CXSD61255/56 ACOT同步降压DC/DC转换器
4.5V-18V宽输入 | 3A输出 | 700kHz | 快速瞬态响应

产品版本：Rev 1.0 | 更新日期：2026年8月 | 型号：CXSD61255 / CXSD61256 | 封装：WDFN-10L 3x3 / TSSOP-14(EP)

嘉泰姆电子（JTM-IC）推出的 CXSD61255/56 系列是采用高级恒定导通时间（ACOT™）控制架构的高性能同步降压DC/DC转换器，专为需要快速瞬态响应和高效率的负载点调节应用而设计。该系列芯片支持 4.5V至18V 的宽输入电压范围，提供高达 3A 的连续输出电流，输出电压可调范围 0.765V至8V。ACOT™架构实现了 超快速瞬态响应，并允许使用 低ESR陶瓷输出电容，无需复杂的外部补偿。芯片以 700kHz 准固定开关频率工作，在输入电压和负载变化范围内保持优异的频率稳定性。内部集成 90mΩ 高侧 MOSFET（WDFN封装）和 60mΩ 低侧 MOSFET，在全负载范围内提供高达 95% 的转换效率。 逐周期谷值电流限制 提供精确的过流保护，外部可调软启动支持预偏置输出。该系列提供两种型号选择： CXSD61255（固定频率模式，适用于对频率稳定性要求高的应用）、CXSD61256（轻载断续模式DCM，提升轻载效率）。采用 WDFN-10L 3x3 和 TSSOP-14（Exposed Pad） 两种封装，是工业与商业低功耗系统、计算机外设、LCD显示器、FPGA/ASIC负载点稳压和绿色电子应用的理想选择。

1. 产品概述与市场定位

在现代高性能电子系统中，FPGA、DSP和ASIC等处理器对电源的动态响应速度和稳定性提出了极高要求。CXSD61255/56 系列作为 ACOT™同步降压转换器，其核心优势在于 先进的恒定导通时间控制架构，实现了近乎瞬时的负载瞬态响应，同时在整个输入电压和负载范围内保持 700kHz的准恒定开关频率。与传统电流模式或电压模式控制相比，ACOT™架构无需复杂的补偿网络，大大简化了设计，并允许使用小尺寸、低成本的陶瓷输出电容，显著减小PCB占板面积。

芯片内部集成了高侧和低侧功率MOSFET，导通电阻分别低至 90mΩ（WDFN封装）和 60mΩ，在3A满载条件下有效降低导通损耗，提升系统整体效率。 700kHz准固定开关频率 允许使用小型电感器和陶瓷电容，同时通过频率反馈环路补偿开关损耗和寄生效应，保持频率稳定。 逐周期谷值电流限制 通过监测低侧MOSFET的压降实现精确保护，具有约1A的滞回区间，防止误触发。外部可调 软启动（SS） 功能支持预偏置输出启动，避免启动时的输入浪涌电流。该系列提供两种型号选项： CXSD61255 采用固定频率连续导通模式（CCM），适合对EMI和频率稳定性要求严格的应用； CXSD61256 在轻载时自动进入断续导通模式（DCM），降低开关频率，显著提升轻载效率，适合电池供电和待机功耗敏感的应用。CXSD61255/56 采用 WDFN-10L 3x3 和 TSSOP-14（Exposed Pad） 两种封装，灵活适配不同PCB空间和散热需求。

