核心优势： 3A 输出电流 | 4.5V-18V 宽输入 | ACOT 超快瞬态响应 | 500kHz/650kHz 可选 | 100mΩ/50mΩ 低 RDS(ON) | PSM/强制PWM 可选 | ±1.5% 高精度反馈 | 可调/固定软启动可选 | 高低侧 FET 过流保护 | 打嗝模式 UVP | PGOOD 指示（8 引脚封装）| TSOT-23-6/8 封装 | 无铅/RoHS 合规。

 

1. 主要特点与技术亮点

• ACOT 控制架构：先进的恒定导通时间控制，实现超快速瞬态响应，无需外部补偿网络，支持低 ESR 陶瓷输出电容，减少外部元件数量。
• 省电模式（PSM）— CXSD61156A：轻载时自动进入省电模式，降低开关频率，维持全负载范围的高效率。
• 强制 PWM 模式 — CXSD61156B：固定频率工作，满足对输出电压纹波和调节精度有严格要求的应用。
• 集成低 RDS(ON) MOSFET：高侧 100mΩ、低侧 50mΩ，降低导通损耗，提升转换效率。
• 高精度反馈参考电压：0.8V 或 0.765V 可选，精度 ±1.5%。
• 内部/外部软启动：TSOT-23-6 封装提供内部固定软启动（典型 1ms）；TSOT-23-8 封装支持外部电容可调软启动，灵活适配不同启动需求。
• 高低侧 FET 逐周期过流保护：同时监测高侧峰值电流和低侧谷值电流，提供稳健的过流保护。
• 打嗝模式输出欠压保护：当反馈电压低于 50% 参考电压时进入打嗝模式（关断 4.8ms/恢复 1.6ms），降低短路功耗，故障移除后自动恢复。
• 电源良好指示（PGOOD）：TSOT-23-8 封装提供开漏 PGOOD 输出，实时监测输出电压状态。
• 双封装选项：TSOT-23-6（6 引脚，内部软启动）和 TSOT-23-8（8 引脚，外部可调软启动 + PGOOD），适配不同应用需求。

2. 极限参数与电气特性（设计参考）

符号	参数	最小值	最大值	单位
VIN	电源输入电压	-0.3	20	V
LX	开关节点电压（DC）	-0.3	VIN+0.3	V
LX (<50ns)	开关节点瞬态电压	-5	25	V
BOOT	自举电压	VLX-0.3	VIN+6.3	V
BOOT-LX	自举至开关电压	-0.3	6	V
其他引脚	逻辑/控制引脚	-0.3	6	V
PD	功耗 (TA=25°C)	—	1.667	W
TJ	结温范围	-40	150	°C
TSTG	存储温度	-65	150	°C
ESD (HBM)	人体模型	—	2	kV

参数	最小值	最大值	单位
VIN 输入电压	4.5	18	V
VOUT 输出电压	0.765/0.8	6.5	V
TJ 结温范围	-40	125	°C
TA 环境温度	-40	85	°C

参数	条件	典型值	单位
VIN 工作电压范围	—	4.5 – 18	V
VOUT 调节范围	—	0.8/0.765 – 6.5	V
开关频率	—	500	kHz
输出电流能力	—	3	A
反馈参考电压（0.8V 版本）	—	0.8	V
反馈参考电压（0.765V 版本）	—	0.765	V
反馈电压精度	—	±1.5	%
高侧导通电阻	—	100	mΩ
低侧导通电阻	—	50	mΩ
关断电流 (ISHDN)	EN=0V	≤5	μA
静态电流 (IQ)	VFB=0.85V	0.5	mA
谷值电流限值	—	4.5	A
高侧电流限值	—	7	A
软启动时间	0V ~ VREF VFB	1	ms
最小关断时间	—	240	ns
最小导通时间	—	60	ns
UVLO 上升阈值	—	3.9	V
EN 逻辑高阈值	—	1.5	V
EN 逻辑低阈值	—	1.28	V
过温保护阈值	—	150	°C
过温保护迟滞	—	20	°C
UVP 触发阈值	—	50	%VREF

参数	条件	典型值	单位
VIN 工作电压范围	—	4.5 – 18	V
开关频率	—	650	kHz
反馈参考电压	—	0.765	V
反馈电压精度	—	±1.5	%
高侧导通电阻	—	100	mΩ
低侧导通电阻	—	50	mΩ
谷值电流限值	—	4.5	A
高侧电流限值	—	7	A
最小关断时间	—	240	ns
最小导通时间	—	60	ns
SS 充电电流	—	6	μA
UVLO 上升阈值	—	3.75	V
UVP 触发阈值	—	62.5	%
PGOOD 上升阈值	VFB 上升	90	%
PGOOD 下降阈值	VFB 下降	85	%

