CXSD61225A/B 2A同步降压DC-DC转换器
ACOT超快瞬态响应 | 4.5V-17V宽压输入 | 1.4MHz固定频率

产品版本：Rev 1.0 | 更新日期：2026年8月 | 型号：CXSD61225A / CXSD61225B | 封装：TSOT-23-6 (FC)

嘉泰姆电子（JTM-IC）推出的 CXSD61225A/B 是一款简单易用的2A同步降压DC-DC转换器，采用先进的 ACOT（Advanced Constant On-Time）控制架构，提供超快瞬态响应并减少外部元件数量。该系列芯片支持 4.5V至17V 的输入电压范围，输出电压可在 0.6V至7V 范围内灵活调节，可连续输出高达 2A 的电流。

芯片内部集成了 140mΩ 高侧 MOSFET 和 84mΩ 低侧 MOSFET，显著降低功率损耗，提升系统效率。CXSD61225A在轻载时自动进入 省电模式（PSM），保持高效率；CXSD61225B则工作在 强制PWM模式，满足严格电压调节精度要求的应用。芯片提供 逐周期电流限制保护，防止输出短路、过流或电感饱和等异常情况造成损坏。内置的 软启动 功能有效抑制启动浪涌电流。芯片还集成了 输入欠压锁定（UVLO）、输出欠压保护（UVP）打嗝模式和过温保护（OTP），确保在所有工作条件下安全平稳运行。CXSD61225A/B采用 TSOT-23-6（FC） 超小封装，是机顶盒、LCD电视、家庭网络设备、监控系统等空间受限应用的理想选择。

1. 产品概述与市场定位

在机顶盒、LCD电视、家庭网络设备、监控系统等消费电子和工业应用中，电源转换器需要在有限的空间内提供高效、稳定的电源输出。CXSD61225A/B作为一款 2A同步降压DC-DC转换器，凭借其 ACOT控制架构 和 宽输入电压范围（4.5V-17V），为各种负载点（POL）应用提供了优异的电源解决方案。芯片支持 0.6V至7V 的宽输出电压范围，可满足从低电压逻辑供电到5V系统供电等多种应用场景。

该系列芯片的 ACOT控制架构 是其核心技术优势之一。与传统COT控制相比，ACOT架构在芯片内部生成虚拟电感电流斜坡信号，使得芯片在使用 低ESR陶瓷输出电容（MLCC） 时依然保持稳定，同时提供超快的负载瞬态响应。芯片的固定开关频率为 1.4MHz，允许使用更小的电感和输出电容，进一步减小解决方案的整体尺寸。更重要的是，CXSD61225A/B 无需外部补偿网络，大幅简化了设计流程并减少了外部元件数量。

在轻载管理方面，CXSD61225A和CXSD61225B提供了两种不同的工作模式：

• CXSD61225A（自动PSM模式）：在轻载条件下自动进入省电模式，通过降低开关频率减少开关损耗，提升轻载效率。当电感电流过零时，低侧MOSFET关断，输出电容仅由负载电流放电，开关频率降低，从而实现更高的轻载效率。
• CXSD61225B（强制PWM模式）：在整个负载范围内维持恒定频率的PWM操作，满足对输出电压纹波和调节精度要求严格的应用需求。强制PWM模式支持负向电流操作，适用于需要快速瞬态响应的场景。

2. 主要特点与技术亮点

• ACOT控制架构：内部虚拟电感电流斜坡补偿，确保低ESR陶瓷电容稳定工作，无需外部补偿网络，减少元件数量和设计复杂度。
• 1.4MHz固定开关频率：较高的开关频率允许使用更小的电感和输出电容，减小解决方案尺寸，同时保持优异的瞬态响应。
• 高精度反馈参考电压：典型值 ±1% 的参考电压精度，确保输出电压的精确调节。
• 双模式可选：CXSD61225A提供自动省电模式（PSM），轻载时保持高效率；CXSD61225B提供强制PWM模式，满足严格电压调节精度要求。
• 逐周期电流限制：高侧和低侧MOSFET均配备逐周期电流限制保护，防止输出短路、过流或电感饱和造成的损坏。
• 负向过流保护（CXSD61225B）：在强制PWM模式下，当外部电源意外连接到输出端时，负向过流保护电路监测低侧MOSFET的负向电流，超过阈值时立即关断低侧MOSFET并导通高侧MOSFET放电。
• 输出欠压保护（UVP）打嗝模式：当反馈电压低于参考电压的65%时触发。芯片进入打嗝模式（关闭15ms，尝试恢复1.8ms），直到故障消除。打嗝模式有效限制了故障状态下的输入电流和功率耗散。
• 内部软启动：内置软启动功能，从EN上升沿开始输出电压在0.3ms内平稳上升，有效抑制启动浪涌电流。
• 预偏置输出安全启动：在启动前输出已存在预偏置电压时，芯片等待内部软启动电压超过反馈电压后才开始开关，确保平滑启动。
• 超小封装：TSOT-23-6（FC）超小封装，适合空间受限的应用。

