CXDR75146R 5μA系统侧单节电池电量计 | 内置8mΩ采样电阻 | VGCS算法 | I2C - 嘉泰姆电子

CXDR75146R 5μA系统侧单节电池电量计 | 内置8mΩ采样电阻 | VGCS算法 | I2C - 嘉泰姆电子

产品型号:CXDR75146R
产品类型:电压检测/复位IC
产品系列:电池电量计
产品状态:量产
浏览次数:7 次
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产品简介

CXDR75146R 5μA系统侧单节锂离子/锂聚合物电池电量计,内置8mΩ采样电阻,采用VGCS算法,电压精度±5mV,电流精度±1%,支持SOC/SOH/FCC/TTE报告,I2C接口,WL-CSP-9B封装。嘉泰姆电子提供方案。

技术参数

输入电压范围 (VIN)2.5 - 5.5V
工作频率1MHz
转换效率95%
封装类型WL-CSP1.68x1.81-9(BSC)
Detection voltage5.5
Detection accuracy±1%
Reset delay200ms
Output type电池电量计
Detection direction上升沿/下降沿
Temperature range-40℃~125℃
Features5μA System Side Single Cell Fuel Gauge with Build-In Sense Resistor
Application电池电量计
Power consumption1μA
Number of Series Cells1
Communication InterfaceI2C

产品详细介绍

CXDR75146R 5μA系统侧单节电池电量计
内置8mΩ采样电阻 | VGCS算法 | 超低功耗 | I2C

版本:Rev 1.0 | 2026年7月 | 型号:CXDR75146R | 封装:WL-CSP-9B(1.68×1.81mm)

嘉泰姆电子(JTM-IC)推出的 CXDR75146R 是一款专为单节锂离子/锂聚合物电池设计的 系统侧(system-side) 超低功耗电量计,典型工作电流仅 5μA(睡眠模式),显著延长可穿戴设备及便携设备的待机时间。芯片内置 8mΩ 低阻值采样电阻,无需外部电流检测电阻,进一步简化BOM并节省PCB面积。芯片采用创新的 VoltaicGauge™ with Current Sensing(VGCS) 算法,通过电池电压与OCV的差值结合电流检测补偿,实现高精度、无累积误差的电池荷电状态(SOC)估算,避免了传统库仑计因电流检测误差和电池自放电导致的SOC漂移。芯片支持 电压测量(±5mV)电流测量(±1%)温度测量(±1°C,0~45°C),并报告 SOC、SOH、FCC、TTE 及循环次数。ALERT引脚支持过压、欠压、充/放电过温、充/放电过流、低SOC等多种告警。采用 WL-CSP-9B(1.68×1.81mm) 超小封装,I2C接口兼容1.2V和1.8V IO电平。是可穿戴设备、手持设备、数码相机等便携应用的理想选择。

核心优势: 5μA超低功耗 | 内置8mΩ采样电阻 | VGCS算法(无累积误差) | 电压精度±5mV | 电流精度±1% | 温度精度±1°C | SOC/SOH/FCC/TTE报告 | I2C接口(1.2V/1.8V兼容) | 电池存在检测 | 多种ALERT告警 | WL-CSP-9B超小封装。

1. 产品概述与市场定位

CXDR75146R是一款高度集成的超低功耗电池电量计,专为单节锂离子/锂聚合物电池的系统侧应用而设计,可管理不可拆卸或可拆卸电池包。芯片内置8mΩ采样电阻,省去外部电流检测电阻,简化设计并降低BOM成本。芯片采用VGCS算法,基于电池电压与OCV的差异并结合电流检测,实时计算SOC,不会像传统库仑计那样累积电流误差。同时提供完整的电池状态监控和中断告警功能(过压、欠压、充/放电过温、充/放电过流、低SOC、SOC变化、电池插入/移除等)。采用WL-CSP-9B(1.68×1.81mm)超小封装,是可穿戴设备、手持设备、数码相机等空间受限应用的理想选择。

