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CXMD3261是一种DC/DC降压同步，具有四个电流限制引脚，适用于许多多输出应用。它的设计允许在9V到40V的宽电源电压范围内运行。它有高侧和低侧驱动器，允许使用两个外部电源NMO进行同步配置。该集成电路可以在恒流（CC）和恒压（CV）两种模式下工作。CXMD3261作为一个DC-DC降压控制器工作，在恒定电流（CV）从1.2V到28V、输出电流高达10A或以上时提供广泛的输出。它有一个恒流（CC）模式，这样输出电流可以在外部设置，精度为+/-7%。电流模式控制和外部补偿使反馈控制具有良好的线性和负载调节能力，外部设计灵活。四个独立负载有四个独立的电流限制控制引脚。每个电流限值都可以通过一个100毫伏的电阻（RCS）设置。当然，输出峰值电流限值在正常运行时起作用

车辆识别号：9V至40V
电压：1.2V至28V；典型电压为5V
•CC/CV模式控制
提高轻载效率的PFM模式
•4输出电流精度OCP：可调限流保护
出现OCP/SCP时的突发模式
l保护
NMOS峰值电流限制：精度：~10%
输出短路保护：将输入电流降低至小于20mA（RMS）OVP（输出过压保护）输出FB短路保护温度关闭（OTP）
可调输出电缆电阻补偿
负荷：0~97%
开关频率：100kHz至300KHz
集成MOSFET驱动器
•QFN20包
车辆识别号：9V至40V
电压：1.2V至28V；典型电压为5V
•CC/CV模式控制
提高轻载效率的PFM模式
•4输出电流精度OCP：可调限流保护
出现OCP/SCP时的突发模式
l保护
NMOS峰值电流限制：精度：~10%
输出短路保护：将输入电流降低至小于20mA（RMS）OVP（输出过压保护）输出FB短路保护温度关闭（OTP）
可调输出电缆电阻补偿
负荷：0~97%
开关频率：100kHz至300KHz
集成MOSFET驱动器

CXPU3358是一种低压三端可调并联调节器，具有保证的热特性适用温度范围内的稳定性。输出电压可以设置为VREF之间的任何值（约1.24 V）至8 V，带两个外部电阻器。该装置的典型输出阻抗为0.30Ω。有源输出电路提供非常灵敏的导通特性，使该设备性能优异
在许多应用中替代齐纳二极管。提供非常锐利的开启特性，使这种器件在许多应用中是齐纳二极管的极好替代品。
低压运行（1.24V）
可调输出电压V0=VREF至8V
宽工作电流范围60ìA至100毫安
低动态输出阻抗0.30Ω（典型值）
将带隙设计降低到+0.5%。

CXSD2209 CXSD2210单片 CMOS 集成电路。
烟雾检测电路，用于烟雾检测系统。
封装形式为 16 引线双列直插
电源电压范围宽：6V－12V。
工作温度范围：－10－60℃。
平均电源电流： 12uA。
上电复位后电路即进入待机状态。
各引出脚都具有 ESD 和 Latch Up 保护电路。
应用时可使用电池作电源。

CXPC2301是一款基于电力线网络的调制解调通讯 SoC 芯片，调制方式为 BPSK/DSSS；具有多频点、多速率的特点；支持信号的自适应接收；内嵌 MCU 核，支持网 络协议；兼容 EIA709.2 和 DL/T-645。 可应用于低压电力线载波远程自动抄表（AMR），智能家居控制，远程路灯监控，工业控制等应用中。
 全集成的电力线载波通讯 SoC 芯片 
全集成的模拟前端： 
12bit ADC 和 DAC（采样频率位 5MHz） 
片内集成模拟高性能的高通和低通滤波器 
66dB 增益可调的低噪声自动增益控制模块 
输入灵敏度 5uV 
高性能发射器 
高性能嵌入式 DSP，特点包括： 
4个子载波：131.58k/263.16k/312.5k/416.67kHz 
BPSK，DSSS-15，DSSS-63 可编程调制 
三种通讯速率: 5.48kbps/783bps(15 DSSS)/87bps(63 DSSS) 
自适应接收技术和冗余发送技术 
支持过零点传输 
RS 纠错编解码和支持 CRC16 校验 
全兼容 EIA709.2 和 DL/T-645 
片上集成嵌入式 MCU 核
高性能 MCU 核 
4k字节SRAM 
28k 字节 Flash 存储器 
片上外设： 
主机控制器UART 接口--- SoC 模式 
SPI 外部控制接口--- Device 模式 
高速 flash 存储器接口，用于程序代码的烧入 
看门狗定时器 
5V 单电源供电，片内集成 1.8V 的线性稳压器为数字核心电路供电 
芯片工作温度范围：-40oC~85 oC 
LQFP32 封装

