT控制)
所有Buck转换器采用 ACOT(Advanced Constant On-Time) 控制架构,提供快速瞬态响应和低静态电流(<35μA)。支持PSKIP、FPWM和LPM(低功耗模式)三种工作模式,通过I²C寄存器0x29和0x2B配置。开关频率可编程(1MHz-3MHz),默认2MHz。电流限流通过低侧MOSFET RDS(ON)谷值检测,可编程(4A-7A)。
5.3 LDO与可配置电源轨
LDO1/2输入1.62V-5.5V(LDO模式),输出1.0V-2.7V(50mV步进),每路400mA,内置限流和OVP/UVP保护。Buck1可通过GPIO2配置为PLSW(PMOS负载开关)或Buck模式;Buck4可通过GPIO4配置为Buck、LDO或PLSW模式;LDO1可通过GPIO4配置为LDO或PLSW模式;LDO2可通过GPIO6配置为LDO或PLSW模式。PLSW模式下输出电压等于输入电压,适用于低 dropout 应用。
5.4 GPIO配置与功能
8个GPIO提供丰富的系统控制功能:
- GPIO1(固定):nRESET输出,指示PMIC电源良好(PG)或故障(PBAD)。
- GPIO2:默认B1/B2 VSEL(B1电压选择:LSW/Buck2.5/Buck2.9;B2固定1.2V),可配置为General IO、nIRQ、Sleep1/2、B1/B2 EN/DIS、PWRDIS、EXT_EN1/2_I/O等。
- GPIO3:默认B3 VSEL(B3电压选择:0.83V/0.8V/0.85V,DVS选择:0.83V/0.75V/0.73V),同时影响B4/L1/L2的上电延迟。
- GPIO4:默认L1/B4 VSEL(L1:LDO1.8/PLSW/LDO1.8;B4:Buck1.1/LDO1.8/Buck1.2)。
- GPIO6:默认LDO2 MODE选择(LDO1.8/PLSW)。
- GPIO5/7/8:可配置为General IO、nIRQ、Sleep1/2、B1/B2 EN/DIS、PWRDIS、EXT_EN1/2_I/O、SYSMON等。
5.5 时序控制
各通道支持四类定时器:TIME_SLOT(上电时序槽位,0μs-7500μs,250μs步进)、ON_DLY(上电延时,0ms-8ms)、WAKE_UP_DLY(唤醒延时,0μs-8ms)、OFF_DLY(睡眠关断延时,0ms-8ms)。TIME_SLOT=0x00表示该通道禁用,不会上电。GPIO3的状态(H/Hi-Z/L)影响B3的默认电压和B4/L1/L2的延迟时间。上电时序示例:B4/L1/L2在0ms上电→B3在0.75ms上电→B1在3.0ms上电→B2在3.75ms上电。
5.6 保护机制
- AVIN UVLO:AVIN低于2.5V时芯片关断,高于2.6V恢复,滞后100mV。
- AVIN OVP:AVIN高于3.8V时所有通道关断,低于3.5V恢复。
- Buck UVP:输出电压低于设定值93%或85%(可编程)触发,所有通道关断并锁存。
- Buck OVP:输出电压高于设定值110%触发,所有通道关断并锁存。
- LDO UVP:输出电压低于设定值84%触发,所有通道关断并锁存。
- LDO OVP:输出电压高于设定值114%触发,所有通道关断并锁存。
- OCL:逐周期谷值电流检测,触发后低侧MOSFET保持导通直到电流降至限流值以下,不会锁存。
- OTP:结温超过150°C时所有通道关断,nRESET拉低;温度降至125°C以下后按上电时序恢复。
- 故障屏蔽:nRESET_MASK_REG可屏蔽指定通道的PBAD事件,防止nRESET误触发。
6. 基于 CXDC65217 的固态硬盘(SSD)电源设计实例
