CXDC65276AM 双输出PWM控制器
AMD SVI2 | VDD/VDDNB | 集成3路驱动器 | G-NAVP拓扑 | WQFN-40L

产品版本：Rev 1.0 | 更新日期：2026年7月 | 型号：CXDC65276AM | 封装：WQFN-40L（5×5mm）

嘉泰姆电子（JTM-IC）推出的 CXDC65276AM 是一款高度集成的 双输出PWM控制器，内置 3路高精度驱动器，专为满足 AMD SVI2电压调节器规范设计，可同时支持CPU核心（VDD）和CPU北桥部分（VDDNB）供电。芯片采用Richtek专有的 G-NAVP™（Green Native AVP）拓扑与 CCRCOT（Constant Current Ripple Constant On-Time） 技术，使工程师能够轻松设置Droop以满足AMD CPU对 AVP（自适应电压定位）的全部要求。芯片内建 SVI2接口，通过SVC、SVD、SVT三线总线与CPU通信，支持 VOTF Complete 及数字编码电压/电流上报。CXDC65276AM支持 2/1相VDD 和 1/0相VDDNB 灵活配置，支持 二极管仿真模式（DEM） 以提升轻载效率，并提供 电流增益调节、动态负载线与零负载线、热指示（VRHOT_L） 及完整的故障保护功能，包括过流、过压、欠压保护。芯片采用 WQFN-40L（5×5mm） 小尺寸封装，是AMD SVI2移动平台笔记本CPU供电的理想选择。

1. 产品概述与市场定位

在AMD移动平台笔记本的CPU供电设计中，双输出PWM控制器需要同时为CPU核心（VDD）和北桥部分（VDDNB）提供高效、高精度的电压调节，并支持AMD SVI2协议实现与CPU的实时通信。CXDC65276AM作为一款 符合AMD SVI2规范的同步Buck控制器，通过 SVI2接口 与CPU实时通信，支持 0.25V至1.55V 的宽输出电压范围，DAC精度达 ±0.5%，满足AMD CPU对电压精度的严苛要求。

芯片采用 G-NAVP™拓扑，这是一种基于有限直流增益误差放大器的电流模式恒定导通时间控制方式，可同时改善DC失调问题并提升系统精度与瞬态响应。CXDC65276AM还集成了 CCRCOT（恒定电流纹波恒定导通时间） 技术，提供优异的输出电压纹波表现。芯片内置 ADC 用于平台编程，通过 SET1、TSEN、TSEN_NB 引脚可设置VDD/VDDNB电流增益比、VDD QR阈值、开关频率、初始偏移、逐相OCP设置、VDDNB电压上报偏移等参数，极大节省了引脚数量。CXDC65276AM采用 WQFN-40L（5×5mm） 封装，是AMD SVI2移动平台双输出CPU供电方案的理想选择。

2. 主要特点与技术亮点

• G-NAVP™控制模式：基于有限DC增益误差放大器的电流模式恒定导通时间控制，兼具快速瞬态响应与高DC精度，轻松满足AMD AVP规范。
• SVI2接口：三线总线（SVC、SVD、SVT）与CPU通信，支持20MHz高速I²C模式，支持VOTF Complete及电压/电流数字上报。
• 集成3路驱动器：内置VDD两相和VDDNB一相共3路高侧/低侧MOSFET驱动器，集成自举电路，大幅减少外部元件数量。
• CCRCOT技术：恒定电流纹波恒定导通时间控制，在整个输入/输出范围内提供优异的输出电压纹波，工作频率随VID、负载电流和输入电压自适应变化。
• 二极管仿真模式（DEM）：单相工作时在轻载条件下自动进入DEM模式，降低开关频率与开关损耗，显著提升轻载效率。
• 电源状态切换：支持PSI0_L/PSI1_L命令，可在2相CCM、1相CCM和1相DEM之间切换，满足AMD电源管理协议。
• 动态负载线与零负载线：支持动态负载线调整和零负载线配置，满足不同平台需求。
• 可调电流增益：通过SET1引脚可设置VDD和VDDNB的电流增益比（AI_VDD、AI_VDDNB），优化负载线精度。
• VDDNB电压上报偏移：通过SET1和TSEN_NB引脚可设置VDDNB电压上报偏移位，补偿PCB走线压降。
• 无损电流检测：采用电感DCR无损电流检测方法，配合NTC热敏电阻实现温度补偿，保证全温度范围内负载线精度。
• 快速响应（QR）机制：在负载阶跃瞬态时禁用交错功能并同时开通所有UGATE一个脉冲，有效抑制输出电压跌落。
• DVID增强：当VID跳变时，保持电感电流以维持负载线，减少Droop效应，优化DVID性能。
• 热指示（VRHOT_L）：开漏输出，当TSEN或TSEN_NB引脚电压低于2.2V时拉低，通知CPU温度超过阈值。
• 系统保护：集成OVP（过压）、UVP（欠压）、OCP（过流）、PHOCP（逐相过流）及UVLO（欠压锁定），确保系统安全可靠运行。

