CXSD61262/A ACOT同步降压DC/DC转换器
4.3V-18V宽输入 | 1.5A输出 | 500kHz | 轻载高效模式

产品版本：Rev 1.0 | 更新日期：2026年8月 | 型号：CXSD61262 / CXSD61262A | 封装：SOT-23-6 / TSOT-23-6

嘉泰姆电子（JTM-IC）推出的 CXSD61262/A 系列是采用高级恒定导通时间（ACOT™）控制架构的高性能同步降压DC/DC转换器，专为需要快速瞬态响应、高效率和超小尺寸的负载点调节应用而设计。该芯片支持 4.3V至18V 的宽输入电压范围，提供高达 1.5A 的连续输出电流，输出电压可调范围 0.6V至8V。ACOT™架构实现了 超快速瞬态响应，并允许使用 低ESR陶瓷输出电容，无需复杂的外部补偿。芯片以 500kHz 准固定开关频率工作，在输入电压和负载变化范围内保持优异的频率稳定性。内部集成低导通电阻功率MOSFET（高侧230mΩ，低侧130mΩ），在全负载范围内提供高达 95% 的转换效率。 逐周期谷值电流限制（典型值2.2A）提供精确的过流保护，内部 800μs软启动 消除启动浪涌。CXSD61262/A 在轻载时自动进入 轻载高效模式（PSM），降低开关频率，显著提升轻载效率，特别适合待机功耗要求严格的应用。芯片还集成了 输入欠压锁定（UVLO）、hiccup模式欠压保护（UVP） 和 热关断保护（OTP），确保系统安全。CXSD61262/A 采用超小型 SOT-23-6 和 TSOT-23-6 封装，是工业与商业低功耗系统、计算机外设、LCD显示器、FPGA/ASIC负载点稳压和绿色电子应用的理想选择。

1. 产品概述与市场定位

在现代紧凑型电子系统中，PCB面积和电源效率是设计的关键约束。CXSD61262/A 作为 ACOT™同步降压转换器，其核心优势在于 先进的恒定导通时间控制架构，实现了近乎瞬时的负载瞬态响应，同时在整个输入电压和负载范围内保持 500kHz的准恒定开关频率。与传统电流模式或电压模式控制相比，ACOT™架构无需复杂的补偿网络，大大简化了设计，并允许使用小尺寸、低成本的陶瓷输出电容，显著减小PCB占板面积。

芯片内部集成了高侧和低侧功率MOSFET，导通电阻分别为 230mΩ 和 130mΩ，在1.5A满载条件下有效降低导通损耗，提升系统整体效率。 500kHz准固定开关频率 允许使用小型电感器（典型值2.2μH-10μH）和陶瓷电容，同时通过频率反馈环路补偿开关损耗和寄生效应，保持频率稳定。 逐周期谷值电流限制（典型值2.2A）通过监测低侧MOSFET的压降实现精确保护，防止电感电流失控。内部 800μs软启动 支持预偏置输出启动，避免启动时的输入浪涌电流。CXSD61262/A 在轻载时自动进入 轻载高效模式（PSM），降低开关频率，减少开关损耗和栅极驱动损耗，显著提高轻载效率，特别适用于便携设备、电池供电系统等对功耗要求严格的应用。CXSD61262/A 采用超小型 SOT-23-6 和 TSOT-23-6 封装，是空间受限应用的理想选择。

2. 主要特点与技术亮点

• ACOT™（高级恒定导通时间）控制：专有的ACOT架构结合了恒定导通时间控制的快速瞬态响应和准固定频率特性，通过内部虚拟电感电流斜坡替代ESR斜坡，实现对低ESR陶瓷电容的稳定支持。
• 准固定开关频率（500kHz）：通过测量实际开关频率并反馈调节导通时间，在输入电压和负载变化范围内保持频率稳定，减少EMI干扰风险。
• 轻载高效模式（PSM）：在轻载条件下自动进入Power Saving Mode，降低有效开关频率，减少开关损耗和栅极驱动损耗，显著提升轻载效率，延长电池供电设备的续航时间。
• 逐周期谷值电流限制：在低侧MOSFET导通期间监测其源漏电压（RDS(ON)），限流阈值典型值2.2A，有效防止过流损坏。
• 内部800μs软启动：内置软启动电路，消除启动时的输入浪涌电流，支持预偏置输出启动。
• 输出欠压保护（UVP）：当VFB低于0.4V时触发，芯片进入hiccup模式，自动尝试恢复，故障移除后恢复正常工作。
• 输入欠压锁定（UVLO）：防止输入电压过低时芯片工作异常。
• 热关断保护（OTP）：结温超过160°C时关断，降温约20°C后自动重启，确保芯片在极端条件下的安全。
• 超小封装：SOT-23-6和TSOT-23-6封装，占板面积极小，适合空间受限的便携式设备。