CXPC2302C是一种双向继电器驱动电路，用于控制磁闭锁继电器，具有输出容量大、功耗极低的特点。它可广泛应用于智能仪表等脉冲、电平控制应用。CXPC2302C可提供300毫安的典型驱动电流，根据继电器线圈电阻的不同而不同。CXPC2302Cis 3V的输入高电平阈值；它可以与大多数单片机兼容。CXPC2302Cis提供于SOP-8包装
5至36V输入电压范围
Ø低功耗（IQ<1uA）
Ø输入高电平阈值：3V，与大多数单单片机
Ø典型驱动电流：300毫安
Rds（开）=15欧姆（Vin=12伏，PMOSFET+NMOSFET）
Rds（开）=10欧姆（车辆识别号=20伏，PMOSFET+NMOSFET）
Ø峰值驱动电流：500毫安@车辆识别号=24伏
Ø环境温度：-40℃~85℃

CXPC2302F

CXPS4259是一款只有 100mΩ 导通内阻，应用于 USB 供 电的电源开关电路。内置电荷泵升压来驱动 NMOS 功率管， 当处于关断状态时通过寄生的反向体二极管来消除开关的反 向导通电流。低的静态功耗（23μA）和小封装（SOT-23-5） 特别适合电池供电的便携式设备使用。 保护电路包括防止上电过程中的涌入电流的软启电路， 1.1A 过流保护电路是 USB 电源必须的，内置热关断保护电 路以及短路保护电路
 输入电压：2.2V 到 6V
 导通内阻：100mΩ（典型值）
 1.1A 过流保护电路
 静态电流：23μA
 软启电路
 过热保护和短路保护
 微型封装

CXNP5402

CXNP5402A

CXNP5403

CXPP5445

CXMS5105是用于DC-DC变换器或负载开关应用的N和P通道增强型场效应晶体管，采用先进的沟道技术和设计，以提供低栅极电荷的出色的RD（ON）。标准产品CXMS5105不含铅。
超高密度极低Rds电池设计（开）卓越的导通电阻和最大直流电流能力

CXMS5109是N沟道和P沟道增强MOS场效应晶体管，作为DC-DC转换器或电平变换应用的单个封装，采用先进的沟道技术和设计，以提供低栅极电荷的优秀RDS（ON）。标准产品CXMS5109不含铅和卤素。
沟槽技术
超高密度电池设计
优良的电阻
•极低阈值电压

CXMS5115-CXMS5115B是N沟道增强MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，以低栅极电荷提供优秀的RDS（ON）。该装置适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。
沟槽技术
超高密度电池设计
对更高直流电流具有优异的导通电阻
•极低阈值电压

功率MOSFET和肖特基二极管CXMS5157，有MOSFET和肖特基二极管每个器件都有独立的引脚，便于电路设计超低VF肖特基

CXMS5222 CXMS5222-N串联N沟道增强型场效应晶体管，采用高密度DMOS沟道技术制造，特别用于减小导通电阻。这种器件特别适合低压应用，并且在一个非常小的外形表面安装包中具有低功耗。超低导通电阻高密度电池设计

N通道增强模式功率MOSFET CXMS5246 CXMS5246K高功率和电流处理能力
● VDS = 60V,ID = 0.3A
RDS(ON) < 3Ω @ VGS=5V
RDS(ON) < 2Ω @ VGS=10V
ESD Rating：HBM 2300V
● High power and current handing capability
● Lead free product is acquired
● Surface mount package