3. 典型应用电路

CXSD61225A/B的典型应用电路如下图所示。芯片外围电路极其简洁，主要包括：输入电容CIN（MLCC，容量≥20μF）、输出电容COUT、功率电感L、自举电容CBOOT（0.1μF）、反馈电阻分压网络（RFB1/RFB2）以及可选的前馈电容CFF。

图1. CXSD61225A/B典型应用电路

在具体设计中，输入电容应尽量靠近VIN和GND引脚放置；输出电容需根据输出电压和负载瞬态要求选择适当的容值（参照推荐元件选型表）；功率电感的选择需平衡效率、尺寸和纹波电流。SW节点应尽量缩短走线，减少辐射噪声，敏感信号（如FB）应远离SW节点布置。

4. 推荐元件选型

注：CFF建议不超过100pF；COUT需考虑直流偏置下的有效容值，3.3V≤VOUT≤5V时有效容值≥18μF，VOUT<3.3V时有效容值≥12μF。

5. 极限参数与电气特性（设计参考）

6. 工作原理与设计指导

6.1 ACOT控制架构与PWM操作

CXSD61225A/B采用 ACOT（Advanced Constant On-Time） 控制架构，实现了超快瞬态响应、低外部元件数量，并与低ESR MLCC输出电容稳定工作。当反馈电压低于反馈参考电压时，且最小关断时间单稳态定时器（典型130ns）已超时、电感电流低于电流限制阈值时，内部导通时间单稳态电路被触发，高侧开关导通。由于最小关断时间极短，器件表现出超快的瞬态响应能力，允许使用更小的输出电容。

导通时间与输入电压成反比、与输出电压成正比，从而在宽输入电压范围内实现伪固定频率操作。导通时间单稳态定时器超时后，高侧开关关断，低侧开关导通，直到下一个导通时间单稳态被触发。为实现与低ESR陶瓷输出电容的稳定工作，内部斜坡信号被添加到反馈参考电压中，模拟输出电压纹波。

6.2 轻载工作模式

CXSD61225A（自动PSM模式）：在轻载条件下自动进入省电模式以保持高效率。随着负载电流减小，电感电流纹波谷值最终触及零电流，即连续导通模式与断续导通模式的边界。当检测到零电感电流时，低侧开关关断。在这种情况下，输出电容仅由负载电流放电，开关频率降低，轻载效率因开关损耗降低而得到提升。

CXSD61225B（强制PWM模式）：在整个负载范围内维持恒定频率的PWM操作，满足对输出电压纹波和调节精度要求严格的应用。强制PWM模式下允许负向电流操作，当外部电源意外连接到输出端时，内部负向过流保护电路监测低侧MOSFET的负向电流，超过阈值时立即关断低侧MOSFET并导通高侧MOSFET放电。

6.3 使能控制与软启动

CXSD61225A/B提供EN引脚作为外部芯片使能控制。当EN电压低于逻辑低电平阈值时，即使VIN高于UVLO阈值，转换器也会禁用输出。当EN电压高于逻辑高电平阈值且VIN高于UVLO阈值时，器件启动软启动序列。EN引脚内部有一个下拉电阻REN_DN（从EN到GND），允许EN引脚浮空时芯片保持关断状态。

芯片内置 软启动 功能，从EN上升沿开始输出电压在0.3ms内开始上升，VFB从0V到0.6V的软启动爬升时间为1ms。启动时，内部电容由内部电流源充电，产生软启动斜坡电压作为PWM比较器的参考电压。只有当该斜坡电压超过反馈电压VFB时，芯片才开始开关，确保从预偏置输出实现平滑启动。