3. 典型应用电路

CXDC65276AM的典型应用电路包括：SVI2接口连接CPU（SVC、SVD、SVT），VRHOT_L温度指示输出，PGOOD电源就绪输出，PWROK系统电源就绪输入，VDD两相输出级（PHASE1/PHASE2驱动外置MOSFET、电感、输出电容），VDDNB输出级（PHASE_NB驱动外置MOSFET、电感、输出电容），ISEN1P/ISEN2P/ISEN1N电流检测输入，ISENP_NB/ISENN_NB电流检测输入，IMON/IMON_NB电流监测输出，VSEN/VSEN_NB差分远端电压检测，COMP/FB和COMP_NB/FB_NB补偿网络，SET1/TSEN/TSEN_NB多功能引脚配置平台参数，VREF_PINSET基准电压输出。

图2. 典型应用电路

4. 极限参数与电气特性（设计参考）

5. 工作原理与设计指导

5.1 G-NAVP™ 控制模式

CXDC65276AM采用 G-NAVP™（Green Native AVP） 控制器，这是一种 带直流失调消除的电流模式恒定导通时间控制。当电流反馈信号达到COMP信号时，产生导通时间宽度实现PWM调制。该方法不仅能改善DC失调问题以提升系统精度，还能提供快速的瞬态响应。在连续导通模式（CCM）下，电流反馈信号与COMP信号比较产生PWM波形，各相按相间交错方式工作。

5.2 二极管仿真模式（DEM）

轻载条件下，开关损耗是主要功耗来源。CXDC65276AM可在单相工作时进入 二极管仿真模式（DEM），低侧MOSFET工作如二极管：当相电压为负时导通（电感电流从源极流向漏极），当相电压为正时关断（不允许反向电流）。负载降低时，输出电容放电时间增加，开关频率与开关损耗相应降低，显著改善轻载效率。

5.3 电源状态切换（PSI）

CXDC65276AM支持通过SVI2协议由CPU命令切换电源状态。PSI[x]_L位控制VDD和VDDNB控制器通道的工作模式，默认工作模式为全相CCM。各电源状态对应的工作模式如下：

5.4 开关频率（TON）设置

CXDC65276AM采用恒定导通时间控制，专利的 CCRCOT（恒定电流纹波恒定导通时间） 技术可产生随输入电压和VID码自适应的导通时间，获得恒定电流纹波，使输出电压纹波在不同输入/输出电压下保持近似恒定。开关频率可通过TSEN引脚设置，支持300kHz和400kHz两档可选。

5.5 电流检测与设置

CXDC65276AM采用 无损DCR电流检测 方法，实现高效率。当电感DCR时间常数等于R_XC_X滤波网络时间常数时，电容C_X上产生I_LX×DCR的电压，生成电感电流信号。根据不同的R_SENSE电阻，电流检测方法可分为两种：

为优化瞬态性能，推荐R_eq和C_X按以下公式设置，τ推荐设为1.1：

设计中R_CSx阻值限定为680Ω，精度建议1%或更高。R_X建议使用两个0603尺寸电阻串联以增强Iout上报精度，C_X建议使用X7R类型。

5.6 Droop（负载线）设置

通过正确设置误差放大器增益，可轻松实现 有源电压定位（AVP）。目标为：

误差放大器增益设置公式为：

其中G1为电流检测放大器增益，R_DROOP为等效负载线电阻。VDD和VDDNB控制器分别通过SET1引脚设置电流增益比AI_VDD和AI_VDDNB。

5.7 环路补偿

CXDC65276AM的补偿器采用简单的 Type I补偿器（一极点一零点） 即可实现适当补偿。补偿器电容C1和C2设计如下：

其中C为输出电容，RC为输出电容ESR，fSW为开关频率。目标是在尽可能宽的频率范围内实现恒定电阻输出阻抗。

5.8 电流平衡

CXDC65276AM在电流环路中实现内部电流平衡机制。控制器检测并比较每相电流信号与平均电流。如果某一相的检测电流大于平均电流，该相的导通时间将被调整得更短。对于两相应用，推荐使用电流平衡电路，确保L1×DCR1 = L2×DCR2。