2. 主要特点与技术亮点

超低功耗5μA(睡眠模式)
内置采样电阻8mΩ,无需外接
VGCS算法无累积误差
高精度电压±5mV
高精度电流±1%
温度精度±1°C(0-45°C)
报告参数SOC/SOH/FCC/TTE
超小封装WL-CSP-9B
  • 超低功耗:主动模式12μA,睡眠模式仅5μA(典型值),关断模式1μA,大幅延长便携设备待机时间。
  • 内置8mΩ采样电阻:集成低阻值采样电阻,省去外部元件,简化PCB布局,降低BOM成本。
  • VGCS算法:基于电压迭代,利用电流信息进行补偿,无累积误差,SOC平滑且不受时间影响。
  • 高精度测量:电压测量精度±5mV,电流测量精度±1%,温度测量精度±1°C(0~45°C)。
  • 完整状态报告:提供State of Charge(SOC)、State of Health(SOH)、Full Charge Capacity(FCC)、Time to Empty(TTE)和Cycle Count。
  • 丰富告警:支持过压、欠压、充/放电过温、充/放电过流、低SOC、SOC变化、温度变化、电池存在状态变化等多种告警,可通过ALERT引脚主动通知主机。
  • 电池存在检测:内置电池插入/移除检测功能(可编程延迟),支持热插拔场景。
  • 宽IO电压:I2C接口兼容1.2V和1.8V IO电平,适配不同主控平台。
  • 超小封装:WL-CSP-9B(1.68×1.81mm)封装,球间距0.5mm,适合高密度PCB布局。

3. 引脚配置与功能说明

图1. CXDR75146R 引脚封装图(WL-CSP-9B,1.68×1.81mm,顶视图)

9球WL-CSP,1.68×1.81mm,球间距0.5mm。关键引脚:VBAT(电源/电池电压检测)、VBATS(电池电压Kelvin检测正端)、SRX(电流检测正端,内部8mΩ电阻)、V1P8(1.8V LDO输出)、TS(NTC输入)、ALERT(告警输出)、SCL/SDA(I2C)。

CXDR75146R主要引脚包括:VBAT(电源输入兼电池电压检测)、VBATS(电池电压检测正端,Kelvin连接)、SRX(电流检测正端,连接内部8mΩ采样电阻)、V1P8(1.8V LDO输出,外接2.2μF电容)、TS(NTC热敏电阻输入)、ALERT(开漏告警输出)、SCL/SDA(I2C接口)、VSS(地)。详细引脚定义见数据手册。

4. 极限参数与电气特性

极限参数(Absolute Maximum Ratings)
符号 参数 最小值 最大值 单位
SRX 电流检测引脚电压 VBAT-0.3 VBAT+0.3 V
V1P8 1.8V LDO输出 -0.3 2 V
VBAT 电源电压 -0.3 6 V
其他引脚 逻辑引脚 -0.3 6 V
TJ 结温 - 150 °C
TSTG 存储温度 -65 150 °C
ESD(HBM) 人体模型 - 2 kV
PD(TA=25°C) 功耗 - 1.81 W
θJA 热阻 - 55 °C/W
推荐工作条件
参数 最小值 典型值 最大值 单位
VBAT电源电压 2.5 - 5.5 V
环境温度 -40 - 85 °C
结温 -40 - 125 °C
关键电气特性(典型值,TA=25°C)
参数 条件 典型值 单位
主动模式电流 VBAT=3.8V,电池存在,外部温度检测禁用 12 μA
睡眠模式电流 VBAT=3.8V,周期为主动模式的4倍 5 μA
关断模式电流 VBAT=3.8V,LDO关闭 1 μA
V1P8 LDO输出 - 1.85 V
电压测量范围 - 2.5 – 5.5 V
电压测量误差 VBAT=4V ±5 mV
内置采样电阻值 - 8
推荐连续电流(100%利用率) - 3 A
推荐连续电流(10%利用率) - 4 A
推荐峰值脉冲电流(250ms, 10%占空比) - 5 A
温度测量误差(0~45°C) 外部NTC ±1 °C
电池存在检测阈值 - 0.95×VBAT V
输入逻辑高(SCL/SDA/ALERT) - 0.78 V
输入逻辑低(SCL/SDA/ALERT) - 0.5 V
I2C时钟频率 - 400 kHz

5. 工作原理与设计指导

5.1 VGCS算法原理

CXDR75146R采用VoltaicGauge™ with Current Sensing(VGCS)算法,基于电池电压与开路电压(OCV)的差值,结合内部8mΩ采样电阻检测的电流进行补偿,计算SOC的变化量(delta SOC)。与传统库仑计不同,VGCS不会累积电流检测误差和自放电引起的漂移,SOC表现平滑且准确。算法内置OCV表,通过迭代计算,利用设计容量作为参考,最终输出精确的SOC结果,并支持高C倍率充电、电池老化补偿(通过满充、满放和静置条件)以及BAPA命令。

5.2 电量报告与参数

芯片提供多个只读寄存器:SOC(荷电状态,%)、SOH(健康状态,%)、FCC(满充容量,mAh)、TTE(预估剩余时间,分钟)、Cycle Count(循环次数)。这些参数通过I2C接口读取,首次SOC更新在POR后250ms内完成。设计容量寄存器默认2000mAh,可根据实际电池容量配置,分辨率为1mAh。