3. 引脚封装图

引脚封装图：SOT-23-6 / TSOT-23-6

4. 典型应用电路

图2. 典型应用电路（4.3V-18V输入，1.5A输出）

5. 极限参数与电气特性（设计参考）

6. 工作原理与设计指导

6.1 ACOT™ 控制架构与轻载高效模式（PSM）

CXSD61262/A 采用 高级恒定导通时间（ACOT™） 控制架构，这是对传统恒定导通时间（COT）控制的重大改进。传统COT控制具有快速瞬态响应的优势，但存在两个主要缺点：一是开关频率随输入/输出电压变化而显著变化；二是需要输出电容提供足够的ESR来保证环路稳定，限制了陶瓷电容的使用。

ACOT™架构通过以下方式解决了这些问题：

• 导通时间自适应调节：导通时间与VOUT成正比、与VIN成反比，同时通过测量实际开关频率并反馈调节导通时间，确保在输入电压和负载变化范围内保持 准固定500kHz开关频率。
• 虚拟电感电流斜坡：芯片内部生成虚拟的电感电流斜坡信号，替代传统COT控制中依赖输出电容ESR产生的斜坡，从而允许使用 低ESR陶瓷输出电容，无需外部补偿网络。
• 轻载高效模式（PSM）：在轻载条件下自动进入Power Saving Mode，在电感电流降至零后关断低侧MOSFET，避免负电流，降低开关频率，减少开关损耗，显著提升轻载效率，特别适合待机功耗要求严格的应用。

6.2 输出电压设置

输出电压通过外部分压电阻网络设置，FB引脚内部参考电压为 0.6V（典型值）。输出电压计算公式如下：

推荐使用 1% 精度电阻，R2 选择 10kΩ 至 100kΩ 之间。例如，输出 5V 时，R1/R2 = (5/0.6 - 1) ≈ 7.33，若 R2=10kΩ，则 R1≈73.3kΩ（可选用 73.2kΩ 标准电阻）。

推荐元件配置（VIN=12V，fSW=500kHz）：

注：CFF为前馈电容，仅在VOUT > 3.3V时推荐使用以改善瞬态响应。

6.3 内部软启动

CXSD61262/A 内置 800μs 软启动 功能。在EN使能后，内部电路逐步提升输出电压参考值，有效抑制启动时的输入浪涌电流和输出电压过冲。软启动期间UVP被禁用，防止误触发。为确保软启动成功，输出电容应满足以下条件：

6.4 使能控制

EN引脚支持 1.5V 至 18V 宽电压输入，可直接连接VIN实现自动启动，也可通过外部电阻分压设定精确的输入电压锁定阈值。EN引脚内部有弱下拉，悬空时可能导致不确定状态，建议不要悬空。

6.5 谷值电流限制

芯片采用 逐周期谷值电流限制，在低侧MOSFET导通期间监测其源漏电压（RDS(ON)），限流阈值典型值为 2.2A。当电感电流超过限流阈值时，禁止下一个导通脉冲，直到电流降至安全水平。这种机制有效防止电感饱和和输出短路损坏。

6.6 电感器选型

电感值直接影响纹波电流和系统瞬态响应。建议纹波电流为最大负载电流的 20%-40%。电感值计算公式：

在最高输入电压下纹波电流最大，应以此条件设计。推荐电感值范围：2.2μH 至 10μH（参考上表）。选用低DCR、高饱和电流的电感，饱和电流应大于峰值限流值（约2.2A）。

