
CXSU63345B 1.2MHz开关电容倍压器 | 3.3V固定输出 | 250mA | SOT23-6L - 嘉泰姆电子
| 产品型号: | CXSU63345B |
| 产品类型: | DC-DC转换器 |
| 产品系列: | DC-DC buck-Boost升降压芯片 |
| 产品状态: | 量产 |
| 浏览次数: | 1 次 |
产品简介
技术参数
| 输入电压范围 (VIN) | 1.8V~5.0V |
|---|---|
| 输出电压 (VOUT) | 3.3V(Fixed) |
| 输出电流 (IOUT) | 240mA |
| 工作频率 | 1.2MHZ |
| 转换效率 | 95% |
| 封装类型 | SOT23-6L |
| Topology | DC-DC buck-Boost升降压芯片 |
| Control method | Charge Pump |
| Switching frequency | 1.2MHZ |
| Protection | 过压过流短路 |
| Features | 数码相机、电子记事本、PDA等移动设备电源,照相机、视频设备、通信设备的稳压电源,微机电源,机顶盒 |
| Application | 充电宝,蓝牙音箱,便捷设备,电池,USB供电产品 |
| Operating temp | -20~150℃ |
| Precision | .02 |
| Power consumption | 650uA |
产品详细介绍
CXSU63345B 低噪声开关电容倍压器
SOT23-6L 封装 | 输入 1.8V~5V | 固定 3.3V±4% 输出 | 输出电流可达 250mA
产品版本:Rev 1.0 | 更新日期:2026年7月 | 型号:CXSU63345B | 封装:SOT23-6L
技术咨询:ouamo18@jtm-ic.com 或致电 13823140578 (嘉泰姆电子)
嘉泰姆电子(JTM-IC)推出的 CXSU63345B 是一款 低噪声、固定频率(1.2MHz)开关电容倍压器。该芯片可从 1.8V~5V 的输入电压产生稳定的 3.3V 输出,输出电流最高可达 250mA(VIN=3V)。CXSU63345B 所需外部元件极少,仅需一个飞跨电容和两个小容量旁路电容(分别接在 VIN 和 VOUT 上),非常适合小型电池供电应用。全新的电荷泵架构在空载时也能保持恒定开关频率,从而降低输出与输入纹波。芯片具备热关断能力,可承受 VOUT 到 GND 的持续短路;内置软启动电路可防止启动时的过大浪涌电流。其"低噪声 + 小外围 + 无电感"的组合,使其成为白光 LED 背光、锂电备份电源、3V 转 5V 转换、智能卡读卡器与 PCMCIA 本地 5V 供电等应用的理想选择。
1. 产品概述与市场定位
在便携式电子设备中,常常需要从单节锂电池(3.0V~4.2V)或两节碱性电池(约 3V)等较低电压的电源获得稳定的 3.3V 输出,为 MCU、传感器、LCD 背光或智能卡接口供电。传统升压方案需要电感,体积较大且存在 EMI 问题;线性稳压方案在输入低于 3.3V 时无法工作。开关电容倍压器(电荷泵)无需电感,外围仅需电容,体积小、噪声低,是低压差、中小电流场景的理想选择。
CXSU63345B 正是面向这一需求推出的 低噪声开关电容倍压器。其最大特点是 无电感与低噪声的结合:固定 1.2MHz 开关频率在空载时也保持恒定,输出与输入纹波小;内部通过电阻分压采样输出电压,并根据误差信号调制电荷泵输出电流,实现稳定调节;软启动电路将启动时间预编程为约 2.5ms,有效抑制上电浪涌。
CXSU63345B 采用 SOT23-6L 封装,6 个引脚分别为 VOUT、GND、EN、C-、VIN、C+。外围仅需 CIN、COUT 与飞跨电容 CFLY 各 2.2μF 陶瓷电容即可构成完整方案。芯片具备短路保护,短路时自动将输出电流限制在约 300mA;具备热关断能力,可承受持续短路。关断电流小于 1μA,适合电池供电设备的低功耗待机。EN 脚为 CMOS 输入,阈值约 0.8V,不允许悬空,必须驱动有效逻辑电平。
2. 主要特点与技术亮点
