
CXDR75146R 5μA系统侧单节电池电量计 | 内置8mΩ采样电阻 | VGCS算法 | I2C - 嘉泰姆电子
| 产品型号: | CXDR75146R |
| 产品类型: | 电压检测/复位IC |
| 产品系列: | 电池电量计 |
| 产品状态: | 量产 |
| 浏览次数: | 7 次 |
产品简介
技术参数
| 输入电压范围 (VIN) | 2.5 - 5.5V |
|---|---|
| 工作频率 | 1MHz |
| 转换效率 | 95% |
| 封装类型 | WL-CSP1.68x1.81-9(BSC) |
| Detection voltage | 5.5 |
| Detection accuracy | ±1% |
| Reset delay | 200ms |
| Output type | 电池电量计 |
| Detection direction | 上升沿/下降沿 |
| Temperature range | -40℃~125℃ |
| Features | 5μA System Side Single Cell Fuel Gauge with Build-In Sense Resistor |
| Application | 电池电量计 |
| Power consumption | 1μA |
| Number of Series Cells | 1 |
| Communication Interface | I2C |
产品详细介绍
CXDR75146R 5μA系统侧单节电池电量计
内置8mΩ采样电阻 | VGCS算法 | 超低功耗 | I2C
版本:Rev 1.0 | 2026年7月 | 型号:CXDR75146R | 封装:WL-CSP-9B(1.68×1.81mm)
技术咨询:ouamo18@jtm-ic.com 或致电 13823140578 (嘉泰姆电子)
嘉泰姆电子(JTM-IC)推出的 CXDR75146R 是一款专为单节锂离子/锂聚合物电池设计的 系统侧(system-side) 超低功耗电量计,典型工作电流仅 5μA(睡眠模式),显著延长可穿戴设备及便携设备的待机时间。芯片内置 8mΩ 低阻值采样电阻,无需外部电流检测电阻,进一步简化BOM并节省PCB面积。芯片采用创新的 VoltaicGauge™ with Current Sensing(VGCS) 算法,通过电池电压与OCV的差值结合电流检测补偿,实现高精度、无累积误差的电池荷电状态(SOC)估算,避免了传统库仑计因电流检测误差和电池自放电导致的SOC漂移。芯片支持 电压测量(±5mV)、电流测量(±1%) 和 温度测量(±1°C,0~45°C),并报告 SOC、SOH、FCC、TTE 及循环次数。ALERT引脚支持过压、欠压、充/放电过温、充/放电过流、低SOC等多种告警。采用 WL-CSP-9B(1.68×1.81mm) 超小封装,I2C接口兼容1.2V和1.8V IO电平。是可穿戴设备、手持设备、数码相机等便携应用的理想选择。
1. 产品概述与市场定位
CXDR75146R是一款高度集成的超低功耗电池电量计,专为单节锂离子/锂聚合物电池的系统侧应用而设计,可管理不可拆卸或可拆卸电池包。芯片内置8mΩ采样电阻,省去外部电流检测电阻,简化设计并降低BOM成本。芯片采用VGCS算法,基于电池电压与OCV的差异并结合电流检测,实时计算SOC,不会像传统库仑计那样累积电流误差。同时提供完整的电池状态监控和中断告警功能(过压、欠压、充/放电过温、充/放电过流、低SOC、SOC变化、电池插入/移除等)。采用WL-CSP-9B(1.68×1.81mm)超小封装,是可穿戴设备、手持设备、数码相机等空间受限应用的理想选择。
2. 主要特点与技术亮点
- 超低功耗:主动模式12μA,睡眠模式仅5μA(典型值),关断模式1μA,大幅延长便携设备待机时间。
- 内置8mΩ采样电阻:集成低阻值采样电阻,省去外部元件,简化PCB布局,降低BOM成本。
- VGCS算法:基于电压迭代,利用电流信息进行补偿,无累积误差,SOC平滑且不受时间影响。
- 高精度测量:电压测量精度±5mV,电流测量精度±1%,温度测量精度±1°C(0~45°C)。
- 完整状态报告:提供State of Charge(SOC)、State of Health(SOH)、Full Charge Capacity(FCC)、Time to Empty(TTE)和Cycle Count。
- 丰富告警:支持过压、欠压、充/放电过温、充/放电过流、低SOC、SOC变化、温度变化、电池存在状态变化等多种告警,可通过ALERT引脚主动通知主机。