5.9 初始与动态偏移

CXDC65276AM具有初始和动态偏移功能。VDD/VDDNB初始偏移可通过TSEN/TSEN_NB引脚设置，动态偏移通过SVI2接口由CPU控制。考虑偏移因素后，输出电压为：

5.10 动态VID增强

在动态VID事件期间，充电（VID上升）或放电（VID下降）电流会产生不需要的负载线效应，降低建立时间性能。CXDC65276AM在动态VID事件期间保持电感电流以维持负载线。当VID下降在轻载条件下时，可能产生负电感电流导致音频噪声和相位振铃。为改善此问题，控制器将动态VID下降压摆率设为 0.625mV/μs，减少负电流和相位振铃效应。

5.11 快速响应（QR）机制

当瞬态负载阶跃较大时，环路响应难以满足能量传输需求，输出电压会产生下冲。CXDC65276AM具有 快速响应（QR）机制，采用非线性控制，在瞬时阶跃负载时禁用交错功能并同时开通所有UGATE一个脉冲，抑制输出电压跌落。QR阈值可通过SET1引脚设置。

5.12 电流监测与上报

CXDC65276AM通过电感电流检测提供电流监测功能。等效输出电流从电感电流检测获得并镜像到IMON/IMON_NB引脚。IMON电压计算如下：

ADC电路监测IMON引脚电压变化，解码为数字格式并存储到输出电流寄存器：

5.13 VDDNB电压上报偏移

CXDC65276AM通过ISENN_NB引脚检测电压进行电压上报。由于从ISENN_NB到输出电容的PCB走线（R_PCH）会在负载时产生压降，随着负载电流增大，该压降会严重影响电压上报。通过电压上报偏移功能可改善此问题，VDDNB电压上报可描述为：

VDDNB_RPT_OFS可通过SET1引脚（bit[3:1]）和TSEN_NB引脚（bit[0]）设置。

6. SVI2接口与通信协议

CXDC65276AM支持AMD SVI2（Serial VID Interface 2.0） 协议，通过SVC（时钟）、SVD（数据）、SVT（遥测）三线总线与CPU通信。SVI2接口支持20MHz高速I²C模式，基于SVD数据包。SVD数据包由Start信号、三个数据字节和Stop信号组成，包含：

SVI2接口支持VOTF（VID on-the-Fly）转换，当VID上升并达到目标VID时，控制器发送VOTF Complete信号。在VID on-the-Fly转换期间，PGOOD保持高电平。

7. 保护机制

• 过流保护（OCP）：OCP_SPIKE阈值由电流监测电阻RIMON设置。输出电流超过OCP_SPIKE并持续触发延迟时间后，OCP锁存，VDD控制器关断所有通道的高侧和低侧MOSFET。
• 逐相过流保护（PHOCP）：在软启动期间检测，PHOCP阈值由TSEN引脚设置。触发后控制器关断所有高侧和低侧MOSFET以保护CPU。
• 过压保护（OVP）：VSEN电压超过OVP阈值1.85V时触发OVP并锁存，VDD控制器尝试开通低侧MOSFET并关断所有活动相的高侧MOSFET。一路触发OVP时，另一路也进入软关断序列。1μs延迟防止误触发。
• 欠压保护（UVP）：VSEN电压低于内部基准500mV时触发UVP锁存，关断高侧和低侧MOSFET。一路触发UVP时，另一路也进入软关断序列。3μs延迟防止误触发。
• 欠压锁定（UVLO）：VCC电压降至IC POR阈值以下时触发UVLO，关闭内部PWM逻辑驱动，所有高侧和低侧MOSFET关断。3μs延迟防止误触发。
• 热指示（VRHOT_L）：当TSEN或TSEN_NB引脚电压低于2.2V时，VRHOT_L开漏输出拉低，通知CPU温度超过VRHOT阈值。

