CXMS5222 CXMS5222-N串联N沟道增强型场效应晶体管采用高密度DMOS沟道技术制造用于减小导通电阻适合低压应用在外形表面安装包中有低功耗超低导通电阻高密度电池设计

上传时间:2025-05-28 18:36:46 | 浏览次数:203 | 下载次数:1
CXMS5222 CXMS5222-N串联N沟道增强型场效应晶体管采用高密度DMOS沟道技术制造用于减小导通电阻适合低压应用在外形表面安装包中有低功耗超低导通电阻高密度电池设计
产品名称: CXMS5222 CXMS5222-N串联N沟道增强型场效应晶体管采用高密度DMOS沟道技术制造用于减小导通电阻适合低压应用在外形表面安装包中有低功耗超低导通电阻高密度电池设计
文件格式: PDF
文件语言: 简体中文
版权类型: 嘉泰姆
技术要求: http://www.jtm-ic.com/shop/power/SJMOSFET/2020-04-01/8082.html
文件类型: 产品文件
软件大小: 498 KB
文件等级: 5
上传用户: 嘉泰姆
作 者: 嘉泰姆
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DEMO演示: 在线演示
产品简介:
CXMS5222 CXMS5222-N串联N沟道增强型场效应晶体管,采用高密度DMOS沟道技术制造,特别用于减小导通电阻。这种器件特别适合低压应用,并且在一个非常小的外形表面安装包中具有低功耗。超低导通电阻高密度电池设计
下载地址:
[ CXMS5222 ]
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