- 电池存在检测:内置电池插入/移除检测功能(可编程延迟),支持热插拔场景。
- 宽IO电压:I2C接口兼容1.2V和1.8V IO电平,适配不同主控平台。
- 超小封装:WL-CSP-9B(1.68×1.81mm)封装,球间距0.5mm,适合高密度PCB布局。
3. 引脚配置与功能说明
图1. CXDR75146R 引脚封装图(WL-CSP-9B,1.68×1.81mm,顶视图)
9球WL-CSP,1.68×1.81mm,球间距0.5mm。关键引脚:VBAT(电源/电池电压检测)、VBATS(电池电压Kelvin检测正端)、SRX(电流检测正端,内部8mΩ电阻)、V1P8(1.8V LDO输出)、TS(NTC输入)、ALERT(告警输出)、SCL/SDA(I2C)。
CXDR75146R主要引脚包括:VBAT(电源输入兼电池电压检测)、VBATS(电池电压检测正端,Kelvin连接)、SRX(电流检测正端,连接内部8mΩ采样电阻)、V1P8(1.8V LDO输出,外接2.2μF电容)、TS(NTC热敏电阻输入)、ALERT(开漏告警输出)、SCL/SDA(I2C接口)、VSS(地)。详细引脚定义见数据手册。
4. 极限参数与电气特性
| 符号 | 参数 | 最小值 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|
| SRX | 电流检测引脚电压 | VBAT-0.3 | VBAT+0.3 | V |
| V1P8 | 1.8V LDO输出 | -0.3 | 2 | V |
| VBAT | 电源电压 | -0.3 | 6 | V |
| 其他引脚 | 逻辑引脚 | -0.3 | 6 | V |
| TJ | 结温 | - | 150 | °C |
| TSTG | 存储温度 | -65 | 150 | °C |
| ESD(HBM) | 人体模型 | - | 2 | kV |
| PD(TA=25°C) | 功耗 | - | 1.81 | W |
| θJA | 热阻 | - | 55 | °C/W |
| 参数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|
| VBAT电源电压 | 2.5 | - | 5.5 | V |
| 环境温度 | -40 | - | 85 | °C |
| 结温 | -40 | - | 125 | °C |
| 参数 | 条件 | 典型值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| 主动模式电流 | VBAT=3.8V,电池存在,外部温度检测禁用 | 12 | μA |
| 睡眠模式电流 | VBAT=3.8V,周期为主动模式的4倍 | 5 | μA |
| 关断模式电流 | VBAT=3.8V,LDO关闭 | 1 | μA |
| V1P8 LDO输出 | - | 1.85 | V |
| 电压测量范围 | - | 2.5 – 5.5 | V |
| 电压测量误差 | VBAT=4V | ±5 | mV |
| 内置采样电阻值 | - | 8 | mΩ |
| 推荐连续电流(100%利用率) | - | 3 | A |
| 推荐连续电流(10%利用率) | - | 4 | A |
| 推荐峰值脉冲电流(250ms, 10%占空比) | - | 5 | A |
| 温度测量误差(0~45°C) | 外部NTC | ±1 | °C |
| 电池存在检测阈值 | - | 0.95×VBAT | V |
| 输入逻辑高(SCL/SDA/ALERT) | - | 0.78 | V |
| 输入逻辑低(SCL/SDA/ALERT) | - | 0.5 | V |
| I2C时钟频率 | - | 400 | kHz |
5. 工作原理与设计指导
5.1 VGCS算法原理
CXDR75146R采用VoltaicGauge™ with Current Sensing(VGCS)算法,基于电池电压与开路电压(OCV)的差值,结合内部8mΩ采样电阻检测的电流进行补偿,计算SOC的变化量(delta SOC)。与传统库仑计不同,VGCS不会累积电流检测误差和自放电引起的漂移,SOC表现平滑且准确。算法内置OCV表,通过迭代计算,利用设计容量作为参考,最终输出精确的SOC结果,并支持高C倍率充电、电池老化补偿(通过满充、满放和静置条件)以及BAPA命令。
5.2 电量报告与参数