设计示例（12V输入，1.2V/1.5A输出，纹波电流0.6A，即40%）：

峰值电流：IPEAK = 1.5 + 0.6/2 = 1.8A，谷值电流：IVALLY = 1.5 - 0.6/2 = 1.2A。

6.7 输入与输出电容选型

输入电容建议使用 10μF + 0.1μF 低ESR陶瓷电容 并联，靠近VIN引脚放置。输入RMS电流在最坏情况（VIN=2×VOUT）下为 IOUT/2。

输出电容推荐使用 22μF 陶瓷电容（X5R/X7R），低ESR特性与ACOT架构完美匹配。输出纹波可按下式估算（以1.2V输出为例，ΔIL=0.46A，ESR=5mΩ，COUT=22μF）：

6.8 前馈电容（CFF）

对于高输出电压应用（VOUT > 3.3V），建议在R1上并联 前馈电容（CFF） 以改善瞬态响应。CFF可按下式估算：

其中BW为系统带宽，可通过负载瞬态响应测试确定。

6.9 保护功能详解

• 逐周期谷值电流限制：监测低侧MOSFET压降，限流阈值2.2A（典型），防止过流。
• 输出欠压保护（UVP）：VFB低于0.4V时触发，芯片进入 hiccup模式，周期性尝试重启，故障移除后自动恢复。软启动期间UVP禁用。
• 输入欠压锁定（UVLO）：防止输入电压过低时芯片工作异常。
• 热关断保护（OTP）：结温超过160°C时关断，降温约20°C后自动重启。

7. 基于 CXSD61262 的负载点电源设计实例

设计目标：一款便携式数据采集设备，需要为传感器和MCU提供 3.3V/1.5A 的电源，输入来自 12V 适配器，要求小尺寸、高效率和低待机功耗。

• 系统配置：选用 CXSD61262A（TSOT-23-6封装），VIN=12V，VOUT=3.3V，IOUT=1.5A。电感 L=6.8μH（DCR<80mΩ），输入电容 CIN=10μF（X7R，25V）+0.1μF，输出电容 COUT=22μF（陶瓷）。分压电阻 R1=115kΩ，R2=25.5kΩ（VREF=0.6V）。CFF=33pF改善瞬态响应。
• 效率表现：在 12V 输入、3.3V/1.5A 输出条件下，典型效率高于 90%。得益于轻载PSM模式，在 50mA 轻载条件下效率仍可保持 75% 以上。
• 瞬态响应：ACOT架构提供快速瞬态响应，在 0.1A-1.5A 负载阶跃下，输出电压跌落小，恢复时间短。
• 热设计：TSOT-23-6 封装 θJA=160°C/W，在 TA=25°C 时最大功耗 0.625W。实际满载功耗约 0.4W，温升约 64°C，结温低于 89°C，满足要求。
• 保护配置：逐周期谷值限流保护（2.2A），UVP hiccup模式自动恢复，OTP保护。

8. PCB 布局建议

对于超小型封装器件，PCB布局至关重要。遵循以下指南可确保最佳性能：

• 主功率回路最小化：将输入电容、CXSD61262 的 VIN 和 GND 引脚、LX 节点以及输出电感紧密布局，减小功率回路的寄生电感和电阻。
• 输入电容靠近芯片：输入电容应尽可能靠近 VIN 和 GND 引脚放置，以减小输入回路寄生电感。
• LX 节点控制：LX 走线应短而宽，但面积尽可能小以降低辐射EMI。SW节点避免大面积铺铜，敏感信号远离LX节点。
• 输出电容靠近负载：输出电容应靠近负载端放置，以提供最佳的瞬态电流响应。
• 反馈网络短而直接：FB 分压电阻应紧靠芯片放置，走线远离 LX 节点和电感等噪声源。
• GND 处理：GND引脚应直接连接至大面积地平面，提供良好的散热和噪声屏蔽。建议采用多层PCB设计，地平面作为第二层。
• BOOT 电容：0.1μF 自举电容应紧靠 BOOT 和 SW 引脚放置。

9. 订购信息与技术支持

CXSD61262/A 系列提供 SOT-23-6 和 TSOT-23-6 两种封装选项，无铅、RoHS合规，工作温度范围 -40°C 至 +85°C（环境），结温范围 -40°C 至 +125°C。嘉泰姆电子提供工程样品、量产芯片及全面的技术支持，包括评估板、参考设计和FAE现场支持，助力客户快速完成产品开发。