
CXDR75150A 高精度电池电流检测保护IC | 200倍增益 | 24V共模输入 | WDFN-8L - 嘉泰姆电子
| 产品型号: | CXDR75150A |
| 产品类型: | 电压检测/复位IC |
| 产品系列: | 监控与重置 IC电源监控与保护 IC |
| 产品状态: | 量产 |
| 浏览次数: | 11 次 |
产品简介
技术参数
| 输入电压范围 (VIN) | 5V~24V |
|---|---|
| 输出电压 (VOUT) | adj |
| 输出电流 (IOUT) | 500mA |
| 工作频率 | 1000kHz |
| 转换效率 | 95% |
| 封装类型 | WDFN2x2-8 |
| Detection voltage | 5V~24V |
| Detection accuracy | ±2% |
| Reset delay | 200ms |
| Output type | 监控与重置 IC电源监控与保护 IC |
| Detection direction | Adjustable Current Limit;Enable Input;OCP |
| Temperature range | -40℃~125℃ |
| Features | 低功耗/高精度 |
| Application | MCU复位/电压监控 |
| Power consumption | 1μA |
| Channel Number | 1 |
| Features | Adjustable Current Limit;Enable Input;OCP |
产品详细介绍
CXDR75150A 高精度电池电流检测保护IC
200倍增益 | 24V共模输入 | 可编程过流保护 | WDFN-8L 2×2
产品版本:Rev 1.0 | 更新日期:2026年8月 | 型号:CXDR75150A | 封装:WDFN-8L 2×2
技术咨询:ouamo18@jtm-ic.com 或致电 13823140578 (嘉泰姆电子)
嘉泰姆电子(JTM-IC)推出的 CXDR75150A 是一款专为电池输出电流检测和保护设计的高精度保护IC。该器件集成了200倍增益的电流检测放大器和一路通用电压比较器,为笔记本电脑等便携式设备提供精确的电池过流保护(OCP)和电压监测功能。
CXDR75150A支持高达24V的共模输入电压,适用于高侧电池电流检测应用。内部集成的200倍增益电流检测放大器将CSP和CSN引脚之间的差分电压放大后与BAT_REF引脚设定的阈值进行比较,当检测到过流时,FLAG开漏输出被拉低。芯片还提供一个独立的比较器,用于AC_REAL与AC_REF的电压比较,比较结果同样通过FLAG引脚输出。CXDR75150A工作电流仅200μA(典型值),关断电流低至5μA,采用WDFN-8L 2×2小封装,是便携式设备电池保护的理想选择。
1. 产品概述与市场定位
笔记本电脑和其他便携式设备对电池管理有严苛要求:需要精确监测电池输出电流以防止过载损坏,同时需要监测外部电源适配器的电压状态。CXDR75150A作为一款高精度电池电流检测保护IC,集成了200倍增益电流检测放大器和一路独立电压比较器,在一个芯片内实现了电池过流保护和外部电压监测双重功能,为系统提供全面的电池保护解决方案。
芯片采用高精度电流检测技术,通过外部mΩ级采样电阻监测电池输出电流,内部200倍增益放大器将差分电压放大后与BAT_REF引脚设定的参考电压比较,实现精确的过流检测。独立的AC_REAL与AC_REF电压比较器可用于监测外部适配器电压或其他系统电压状态。两种保护(或监测)结果均通过FLAG开漏输出引脚指示,简化系统设计。
CXDR75150A采用WDFN-8L 2×2超小封装,适用于笔记本电脑、平板电脑及其他便携式设备的电池电流检测与保护应用。
2. 主要特点与技术亮点
- 200倍增益电流检测:内部电流检测放大器提供200倍增益,将CSP-CSN差分电压放大后与BAT_REF阈值比较,实现高精度过流检测。
- 24V共模输入范围:支持5V至24V宽共模输入,适用于多种电池系统和电压监测应用。