3. 引脚功能说明

CXSD61156A/B 提供 TSOT-23-6（6 引脚）和 TSOT-23-8（8 引脚）两种封装。6 引脚封装提供内部固定软启动，8 引脚封装支持外部可调软启动和 PGOOD。

TSOT-23-6	TSOT-23-8	引脚名称	功能描述
1	1	GND	功率地，需焊接到大面积 PCB 铜区以增强散热。
2	2	LX	开关节点，连接外部电感。
3	3	VIN	电源输入，输入电压范围 4.5V~18V，需外接 ≥22μF 陶瓷电容。
—	4	PG	电源良好指示（仅 8 引脚封装），开漏输出，需外接上拉电阻。
—	5	SS	软启动时间设置（仅 8 引脚封装），外接电容至 GND 可调节软启动时间，建议 8.2nF。
4	6	FB	反馈电压输入，连接外部反馈电阻分压器中点以设置输出电压，反馈阈值 0.765V 或 0.8V。
5	7	EN	使能控制输入，高电平使能，低电平关断，不可悬空。
6	8	BOOT	自举电源，为高侧栅极驱动器供电，需外接 0.1μF 电容至 LX 引脚。

4. 典型应用电路

CXSD61156A/B 典型应用电路如下图所示。TSOT-23-6 封装内部固定软启动，TSOT-23-8 封装通过 SS 引脚外接电容实现可调软启动。建议输入电容 ≥ 22μF（X7R），输出电容 22μF×2（44μF），电感值推荐 2.2μH~4.7μF。

输出电压通过反馈电阻分压器设置，各版本推荐取值如下：

VOUT (V)	RFB1 (kΩ)	RFB2 (kΩ)	L (μH)	COUT (μF)	CFF (pF)
1.05	10.3	32.4	2.2	44	—
1.2	20.5	41.2	2.2	44	—
1.8	40.2	32.4	3.6	44	—
2.5	40.2	19.1	3.6	44	22 – 68
3.3	40.2	13.4	4.7	44	22 – 68
5.0	40.2	7.68	4.7	44	22 – 68

VOUT (V)	RFB1 (kΩ)	RFB2 (kΩ)	L (μH)	COUT (μF)	CFF (pF)
1.05	10.3	27	2.2	44	—
1.2	20.5	36	2.2	44	—
1.8	40.2	30	3.6	44	—
2.5	40.2	18	3.6	44	22 – 68
3.3	40.2	12.1	4.7	44	22 – 68
5.0	40.2	7.32	4.7	44	22 – 68

VOUT (V)	RFB1 (kΩ)	RFB2 (kΩ)	L (μH)	COUT (μF)	CFF (pF)
1.05	10.3	27	1.5	44	—
1.2	20.5	36	1.5	44	—
1.8	40.2	30	2.2	44	—
2.5	40.2	18	2.2	44	22 – 68
3.3	40.2	12.1	3.6	44	22 – 68
5.0	40.2	7.32	3.6	44	22 – 68

注：添加 CFF 前馈电容时，需在反馈网络与 FB 引脚之间串联 10kΩ 电阻。

5. 引脚封装图

CXSD61156A/B 提供 TSOT-23-6 (FC) 和 TSOT-23-8 (FC) 两种表面贴装封装，尺寸小巧，适合空间受限的便携设备和模块化产品。θJA 典型值为 60°C/W（四层 1oz 铜测试板）。

6. 工作原理与设计指导

6.1 ACOT 控制架构

CXSD61156A/B 采用 先进恒定导通时间（ACOT） 控制架构，提供超快速负载瞬态响应，无需外部补偿网络，支持低 ESR 陶瓷输出电容。反馈电压叠加虚拟电感电流斜坡后与参考电压比较，当组合信号低于参考电压且最小关断时间已过、电感电流低于限流阈值时，触发导通时间单稳态电路。导通时间与输入/输出电压成比例调整，实现伪固定频率（500kHz 或 650kHz）工作。ACOT 架构无需外部补偿，提供超快瞬态响应。