- 固定 3.3V±4% 输出:输出电压范围 3.17V~3.43V,适合 3.3V 逻辑与传感器供电。
- 宽输入电压范围:1.8V~5V,覆盖单节锂电池、两节碱性电池与 3.3V/5V 系统电源。
- 输出电流可达 250mA:VIN=3V 时最大输出电流 250mA,可驱动背光、读卡器与小型负载。
- 低噪声恒定频率工作:1.2MHz 固定开关频率,空载时也保持恒定,输出与输入纹波低。
- 关断电流小于 1μA:关断模式下所有电路关闭,VOUT 与 VIN 断开,适合电池供电设备待机。
- 短路保护:内置短路电流限制,短路时自动将输出电流限制在约 300mA。
- 软启动:内置软启动电路,启动时间约 2.5ms,防止启动时 VIN 出现过大的浪涌电流。
- 无需电感:开关电容架构仅需飞跨电容与旁路电容,方案体积小、无电感 EMI 问题。
- SOT23-6L 低矮封装:适合空间受限的便携设备与模块。
3. 电路原理图与引脚配置
CXSU63345B 采用 SOT23-6L 封装,6 个引脚分别为:VOUT(1 脚)稳压输出、GND(2 脚)地、EN(3 脚)ON/OFF 控制(高电平使能)、C-(4 脚)飞跨电容负端、VIN(5 脚)输入电源、C+(6 脚)飞跨电容正端。典型应用中,VIN 与 VOUT 各接 2.2μF 低 ESR 陶瓷电容到地,飞跨电容 CFLY 接在 C+ 与 C- 之间,EN 接逻辑高电平使能或接控制信号。

图2. 典型应用电路

引脚封装图
| 引脚 | 名称 | 功能说明 |
|---|---|---|
| 1 | VOUT | 稳压输出,需在引脚就近接至少 2.2μF 低 ESR 陶瓷电容到地 |
| 2 | GND | 地,建议连接到地平面以获得最佳性能 |
| 3 | EN | ON/OFF 控制(高电平使能),低电平关断输入;该脚不允许悬空 |
| 4 | C- | 飞跨电容负端 |
| 5 | VIN | 输入电源,需在引脚就近接至少 2.2μF 低 ESR 陶瓷电容到地 |
| 6 | C+ | 飞跨电容正端 |
4. 极限参数与电气特性
| 参数 | 数值 | 单位 |
|---|---|---|
| 输入电源电压 | -0.3 ~ 6 | V |
| EN 引脚电压 | -0.3 ~ 6 | V |
| 输出电压 | -0.3 ~ 3.5 | V |
| 输出电流 | 300 | mA |
| 工作温度范围 | -40 ~ +85 | ℃ |
| 最大结温 | +150 | ℃ |
| 存储温度范围 | -65 ~ +125 | ℃ |
| 引脚温度(焊接,10 秒) | +265 | ℃ |
| 符号 | 参数 | 条件 | 最小 | 典型 | 最大 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| VIN | 输入电压范围 | — | 1.8 | — | 5 | V |
| VOUT | 输出电压范围 | — | 3.17 | 3.3 | 3.43 | V |
| ISHDN | 关断电流 | VEN=0V,VOUT=0V | — | 0.2 | — | μA |
| INO LOAD | 空载输入电流 | IOUT=0mA,VIN=2.7V | — | 0.65 | — | mA |
| fOSC | 开关频率 | VIN=2.7V,IOUT=100mA | — | 1.2 | — | MHz |
5. 工作原理与设计指导
5.1 开关电容倍压工作原理
CXSU63345B 使用开关电容电荷泵将 VIN 升压至稳压输出。内部通过电阻分压采样输出电压,并根据误差信号调制电荷泵输出电流,实现稳压。两相不重叠时钟驱动电荷泵开关:在第一相,飞跨电容从 VIN 充电;在第二相,飞跨电容与 VIN 串联后连接到 VOUT。这一充放电序列以约 1.2MHz 的自由运行频率持续进行。关断模式下所有电路关闭,芯片仅从 VIN 消耗漏电流,同时 VOUT 与 VIN 断开。
5.2 EN 使能控制
EN 脚为 CMOS 输入,阈值电压约 0.8V。当 EN 脚施加逻辑低电平时,芯片进入关断模式。由于 EN 脚是高阻 CMOS 输入,不允许悬空;为确保其状态确定,必须始终用有效逻辑电平驱动。