设计目标:一款M.2 2280固态硬盘,系统输入来自3.3V电源(2.7V-3.7V),需为主控芯片(1.8V/3A)、NAND闪存(VCCQ 1.2V/2A,VCC 0.8V/3A)、DRAM缓存(1.1V/1.5A)和外围电路(1.8V/0.3A,2.5V/0.2A)提供电源。
- 系统配置:选用 CXDC65217。Buck1配置为1.8V/4A(主控芯片),Buck2配置为1.2V/2A(NAND VCCQ),Buck3配置为0.8V/4A(NAND VCC,10mV步进精确控制),Buck4配置为1.1V/2A(DRAM缓存),LDO1配置为1.8V/400mA(外围I/O),LDO2配置为2.5V/400mA(外围模拟)。电感选择:B1/B3选用HTTD32251B-R47MMR(0.47μH),B2/B4选用HMMQ20161B-R47MDR(0.47μH)。输入电容各10μF,输出电容各22μF。
- GPIO配置:GPIO1(nRESET)上拉至VIN,连接主控复位输入。GPIO3设置为B3 VSEL,默认0.83V,深度睡眠时DVS至0.75V。GPIO7配置为PWRDIS(主控关机信号),GPIO5配置为nIRQ(中断输出)。
- 时序配置:通过I²C设置TIME_SLOT:B1=Slot3(0.5ms),B2=Slot4(0.75ms),B3=Slot1(0ms),B4=Slot2(0.25ms),LDO1=Slot5(1.0ms),LDO2=Slot6(1.25ms)。ON_DLY各设为0ms。确保上电时序满足主控和NAND的要求。
- 睡眠模式:主控进入睡眠时,GPIO7(PWRDIS)拉低,CXDC65217进入睡眠模式。SLEEP1_REG配置:B1/B2/B4/LDO1/LDO2关闭,B3保持输出电压(进入LPM),同时B3_DVS电压降至0.75V,最大限度降低功耗。
- 热设计:预估总功耗约1.5W(主要为B1和B3),θJA=28.56°C/W,在TA=60°C下结温约102.8°C,满足125°C推荐值。WL-CSP-36B超小封装需确保焊盘良好焊接至PCB,芯片下方地平面尽量大并多过孔散热。
7. PCB 布局与散热设计建议
- 输入/输出电容:各VIN引脚需就近放置低ESR陶瓷电容(VIN_B1/B2/B3/B4各10μF,VIN_LDO1 2.2μF)。各Buck输出电容22μF(B1/B3可用2×22μF),LDO输出电容2.2μF。
- 电感放置:各Buck电感应靠近SW引脚,走线宽而短,LX节点面积最小化以降低EMI。B1/B3选用0.47μH电感(3.2×2.5×1.2mm),B2/B4选用0.47μH电感(2×1.6×1.2mm)。
- 反馈走线:FB_B1/B2/B3/B4走线应远离LX节点,采用Kelvin连接从输出电容处引至芯片引脚。
- GPIO/I²C走线:GPIO和I²C信号走线远离功率路径,SCL/SDA需外接上拉电阻(建议2.2kΩ-10kΩ)。
- 地线设计:AGND和PGND应通过过孔连接至大面积地平面,WL-CSP封装主要通过焊球和PCB铜皮散热,建议芯片下方地平面面积尽量大并多过孔散热。
- 散热设计:根据θJA=28.56°C/W,在TA=85°C时最大功耗约1.4W(TJ=125°C)。实际设计需计算总功耗,确保结温不超过125°C。增加铜皮面积和过孔可进一步降低热阻。
8. 订购信息与技术支持
CXDC65217 采用 WL-CSP-36B 2.66×2.70 (BSC) 封装,无铅、RoHS合规。嘉泰姆电子提供工程样品、量产芯片及全面的技术支持,包括评估板、参考设计和 FAE 现场支持。
技术邮件:ouamo18@jtm-ic.com | 技术热线:13823140578

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