2. 主要特点与技术亮点

• ACOT™（高级恒定导通时间）控制：专有的ACOT架构结合了恒定导通时间控制的快速瞬态响应和准固定频率特性，通过内部虚拟电感电流斜坡替代ESR斜坡，实现对低ESR陶瓷电容的稳定支持。
• 准固定开关频率（700kHz）：通过测量实际开关频率并反馈调节导通时间，在输入电压和负载变化范围内保持频率稳定，减少EMI干扰风险。
• 逐周期谷值电流限制：在低侧MOSFET导通期间监测其源漏电压（RDS(ON)），结合温度补偿实现精确的谷值电流检测，限流阈值典型值4.5A，提供约1A的滞回区间防止误触发。
• 可调软启动（SS）：外部SS引脚电容设定软启动时间（2μA充电电流），支持预偏置输出启动，确保启动过程平滑无浪涌。
• 轻载模式选项：CXSD61256在轻载时自动进入断续导通模式（DCM），降低开关频率提升轻载效率；CXSD61255采用固定频率连续导通模式（CCM），适合对频率稳定性要求更高的应用。
• 输出欠压保护（UVP）和过压保护（OVP）：UVP阈值70% VREF，OVP阈值120% VREF。WDFN封装采用 Hiccup模式（自动恢复），TSSOP封装采用 锁存模式（需EN或VIN复位）。
• 电源良好指示（PGOOD）：开漏输出，当FB电压高于90%参考电压时释放，低于85%时拉低，提供系统状态监控。
• 使能与UVLO：EN引脚支持1.2V至18V宽范围输入，可直接连接VIN实现自动启动；内部PVCC欠压锁定（UVLO）防止MOSFET不完全导通时工作。
• 输出放电功能（TSSOP-14封装）：VOUT引脚在芯片禁用时内部连接到地，实现输出电容快速放电。
• 热关断保护（TSD）：结温超过150°C时关断，降温20°C后自动重启，确保芯片在极端条件下的安全。

3. 引脚封装图

引脚封装图：WDFN-10L 3x3 / TSSOP-14（Exposed Pad）

4. 典型应用电路

图2. 典型应用电路（4.5V-18V输入，3A输出）

5. 极限参数与电气特性（设计参考）

符号	参数	最小值	最大值	单位
VIN, VINR	输入电压	-0.3	21	V
SW	开关节点电压	-0.8（<10ns -5）	VIN+0.3（<10ns 25）	V
BOOT - SW	自举电压差	-0.3	6	V
其他引脚	控制/逻辑引脚	-0.3	21	V
PD @ TA=25°C	最大功耗（TSSOP-14 EP）	—	2.50	W
PD @ TA=25°C	最大功耗（WDFN-10L 3x3）	—	1.67	W
θJA	结到环境热阻（TSSOP-14 EP）	—	40	°C/W
θJA	结到环境热阻（WDFN-10L 3x3）	—	60	°C/W
TJ	结温范围	-	150	°C
TSTG	存储温度范围	-65	150	°C
ESD（HBM）	人体模型	—	2	kV

参数	最小值	最大值	单位
VIN 输入电压	4.5	18	V
结温范围	-40	125	°C
环境温度范围	-40	85	°C

参数	条件	典型值	单位
关断电流（ISHDN）	VEN=0V	1	μA
静态电流（IQ）	VEN=3V, VFB=1V	0.7	mA
反馈参考电压（VREF）	4.5V≤VIN≤18V	0.765	V
VREF精度	—	±1.0	%
高侧导通电阻（RDS(ON)_H）	WDFN封装	90	mΩ
高侧导通电阻（RDS(ON)_H）	TSSOP封装	100	mΩ
低侧导通电阻（RDS(ON)_L）	—	60	mΩ
谷值电流限制（ILIM）	LSW=1.4μH	4.5	A
开关频率（fSW）	—	700	kHz
最小导通时间（tON(MIN)）	—	60	ns
最小关断时间（tOFF(MIN)）	—	230	ns
EN阈值（上升/下降）	—	1.5 / 0.4	V
SS充电电流（ISS）	VSS=0V	2	μA
PVCC输出电压	6V≤VIN≤18V	5.1	V
UVLO阈值（PVCC上升）	—	3.85	V
UVLO迟滞	—	0.3	V
PGOOD阈值（上升/下降）	—	90 / 85	%
OVP阈值	—	120	%
UVP阈值	—	70	%
热关断阈值（TSD）	—	150	°C
热关断迟滞（ΔTSD）	—	20	°C

6. 工作原理与设计指导

6.1 ACOT™ 控制架构

CXSD61255/56 采用 高级恒定导通时间（ACOT™） 控制架构，这是对传统恒定导通时间（COT）控制的重大改进。传统COT控制具有快速瞬态响应的优势，但存在两个主要缺点：一是开关频率随输入/输出电压变化而显著变化；二是需要输出电容提供足够的ESR来保证环路稳定，限制了陶瓷电容的使用。