8. 典型应用设计实例

设计目标：AMD SVI2移动平台笔记本CPU供电，VDD输出1.1V/30A（2相），VDDNB输出1.1V/15A（1相），输入电压12V，开关频率400kHz，负载线1.5mΩ。

• 初始设置：CXDC65276AM初始电压通过Boot VID设置（SVC/SVD引脚），Boot VID默认0.8V。IBIAS引脚接100kΩ电阻到地。
• 开关频率设置：通过TSEN引脚设置开关频率为400kHz。
• 电流检测：无损RC滤波检测DCR电流，R_XC_X时间常数匹配L_X/DCR_X。C_X=1μF时，R_X=500Ω（L_X=360nH，DCR_X=0.72mΩ）。
• IMON电阻网络：T_L=25°C、T_R=50°C、T_H=100°C，NTC=100kΩ@25°C，β=4485。计算得R_IMON=16.8kΩ，R_{IMON_NB}=12.6kΩ。
• 负载线设计：1.5mΩ Droop，DCR(25°C)=0.72mΩ，R_SENSE=680Ω，得A_V=R2/R1=5.92。取R1=10kΩ，则R2=59.2kΩ。
• 补偿器设计：C2=79pF，C1=106pF。
• SET1网络：设置AI_VDD=100%，AI_VDDNB=50%，QR_TH=25mV，VDDNB_RPT_OFS=0，得R1=160kΩ，R2=9.77kΩ。
• TSEN网络：设置频率400kHz，初始偏移0mV，PHOCP=150%，得R_p1=75.8kΩ，R_p2=9.68kΩ。
• TSEN_NB网络：设置初始偏移0mV，PHOCP=150%，VDDNB_RPT_OFS=0，得R_p3=75.8kΩ，R_p4=9.68kΩ。
• TSEN/VRHOT设计：R1=100kΩ，NTC=100kΩ@25°C（β=4485），R_NTC(100°C)=4.85kΩ，计算得R2=2.8kΩ。

9. PCB布局建议

• 大电流路径：保持大电流路径短，尤其是地端子。功率走线与负载连接尽可能短，这对高效率至关重要。
• 电感充放电路径：需权衡走线长度时，宁可让电感充电路径长于放电路径。
• 电流检测元件：电流检测元件靠近控制器放置。ISENxP和ISENxN连接用于电流限制和电压定位，必须使用 开尔文检测连接 保证电流检测精度。
• 检测节点走线：从检测节点到控制器的PCB走线应平行返回。
• 高速开关节点：高速开关节点应远离敏感模拟区域（COMP、FB、ISENxP、ISENxN等）。
• 散热焊盘：将暴露焊盘通过低阻抗路径连接到地平面，建议使用至少5个过孔连接到PCB内层地平面。
• 集成驱动器布局：UGATE/LGATE走线尽量短而宽，自举电容紧靠BOOT和PHASE引脚。
• SVI2走线：SVC、SVD、SVT走线远离功率噪声源，保持等长。

10. 引脚封装图

引脚封装图

CXDC65276AM采用 WQFN-40L 5×5mm 封装，引脚包括：VDD控制器（COMP、FB、VSEN、ISEN1P、ISEN2P、ISEN1N、IMON、TSEN、SET1）、VDDNB控制器（COMP_NB、FB_NB、VSEN_NB、ISENP_NB、ISENN_NB、IMON_NB、TSEN_NB）、SVI2接口（SVC、SVD、SVT、PWROK、VDDIO）、驱动器（BOOT1、UGATE1、PHASE1、LGATE1、BOOT2、UGATE2、PHASE2、LGATE2、BOOT_NB、UGATE_NB、PHASE_NB、LGATE_NB）、电源（VCC、PVCC、VIN、VREF_PINSET、RGND、GND）、控制（EN、PGOOD、VRHOT_L）、NC（无内部连接）。

11. 订购信息与技术支持

CXDC65276AM采用 WQFN-40L（5×5mm） 封装，无铅、RoHS合规、无卤素。产品型号：CXDC65276AMGQW（WQFN-40L 5×5 W-Type，Green）。嘉泰姆电子提供工程样品、量产芯片及全面的技术支持，包括评估板、参考设计和FAE现场支持。