6.4 保护功能详解

CXSD61225A/B集成了全面的保护功能：

• 逐周期过流保护（OCP）：高侧和低侧MOSFET均配备逐周期电流限制保护。高侧过流保护通过内部电流比较器在每个导通周期监测高侧MOSFET电流，超过峰值电流限制时立即关断高侧开关并导通低侧开关。低侧过流保护通过监测同步整流器电流，当电流超过谷值电流限制时抑制导通时间单稳态，直到电感电流降至限制水平以下。
• 负向过流保护（CXSD61225B）：在强制PWM模式下，当外部电源意外连接到输出端时，负向过流保护电路监测低侧MOSFET的负向电流，超过阈值时立即关断低侧MOSFET并导通高侧MOSFET放电。
• 输出欠压保护（UVP）打嗝模式：当反馈电压低于参考电压的 65% 时触发。芯片进入打嗝模式（关断15ms，尝试恢复1.8ms），直到故障消除。打嗝模式有效限制了故障状态下的输入电流和功率耗散。
• 输入欠压锁定（UVLO）：监测内部线性稳压器（VCC），确保内部稳压器就绪后才允许开关操作，防止未完全增强的内部MOSFET开关工作。
• 过温保护（OTP）：当结温超过 155°C 时，芯片停止开关；当温度降至 120°C 以下后，芯片自动恢复，并执行完整的软启动序列。

7. 基于CXSD61225A/B的应用设计实例

设计目标：一款机顶盒产品，需要从12V电源总线转换出5V/2A的供电轨，为主控芯片和音视频解码器供电。

• 系统配置：选用CXSD61225A（自动PSM模式，适合待机功耗要求），输入电压12V，输出电压5V，输出电流2A。根据推荐元件选型表：RFB1=73.2kΩ，RFB2=10kΩ，CFF=10-100pF（推荐47pF），电感 2.2μH，输出电容 22μF × 2（有效容值约18μF/颗），自举电容 0.1μF。
• 输出电压设置：VOUT = 0.6V × (1 + RFB1/RFB2) = 0.6V × (1 + 73.2kΩ/10kΩ) = 4.992V，满足5V要求。
• 电感选择：输入12V、输出5V、开关频率1.4MHz，设纹波电流为0.6A（30%额定电流），L = 5V × (12V - 5V) / (12V × 1.4MHz × 0.6A) = 2.08μH，选用标准值 2.2μH。
• 前馈电容选择：为优化瞬态响应，建议添加CFF。CFF ≈ 1 / (2π × BW) × sqrt(1/RFB1 × (1/RFB1 + 1/RFB2))。设BW≈100kHz，CFF≈33pF。
• 热设计：在12V输入、5V/2A输出条件下，效率约89.8%，功耗约0.91W。TSOT-23-6封装的θJA(EVB)为63.3°C/W，温升约57.6°C，在85°C环境温度下结温约142.6°C，超过125°C上限。建议适当增加铜箔面积或选用更低DCR的电感以提升效率。

8. PCB布局建议

• 高电流路径最短化：高电流路径（输入电容、高侧FET、电感、输出电容）应尽可能短，这对实现稳定、无抖动的操作至关重要，也是实现高效率的关键。
• 输入电容布局：输入MLCC电容应尽可能靠近VIN和GND引脚放置。主要MLCC电容应与CXSD61225A/B放在同一层。
• SW节点最小化：SW节点具有高频电压摆幅，应保持在小面积内。将模拟元件远离SW节点，防止寄生电容噪声耦合。
• 反馈网络布局：反馈网络应连接在输出电容后方。反馈元件应靠近FB引脚放置。
• 散热设计：为获得更好的热性能，应为GND引脚设计宽而厚的铜平面，或添加大量过孔连接到GND平面。对于2A输出应用，建议在器件下方和周围增加散热过孔。

图2. CXSD61225A/B引脚封装图（TSOT-23-6 FC）

9. 订购信息与技术支持

CXSD61225A/B采用超小封装，适用于空间受限的应用：

嘉泰姆电子提供工程样品、量产芯片及全面的技术支持，包括评估板、参考设计和FAE现场支持。如需获取更多技术资料或申请样品，请联系我们。