ACOT™架构通过以下方式解决了这些问题：

• 导通时间自适应调节：导通时间与VOUT成正比、与VIN成反比，同时通过测量实际开关频率并反馈调节导通时间，确保在输入电压和负载变化范围内保持 准固定700kHz开关频率。
• 虚拟电感电流斜坡：芯片内部生成虚拟的电感电流斜坡信号，替代传统COT控制中依赖输出电容ESR产生的斜坡，从而允许使用 低ESR陶瓷输出电容，无需外部补偿网络。
• 最小关断时间（tOFF(MIN)）：典型值230ns，确保在开关噪声期间不进行调节决策，提高抗噪性，同时允许在需要时快速重复导通，提升瞬态响应。

6.2 输出电压设置

输出电压通过外部分压电阻网络设置，FB引脚内部参考电压为 0.765V（典型值）。输出电压计算公式如下：

推荐使用 1% 精度电阻，R2 选择 10kΩ 至 100kΩ 之间。例如，输出 3.3V 时，R1/R2 = (3.3/0.765 - 1) ≈ 3.31，若 R2=22.1kΩ，则 R1≈73.2kΩ。

推荐元件配置（VIN=12V，fSW=700kHz）：

VOUT（V）	R1（kΩ）	R2（kΩ）	C3（pF）	L1（μH）	C7（μF）
1.0	6.8	22.1	—	1.4	22-68
1.05	8.25	22.1	—	1.4	22-68
1.2	12.7	22.1	—	1.4	22-68
1.8	30.1	22.1	5-22	2.2	22-68
2.5	49.9	22.1	5-22	2.2	22-68
3.3	73.2	22.1	5-22	2.2	22-68
5	124	22.1	5-22	3.3	22-68
7	180	22.1	5-22	3.3	22-68

6.3 软启动与使能时序

软启动时间通过 SS 引脚外接电容设定。内部 2μA 电流源 对电容充电，FB电压跟踪SS电压。软启动时间计算公式：

例如，3.9nF 电容对应约 2.6ms。推荐电容范围 2.7nF 至 220nF。SS引脚不可悬空。软启动期间芯片以断续模式工作，防止负电感电流，支持 预偏置输出启动。

EN引脚支持 1.2V 至 18V 宽电压输入，可直接连接VIN实现自动启动，也可通过外部电阻分压设定精确的输入电压锁定阈值。

6.4 谷值电流限制

芯片采用 逐周期谷值电流限制，在低侧MOSFET导通期间监测其源漏电压（RDS(ON)），并加入温度补偿以提高精度。典型限流阈值为 4.5A，并具有约 1A 的滞回区间，防止在限流阈值附近频繁触发。当电感电流超过上限阈值时，禁止导通信号；只有当电流降至下限阈值以下时，才允许下一个导通脉冲。这种机制有效防止平均输出电流过度超过限流值。

CXSD61255 还包含 负电流限制（约1.6A），保护芯片免受过大反向电流损坏；CXSD61256 在轻载DCM模式下不吸收电流，因此无需负电流限制。

6.5 电感器选型

电感值直接影响纹波电流和系统瞬态响应。建议纹波电流为最大负载电流的 20%-50%。电感值计算公式：

在最高输入电压下纹波电流最大，应以此条件设计。推荐电感值范围：1.0μH 至 4.7μH。选用低DCR、高饱和电流的电感，饱和电流应大于峰值限流值（约4.5A）。

设计示例（12V输入，1.05V/3A输出，纹波电流1A）：

6.6 输入与输出电容选型

输入电容建议使用 10μF + 0.1μF 低ESR陶瓷电容 并联，靠近VIN引脚放置。输入RMS电流在最坏情况（VIN=2×VOUT）下为 IOUT/2。

输出电容推荐使用 22μF 至 68μF 陶瓷电容（X5R/X7R），低ESR特性与ACOT架构完美匹配。输出纹波可按下式估算：

对于1.05V输出、44μF输出电容、2.5mΩ ESR的设计，纹波约为6.5mV。

6.7 保护功能详解

• 逐周期谷值电流限制：监测低侧MOSFET压降，限流阈值4.5A，具有1A滞回。
• 输出欠压保护（UVP）：VFB低于70% VREF且持续250μs（典型）触发。WDFN封装（CXSD61255/56GQW）采用 Hiccup模式（自动恢复）；TSSOP封装（CXSD61255/56GCP）采用 锁存模式（需EN或VIN复位）。
• 输出过压保护（OVP）：VFB高于120% VREF且持续5μs（典型）触发。保护模式同UVP。
• 输入欠压锁定（UVLO）：监测PVCC引脚，阈值3.85V，迟滞0.3V。
• 热关断保护（TSD）：结温超过150°C时关断，降温20°C后自动重启。
• 电源良好（PGOOD）：开漏输出，FB高于90% VREF时释放，低于85%时拉低。
• 输出放电功能（TSSOP-14封装）：VOUT引脚在芯片禁用时内部下拉至地，实现输出电容快速放电。