CXMS5101是一款高性价比的大功率 MOS 管、IGBT 管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、欠压关断电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器中的驱动电路。
CXMS5101高端的工作电压可达 100V，Vcc 的电源电压范围宽 11V～30V，静态功耗低仅 4.5mA。该芯片具有闭锁功能防止输出功率管同时导通，输入通道HIN和LIN内建了一个 10K 下拉电阻，在输入悬空时使上、下功率 MOS 管处于关闭状态，输出结构采用半桥式达林顿管结构高端悬浮自举电源设计，耐压可达 100V
内建死区控制电路
电源电压欠压关断输出
自带闭锁功能，彻底杜绝上、下管输出同时导通
采用半桥达林顿管输出结构具有大电流栅极驱动能力
专用于无刷电机 N 沟道 MOS 管、IGBT 管栅极驱动
HIN 输入通道高电平有效，控制高端 HO 输出
LIN 输入通道高电平有效，控制低端 LO 输出

CXMS5103是一种基于P_SUB P_EPI工艺的高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器。浮动通道驱动器可独立驱动两个N通道功率MOSFET或IGBT，其工作电压高达600V。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，设计用于最小驱动器交叉传导。传播延迟被匹配以简化在高频应用中的使用。
完全工作至+600 V
3.3V逻辑兼容
dV/dt抗扰度±50v/nsec
为引导操作设计的浮动通道
栅极驱动电源范围为10 V至20 V
低压侧通道输出源/汇电流能力为300毫安/600毫安的紫外低辐射
独立的逻辑输入以适应所有拓扑
-5V负极Vs能力

CXMS5104是一款单通道高性价比的功率 MOSFET 管或大功率双极性晶体管门极或基极驱动专用芯片，内部集成了输入逻辑信号处理电路、SD 快速关断处理电路及大电流输出驱动电路，专用于电源转换器及电机控制器等的功率 MOSFET 管驱动器。
CXMS5104电源电压范围宽 3V～30V，静态功耗低仅 2mA，输出结构具有独立的源出电流 OUTD 端和吸入电流 OUTS 端引脚，可以用来独立地调节输入到 MOSFET 管 G 极的上升沿时间和下降沿时间。

The CXSD61035 is high efficiency, fixed frequency, Buck-Boost DC/DC converter that operates from input voltages above, below or equal to the output voltage. The devices are suitable for single lithium-ion, multicell alkaline or NiMH applications where the output voltage is within the battery voltage range.
The switching frequencies up to 1.5 MHz could be fixed by an external resistor. Also the oscillator could be synchronized to an external clock. The quiescent current is 1mA which maximizes the battery life in portable applications.
Other features include a 1µA shutdown, thermal
shutdown and current limit. The CXSD61035 is available in the 10-pin thermally enhanced MSOP package (or upon request).

CXSD6211 guarantees robustness with short-circuit protection, thermal protection,
start-up current run-away protection, and input under voltage lockout

CXSD6217是一款采用恒定频率、电流模式架构、双路输出的高效率同步DC/DC降压稳压器。该芯片具备可调输出电压型和固定输出电压型（1.2V、1.8V、3.3V）版本。内置PWM/PFM自动切换功能，在全负载范围内具有低纹波、高效率特性。内部开关频率高达1.2MHz，可采用小表面贴片型元件。100％占空比实现了低压2V操作，并延长了前级电池寿命。

CXPR7131系列产品是用于3节或者4节串联可充电锂电池保护的IC, 能够提供高精度过充电保护电压, 过放电电压保护 以及放电过电流保护。CXPR7131的过充电保护延时, 过放电保护延时和放电过电流1的延时可以通过外接电容调整。 CXPR7131具备宽温度工作范围和宽电压工作范围, 其特有的低电压模式兼容铁锂电池应用

CXPR7886设计用于保护电压敏感元件不受ESD的影响。出色的夹紧能力、低泄漏和快速响应时间为暴露于ESD的设计提供了一流的保护。本系列专门设计用于保护连接到数据和传输线的敏感元件免受ESD（静电放电）和EFT（电快速瞬变）引起的过电压的影响。

小包装
低箝位电压
低泄漏
高速接口超低电容（<1.0pF）
1.0GHz无插入损耗
响应时间<1ns
满足MSL 1要求
符合RoHS
IEC61000-4-2 4级ESD保护