芯片提供多个只读寄存器:SOC(荷电状态,%)、SOH(健康状态,%)、FCC(满充容量,mAh)、TTE(预估剩余时间,分钟)、Cycle Count(循环次数)。这些参数通过I2C接口读取,首次SOC更新在POR后250ms内完成。设计容量寄存器默认2000mAh,可根据实际电池容量配置,分辨率为1mAh。
5.3 电源模式
三种电源模式:主动模式(默认,每秒更新所有测量)、睡眠模式(可编程周期,为主动模式的2~16倍,典型5μA)、关断模式(停止所有测量,1μA,通过命令或引脚唤醒)。睡眠模式可通过命令或自检测进入/退出;关断模式可通过SCL或ALERT引脚低电平唤醒。
5.4 告警功能
ALERT引脚支持过压(OV)、欠压(UV)、充电过温(OTC)、放电过温(OTD)、充电过流(OCC)、放电过流(ODC)、低SOC(US)、SOC变化(SC)和温度变化(TC)等多种告警。告警使能后,发生事件时ALERT拉低,主机读取标志位清除中断。
5.5 电池存在检测
芯片内置电池存在检测功能,通过VBAT引脚监测电池连接状态,支持热插拔检测。电池插入检测时间可编程(20~145ms),移除检测时间典型1.1s,可用于系统快速响应电池状态变化。
5.6 内置采样电阻应用
芯片内置8mΩ低阻值采样电阻,无需外接电流检测电阻。推荐连续电流3A(100%利用率),4A(10%利用率),峰值脉冲5A(250ms,10%占空比)。PCB布局时需注意VBAT和SRX引脚走线尽量宽,以降低热阻和压降。
6. 典型应用电路

图2. 典型应用电路(系统侧电池电量计,WL-CSP-9B封装)
外围元件:VBAT去耦电容(1μF)、V1P8输出电容(2.2μF)、NTC热敏电阻(10kΩ,β=3435K)及可选0.1μF滤波电容、I2C上拉电阻(3.3kΩ)、ALERT上拉电阻等。无需外部电流采样电阻,芯片内部已集成8mΩ。
7. PCB布局建议
- Kelvin连接:VBATS和VSS必须从电池连接器两端直接引出(Kelvin检测),避免大电流路径上的IR压降影响电压精度。
- 内置采样电阻走线:VBAT和SRX引脚之间的功率走线应尽量宽(建议≥1mm),以降低热阻和压降,确保大电流性能。
- 电容放置:VBAT和V1P8的去耦电容需尽量靠近芯片引脚,减小噪声耦合。
- NTC布局:TS外接NTC应尽量靠近电池放置,远离发热元件(如充电IC、处理器),确保温度测量准确。
- 地线处理:VSS需连接至大面积地平面,多过孔散热。
- I2C走线:SCL/SDA走线远离高频开关噪声源,上拉电阻靠近芯片放置。
- 封装注意事项:WL-CSP封装球间距0.5mm,布局时需注意走线规则和焊盘尺寸。
8. 可穿戴设备超低功耗电量计设计实例
目标:设计一款智能手表系统侧单节锂离子电池(标称3.8V,典型容量300mAh)电量计方案,使用CXDR75146R,要求待机功耗极低,通过I2C与主控通信,提供精确的SOC和告警功能。
- 硬件连接:CXDR75146R部署在系统主板上,VBAT由电池直接供电(3.0~4.4V);VBATS/VSS从电池连接器Kelvin引出;内置8mΩ采样电阻直接串联在电池回路中;NTC选用103KT1608T(10kΩ@25°C),靠近电池放置;SCL/SDA上拉3.3kΩ至VDDIO(1.8V);ALERT上拉至主控GPIO。
- 寄存器配置:POR后设置DesignCapacity寄存器为0x012C(300mAh);配置告警阈值(如OV=4.35V,UV=3.0V,OTC=45°C,OTD=60°C,OCC=0.5A,US=10%);配置电池存在检测延迟。
- 软件流程:主控通过I2C定期读取SOC、电压、电流、温度,当ALERT引脚拉低时读取FLAG寄存器确定告警类型,执行相应处理(如降低充电电流、提示用户等)。待机时通过命令使芯片进入睡眠模式(5μA),进一步降低功耗。
- 电池存在检测:使能电池存在检测,主控通过中断或轮询方式获取电池插入/移除事件,实现热插拔管理。
- 低功耗设计:系统待机时配置芯片进入睡眠模式,仅5μA电流消耗;需要时可通过I2C命令唤醒或通过ALERT/SCL引脚唤醒。
9. 订购信息与技术支持
CXDR75146R采用WL-CSP-9B(1.68×1.81mm)封装,无铅、RoHS合规。提供工程样品、量产芯片及全面的技术支持。
技术邮件: ouamo18@jtm-ic.com | 技术热线: 13823140578

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