产品名称：
CXMS5115低栅极电荷提供RDS（ON）N沟道增强MOS场效应晶体管采用沟槽技术和设计用于DC-DC转换电源开关和充电电路对更高直流电流有优异的导通电阻极低阈值电压
文件格式：
PDF
文件语言：
简体中文
版权类型：
嘉泰姆
技术要求：
http://www.jtm-ic.com/shop/power/SJMOSFET/2020-04-01/7972.html
文件类型：
产品文件
软件大小：
498 KB
文件等级：
5
上传用户：
嘉泰姆
作 者：
嘉泰姆
产品简介：
CXMS5115-CXMS5115B是N沟道增强MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，以低栅极电荷提供优秀的RDS（ON）。该装置适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。
沟槽技术
超高密度电池设计
对更高直流电流具有优异的导通电阻
•极低阈值电压
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