6.2 省电模式（PSM）— CXSD61156A

CXSD61156A 在轻载时自动进入 省电模式（PSM），维持高效率。当负载电流减小时，开关频率降低，从而减少开关损耗，提高轻载效率。

6.3 强制 PWM 模式 — CXSD61156B

CXSD61156B 采用 强制 PWM 模式，在整个负载范围内保持固定频率工作，满足对输出电压纹波和调节精度有严格要求的应用。

6.4 软启动（SS）

TSOT-23-6 封装提供 内部固定软启动（典型 1ms），有效抑制启动浪涌电流。TSOT-23-8 封装支持 外部可调软启动，通过 SS 引脚外接电容设置软启动时间。内部提供 6μA 充电电流，软启动时间计算公式：

6.5 过流保护（OCP）

芯片提供 高低侧 FET 逐周期过流保护。高侧峰值电流限值典型 7A，低侧谷值电流限值典型 4.5A。当感测的电流超过限值时，OCP 被触发，防止输出短路或过载损坏。

6.6 打嗝模式输出欠压保护（UVP）

当反馈电压 VFB 低于参考电压的 50%（6 引脚版本）或 62.5%（8 引脚版本）时触发 UVP。芯片进入 打嗝模式，关断约 4.8ms 后尝试恢复约 1.6ms。若故障消除则恢复正常工作；否则重复打嗝循环，有效降低短路功耗。

6.7 过温保护（OTP）

芯片包含 过温保护电路，当结温超过 150°C 时停止开关，待温度下降 20°C 后重新启动。

7. 应用信息

7.1 电感选择

推荐峰峰值纹波电流为负载电流的 20%~50%。电感值计算公式：

以 1.2V 输出、12V 输入、3A 负载为例：

电感峰值电流：

建议电感饱和电流额定值 ≥ 芯片电流限值（典型 4.5A），以确保瞬态条件下安全。

7.2 输入/输出电容选择

推荐使用 X5R/X7R 陶瓷电容。输入电容建议 ≥ 22μF，耐压 25V 以上。输出电容建议 22μF×2（44μF），需考虑 DC 偏置效应导致的有效容值下降。输出纹波电压：

7.3 前馈电容（CFF）

对于高输出电压应用（VOUT > 1.8V），建议在 RFB1 上并联前馈电容 CFF（22pF~68pF），可加快瞬态响应。添加 CFF 时需在反馈网络与 FB 引脚之间串联 10kΩ 电阻。

7.4 输出电压设置

通过外部反馈电阻分压器设置输出电压：

建议 R2 在 10kΩ~100kΩ 之间，使用 ±1% 精度电阻。

8. PCB 布局建议

• 高电流路径最短化：输入电容 → 高侧 FET → 电感 → 输出电容 的路径应尽可能短而宽，减少寄生电感和电阻。
• 输入电容放置：VIN 旁路电容应紧靠 VIN 和 GND 引脚放置，与 IC 在同一层。建议使用 ≥ 22μF (1206) 陶瓷电容。
• LX 节点：高频电压摆幅节点，应保持最小面积，减少 EMI 辐射。反馈网络等模拟元件应远离 LX 节点。
• 反馈网络：反馈电阻分压器应放置在输出电容之后，靠近 FB 引脚。FB 引脚走线应短而直，避免与 LX 节点平行。
• 地线处理：GND 应直接连接到低阻抗地平面，通过宽走线或过孔连接到内层地平面。
• 散热设计：TSOT-23-6/8 封装 θJA 典型值为 60°C/W（四层板），最大功耗 1.667W（TA=25°C）。建议增加铜箔面积和导热过孔改善散热。

9. 订购信息与技术支持

CXSD61156A/B 提供 TSOT-23-6 (FC) 和 TSOT-23-8 (FC) 两种封装，以及 0.8V 和 0.765V 两种参考电压版本，无铅、RoHS 合规，兼容 SnPb 或无铅焊接工艺。嘉泰姆电子提供工程样品、量产芯片及全面的技术支持，包括评估板、参考设计（原理图、BOM、PCB 布局）及 FAE 现场支持。

型号	轻载模式	参考电压	开关频率	软启动	PGOOD	封装
CXSD61156A	PSM	0.8V	500kHz	内部固定	—	TSOT-23-6
CXSD61156B	强制PWM	0.8V	500kHz	内部固定	—	TSOT-23-6
CXSD61156A	PSM	0.765V	500kHz	内部固定	—	TSOT-23-6
CXSD61156B	强制PWM	0.765V	500kHz	内部固定	—	TSOT-23-6
CXSD61156A	PSM	0.765V	650kHz	外部可调	✓	TSOT-23-8
CXSD61156B	强制PWM	0.765V	650kHz	外部可调	✓	TSOT-23-8