7. 型号选型指南

型号	封装	轻载模式	UVP/OVP模式	负电流限制	输出放电	应用场景
CXSD61255GQW	WDFN-10L 3x3	固定频率（CCM）	Hiccup	有	无	频率稳定性要求高，小尺寸
CXSD61255GCP	TSSOP-14(EP)	固定频率（CCM）	锁存	有	有	频率稳定性要求高，手动复位
CXSD61256GQW	WDFN-10L 3x3	轻载DCM	Hiccup	无	无	轻载效率要求高，自动恢复
CXSD61256GCP	TSSOP-14(EP)	轻载DCM	锁存	无	有	轻载效率要求高，手动复位

8. 基于 CXSD61255 的负载点电源设计实例

设计目标：一款工业控制板，需要为 FPGA 核心提供 1.05V/3A 的负载点电源，输入来自 12V 工业总线，要求快速瞬态响应、小尺寸和高可靠性，使用陶瓷电容。

• 系统配置：选用 CXSD61255GQW（WDFN-10L 3x3），VIN=12V，VOUT=1.05V，IOUT=3A。电感 L=1.4μH（DCR<15mΩ），输入电容 CIN=10μF（X7R，25V）+0.1μF，输出电容 COUT=2×22μF（陶瓷）。分压电阻 R1=8.25kΩ，R2=22.1kΩ（VREF=0.765V）。软启动电容 CSS=3.9nF（tSS≈2.6ms）。
• 效率表现：在 12V 输入、1.05V/3A 输出条件下，典型效率高于 85%，CXSD61256的DCM模式在轻载时进一步提升效率。
• 瞬态响应：ACOT架构提供近乎即时的瞬态响应，在 0A-3A 负载阶跃下，输出电压跌落约45mV（4%），恢复时间极短。
• 热设计：WDFN-10L 3x3 封装 θJA=60°C/W，在 TA=25°C 时最大功耗 1.67W。实际满载功耗约 0.9W，温升约 54°C，结温低于 85°C，满足要求。
• 保护配置：逐周期谷值限流保护（4.5A），UVP/OVP Hiccup模式自动恢复，热关断保护。PGOOD连接至系统MCU监控电源状态。

9. PCB 布局建议

ACOT架构对PCB布局的要求相对宽松，但遵循以下指南可确保最佳性能：

• 主功率回路最小化：将输入电容、CXSD61255 的 VIN 和 PGND 引脚、LX 节点以及输出电感紧密布局，减小功率回路的寄生电感和电阻。
• LX 节点控制：LX 走线应短而宽，但面积尽可能小以降低辐射EMI。SW节点避免大面积铺铜，敏感信号远离LX节点。
• 输入电容靠近芯片：输入电容应尽可能靠近 VIN 和 PGND 引脚放置，以减小输入回路寄生电感。
• 输出电容靠近负载：输出电容应靠近负载端放置，以提供最佳的瞬态电流响应。
• 反馈网络短而直接：FB 分压电阻应紧靠芯片放置（5mm以内），走线远离 LX 节点和电感等噪声源。建议在FB引脚与地之间放置小电容（C3）以改善瞬态响应（高输出电压应用）。
• GND 与散热焊盘：GND引脚和Exposed Pad必须连接至大面积地平面，通过多个过孔散热。建议采用多层PCB设计，地平面作为第二层。
• BOOT 电容：0.1μF 自举电容应紧靠 BOOT 和 SW 引脚放置。
• PVCC 电容：1μF 陶瓷电容应紧靠 PVCC 和 PGND 引脚放置。

10. 订购信息与技术支持

CXSD61255/56 系列提供 WDFN-10L 3x3 和 TSSOP-14（Exposed Pad） 两种封装选项，无铅、RoHS合规，工作温度范围 -40°C 至 +85°C（环境），结温范围 -40°C 至 +125°C。嘉泰姆电子提供工程样品、量产芯片及全面的技术支持，包括评估板、参考设计和FAE现场支持，助力客户快速完成产品开发。