- 可编程过流阈值:通过BAT_REF引脚外接电阻分压网络(0.4V-2V),可灵活设定过流保护触发点。
- 独立电压比较器:内置一路独立比较器,AC_REAL(同相输入端)与AC_REF(反相输入端)电压比较,结果通过FLAG输出。
- FLAG开漏输出:过流检测或电压比较触发时,FLAG引脚被拉低,需外接上拉电阻。
- 快速响应:过流检测响应时间典型值50μs,EN上升沿后3ms屏蔽时间防止误触发。
- 低功耗:VCC工作电流仅200μA(典型值),关断电流低至5μA,适合电池供电系统。
- EN使能控制:支持外部使能控制,便于系统功耗管理,关断模式下功耗极低。
3. 技术参数与电气特性
| 符号 | 参数 | 最小值 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|
| CSP, CSN | 电流检测输入电压 | -0.3 | 26 | V |
| VCC, BAT_REF, EN | 控制引脚电压 | -0.3 | 6 | V |
| AC_REAL, AC_REF | 比较器输入电压 | -0.3 | 6 | V |
| FLAG | 开漏输出引脚 | -0.3 | 6 | V |
| TJ | 结温 | -40 | 150 | °C |
| ESD (HBM) | 人体模型 | — | 2 | kV |
| 参数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|
| CSP/CSN 共模电压 | 4.5 | — | 24 | V |
| VCC 供电电压 | 4.5 | 5 | 5.5 | V |
| BAT_REF 电压范围 | 0.4 | — | 2 | V |
| 环境温度范围 | -40 | — | 85 | °C |
| 结温范围 | -40 | — | 125 | °C |
| 参数 | 条件 | 典型值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| CSP/CSN 输入电压范围 | — | 5~24 | V |
| CSP/CSN 输入电流 | VCC=5V,EN高 | 50 | μA |
| VCC 工作电流 | EN高 | 200 | μA |
| VCC 关断电流 | EN低 | 5 | μA |
| VCC POR 上升阈值 | — | 2.8~3.7 | V |
| EN 逻辑高阈值 | — | 0.7 | V |
| EN 逻辑低阈值 | — | 0.3 | V |
| 电流检测增益 | — | 200 | V/V |
| OCP 系统响应时间 | — | 50 | μs |
| FLAG 输出低电平 | IOL=2mA | 0.4 | V |
| FLAG 输出漏电流 | VOH=5.5V | 1 | μA |
| EN 上升沿屏蔽时间 | — | 3 | ms |
4. 应用场景
- 笔记本电脑:电池输出电流监测和过流保护。
- 平板电脑:电池放电电流检测和保护。
- 便携式设备:电池供电系统电流监测与保护。
- 电池管理系统(BMS):电池输出过流检测。
5. 功能框图
图1. CXDR75150A 内部功能方框图
内部集成:200倍增益电流检测放大器、电压比较器(AC_REAL vs AC_REF)、FLAG输出控制逻辑、EN使能控制、VCC POR等。
6. 典型应用电路

图2. CXDR75150A 典型应用电路(电池电流检测与保护)
典型应用电路包括:CSP/CSN引脚连接电池电流采样电阻(mΩ级,推荐1mΩ),VCC引脚连接5V供电(建议RC滤波:2.2Ω + 0.1μF),BAT_REF引脚通过电阻分压网络设定过流阈值(0.4V-2V),AC_REAL/AC_REF连接外部电压比较信号,FLAG开漏输出外接上拉电阻,EN引脚控制芯片使能(建议RC滤波:1kΩ + 0.1μF)。CSP与CSN之间建议并联0.1μF差模滤波电容。详细元件选型请参考数据手册。
7. 引脚配置与功能描述
图3. CXDR75150A 引脚配置图(WDFN-8L 2×2封装)
8引脚 WDFN 2×2封装,底部散热焊盘(Exposed Pad)。