5.3 电源模式

三种电源模式:主动模式(默认,每秒更新所有测量)、睡眠模式(可编程周期,为主动模式的2~16倍,典型5μA)、关断模式(停止所有测量,1μA,通过命令或引脚唤醒)。睡眠模式可通过命令或自检测进入/退出;关断模式可通过SCL或ALERT引脚低电平唤醒。

5.4 告警功能

ALERT引脚支持过压(OV)、欠压(UV)、充电过温(OTC)、放电过温(OTD)、充电过流(OCC)、放电过流(ODC)、低SOC(US)、SOC变化(SC)和温度变化(TC)等多种告警。告警使能后,发生事件时ALERT拉低,主机读取标志位清除中断。

5.5 电池存在检测

芯片内置电池存在检测功能,通过VBAT引脚监测电池连接状态,支持热插拔检测。电池插入检测时间可编程(20~145ms),移除检测时间典型1.1s,可用于系统快速响应电池状态变化。

5.6 内置采样电阻应用

芯片内置8mΩ低阻值采样电阻,无需外接电流检测电阻。推荐连续电流3A(100%利用率),4A(10%利用率),峰值脉冲5A(250ms,10%占空比)。PCB布局时需注意VBAT和SRX引脚走线尽量宽,以降低热阻和压降。

6. 典型应用电路

典型应用电路
图2. 典型应用电路(系统侧电池电量计,WL-CSP-9B封装)

外围元件:VBAT去耦电容(1μF)、V1P8输出电容(2.2μF)、NTC热敏电阻(10kΩ,β=3435K)及可选0.1μF滤波电容、I2C上拉电阻(3.3kΩ)、ALERT上拉电阻等。无需外部电流采样电阻,芯片内部已集成8mΩ。

7. PCB布局建议

  • Kelvin连接:VBATS和VSS必须从电池连接器两端直接引出(Kelvin检测),避免大电流路径上的IR压降影响电压精度。
  • 内置采样电阻走线:VBAT和SRX引脚之间的功率走线应尽量宽(建议≥1mm),以降低热阻和压降,确保大电流性能。
  • 电容放置:VBAT和V1P8的去耦电容需尽量靠近芯片引脚,减小噪声耦合。
  • NTC布局:TS外接NTC应尽量靠近电池放置,远离发热元件(如充电IC、处理器),确保温度测量准确。
  • 地线处理:VSS需连接至大面积地平面,多过孔散热。
  • I2C走线:SCL/SDA走线远离高频开关噪声源,上拉电阻靠近芯片放置。
  • 封装注意事项:WL-CSP封装球间距0.5mm,布局时需注意走线规则和焊盘尺寸。

8. 可穿戴设备超低功耗电量计设计实例

目标:设计一款智能手表系统侧单节锂离子电池(标称3.8V,典型容量300mAh)电量计方案,使用CXDR75146R,要求待机功耗极低,通过I2C与主控通信,提供精确的SOC和告警功能。

  • 硬件连接:CXDR75146R部署在系统主板上,VBAT由电池直接供电(3.0~4.4V);VBATS/VSS从电池连接器Kelvin引出;内置8mΩ采样电阻直接串联在电池回路中;NTC选用103KT1608T(10kΩ@25°C),靠近电池放置;SCL/SDA上拉3.3kΩ至VDDIO(1.8V);ALERT上拉至主控GPIO。
  • 寄存器配置:POR后设置DesignCapacity寄存器为0x012C(300mAh);配置告警阈值(如OV=4.35V,UV=3.0V,OTC=45°C,OTD=60°C,OCC=0.5A,US=10%);配置电池存在检测延迟。
  • 软件流程:主控通过I2C定期读取SOC、电压、电流、温度,当ALERT引脚拉低时读取FLAG寄存器确定告警类型,执行相应处理(如降低充电电流、提示用户等)。待机时通过命令使芯片进入睡眠模式(5μA),进一步降低功耗。
  • 电池存在检测:使能电池存在检测,主控通过中断或轮询方式获取电池插入/移除事件,实现热插拔管理。
  • 低功耗设计:系统待机时配置芯片进入睡眠模式,仅5μA电流消耗;需要时可通过I2C命令唤醒或通过ALERT/SCL引脚唤醒。
设计支持: 嘉泰姆电子提供CXDR75146R评估板、参考设计及FAE技术支持,助力客户快速完成产品开发。

9. 订购信息与技术支持

CXDR75146R采用WL-CSP-9B(1.68×1.81mm)封装,无铅、RoHS合规。提供工程样品、量产芯片及全面的技术支持。

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