5.3 短路保护与软启动
CXSU63345B 内置短路电流限制。在短路条件下,芯片自动将输出电流限制在约 300mA,避免损坏。芯片还内置软启动电路,防止启动时 VIN 出现过大的电流。软启动时间预编程为约 2.5ms,因此启动电流主要取决于输出电容的大小。对于输出电容较大的应用,启动电流会相应增大,设计时需确认输入电源能够提供足够的浪涌能力。
5.4 电容选型
VIN、VOUT 电容:电容的样式与容值决定调节环路稳定性、输出纹波、电荷泵强度与最小启动时间等参数。为降低噪声与纹波,CIN 与 COUT 建议使用低 ESR(<0.1Ω)陶瓷电容,容值 2.2μF 或更大。不推荐钽电容与铝电容,因为其 ESR 较高。
飞跨电容:飞跨电容控制电荷泵强度。警告:飞跨电容绝不能使用钽电容或铝电容等有极性电容,因为启动时其电压可能反向。飞跨电容应始终使用低 ESR 陶瓷电容,为达到额定输出电流,飞跨电容至少需要 2.2μF。
5.5 布局考虑
由于开关频率高且瞬态电流大,CXSU63345B 需要仔细的 PCB 布局。真正的地平面与短电容连接可提高性能,并确保在所有条件下都能正确调节。CIN、COUT 与 CFLY 应尽量靠近芯片对应引脚,地端以最短路径连接到地平面;VIN 与 VOUT 的电流回路面积应尽量小,以降低寄生电感与噪声。
6. 典型应用设计实例
设计目标:某便携式智能卡读卡器采用两节碱性电池供电(2.4V~3.2V),需要稳定的 3.3V 输出为读卡器芯片与 LCD 背光供电,最大负载电流 100mA,待机时需极低功耗。
- 拓扑选择:输入电压低于 3.3V,采用 CXSU63345B 开关电容倍压器可无电感实现 3.3V 输出。
- 输入输出电容:CIN 与 COUT 各选用 2.2μF、低 ESR 陶瓷电容,靠近 VIN、VOUT 引脚放置。
- 飞跨电容:CFLY 选用 2.2μF 低 ESR 陶瓷电容,接在 C+ 与 C- 之间,禁止使用有极性电容。
- EN 控制:EN 接 MCU GPIO 或直接接 VIN 使能;待机时拉低 EN,关断电流小于 1μA。
- 负载核算:VIN=3V 时最大输出电流 250mA,满足 100mA 负载需求并留有裕量。
- 短路保护:输出短路时芯片自动限流约 300mA,无需额外保护电路。
- 布局要点:CIN、COUT、CFLY 尽量靠近芯片;地平面完整;VIN 与 VOUT 电流回路面积最小;EN 走线远离开关节点。
7. PCB 布局建议
- 电容就近放置:CIN、COUT 与 CFLY 应尽量靠近芯片对应引脚,缩短连接走线,降低寄生电感。
- 完整地平面:芯片 GND 应连接到完整地平面,所有电容地端以最短路径连接到地平面,提高调节稳定性。
- 电流回路最小化:VIN 到 GND、VOUT 到 GND 的电流回路面积应尽量小,降低辐射与噪声。
- 飞跨电容走线:C+ 与 C- 走线应短而直,避免与其他信号线平行,减小耦合干扰。
- EN 走线:EN 为高阻 CMOS 输入,走线应远离开关节点与高 dv/dt 节点,避免误触发。
- 散热考虑:SOT23-6L 封装功耗有限,布局时应保证芯片周边有足够铜箔,辅助散热。
8. 订购信息与技术支持
| 器件型号 | 封装 | 包装形式 | 卷盘尺寸 |
|---|---|---|---|
| CXSU63345B | SOT23-6L | 卷带(Tape & Reel) | 7 Inch |
CXSU63345B 采用 SOT23-6L 低矮封装,提供卷带包装以适应自动化贴片生产。嘉泰姆电子提供工程样品、量产供货及完整的技术资料,包括数据手册、封装尺寸图、推荐焊盘与典型应用电路,并可根据客户白光 LED 背光、锂电备份电源、3V 转 5V 转换、智能卡读卡器与 PCMCIA 供电方案提供电容选型与布局优化支持。
技术邮件: ouamo18@jtm-ic.com | 技术热线: 13823140578

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