主要引脚包括:VCC(电源输入)、EN(使能控制)、FLAG(开漏输出)、AC_REF(比较器反相输入)、AC_REAL(比较器同相输入)、BAT_REF(过流阈值设定)、CSN(电流检测负输入)、CSP(电流检测正输入)、Exposed Pad(地/散热焊盘)等。
8. 工作原理与设计指导
8.1 过流保护(OCP)
CXDR75150A内部集成了200倍增益的电流检测放大器。通过CSP和CSN引脚连接外部mΩ级电流采样电阻(推荐1mΩ),放大器将采样电阻上的差分电压放大200倍后,与BAT_REF引脚设定的阈值电压进行比较。当检测到的电流超过设定阈值时,FLAG开漏输出在50μs内被拉低,并保持低电平直至过流状态解除。
过流阈值计算公式:
ISENSE = BAT_REF / (200 × RSENSE)
其中RSENSE为外部电流采样电阻(推荐1mΩ),200为内部放大器增益。建议R1 + R2 = 100kΩ以降低功耗,BAT_REF电压范围为0.4V-2V。
8.2 AC_REAL与AC_REF电压比较
芯片内置一路独立电压比较器,AC_REAL为同相输入端,AC_REF为反相输入端。当AC_REAL电压高于AC_REF电压时,比较器输出触发,FLAG引脚被拉低。该比较器可用于监测外部适配器电压、系统电压或其他需要比较的模拟信号。
8.3 FLAG输出
FLAG为开漏输出,需外接上拉电阻至VCC或其他参考电压。当过流检测触发或AC_REAL > AC_REF时,FLAG被拉低。两种触发条件中任何一种满足时FLAG即被拉低,系统可根据需要判断具体触发源。
8.4 使能控制(EN)
EN引脚用于控制芯片的使能和关断。当EN为逻辑高电平(>0.7V)时,芯片正常工作;当EN为逻辑低电平(<0.3V)时,芯片进入关断模式,VCC关断电流低至5μA,适用于系统S3/S4/S5低功耗状态。EN上升沿后,芯片有约3ms的屏蔽时间以防止开机瞬态误触发。
8.5 滤波电容建议
- 差模滤波:CSP与CSN之间建议并联0.1μF电容。
- 共模滤波:CSN与地之间建议并联0.1μF电容,CSP与地之间可选0.1μF电容。
9. 外部元件选型与布局建议
9.1 电流采样电阻
- 推荐使用1mΩ高精度采样电阻,根据系统最大电流和过流阈值选择合适阻值。
- 建议使用4端开尔文(Kelvin)连接采样电阻,确保CSP/CSN引脚直接连接到电阻两端,避免大电流路径引入额外压降。
- 采样电阻功率额定值需满足系统最大电流要求。
9.2 分压电阻
- BAT_REF引脚的分压电阻建议R1 + R2 = 100kΩ,以降低功耗。
- 推荐使用1%精度电阻以确保过流阈值精度。
9.3 上拉电阻
- FLAG为开漏输出,需外接上拉电阻至VCC或其他参考电压。
- 推荐上拉电阻值为10kΩ-100kΩ。
9.4 PCB布局
- VCC引脚建议连接RC低通滤波器(2.2Ω + 0.1μF),滤波电容尽量靠近IC。
- EN引脚建议连接RC滤波器(1kΩ + 0.1μF)以防止噪声误触发。
- 电流检测连接(CSP/CSN)必须采用开尔文(Kelvin)连接,确保采样精度。
- 所有敏感模拟走线(CSP、CSN、VCC、EN、FLAG)应远离高压开关节点,避免耦合噪声。
- 散热焊盘(Exposed Pad)必须焊接至大面积地平面,确保良好散热。
10. 热性能信息
| 热参数 | WDFN-8L 2×2 | 单位 |
|---|---|---|
| θJA(JEDEC标准) | 45.5 | °C/W |
| θJC | 11.5 | °C/W |
最大功耗计算(TA=25°C):PD(MAX) = (125°C - 25°C) / (45.5°C/W) = 2.19W
11. 订购信息与技术支持
CXDR75150A采用WDFN-8L 2×2封装,无铅、RoHS合规。嘉泰姆电子提供工程样品、量产芯片及全面的技术支持,包括评估板、参考设计和FAE现场支持。
技术邮件: ouamo18@jtm-ic.com | 技术热线: 13823140578

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