CXSD61154C/D 2A同步降压DC-DC转换器
4.5V-18V宽输入 | 800kHz开关频率 | ACOT控制 | TSOT-23-6封装

产品版本：Rev 1.0 | 更新日期：2026年8月 | 型号：CXSD61154C/D | 封装：TSOT-23-6 (FC)

嘉泰姆电子（JTM-IC）推出的 CXSD61154C/D 是一款高效、单片同步降压 DC-DC 转换器，输入电压范围 4.5V 至 18V，可提供高达 2A 的输出电流，输出电压可调（0.8V 至 6.3V）。芯片内部集成了低导通电阻的功率 MOSFET（高侧 163mΩ，低侧 86mΩ），在 TSOT-23-6 小型封装中实现高功率密度设计。采用 先进恒定导通时间（ACOT） 控制架构，提供超快速瞬态响应，支持小型陶瓷输出电容，无需复杂的外部补偿网络，开关频率高达 800kHz，允许使用更小的外部元件。

CXSD61154C 在轻载时自动进入 断续导通模式（DCM），维持高效率；CXSD61154D 则采用 强制 PWM 模式，满足对输出电压纹波和调节精度有严格要求的应用。芯片具备全面的保护功能，包括逐周期谷值电流限制（限流典型 3.3A）、输入欠压锁定（UVLO）、输出欠压打嗝保护（UVP）、输出过压保护（OVP）以及过温保护（OTP），确保系统在各类异常条件下安全可靠运行。该系列产品是机顶盒、便携电视、接入点路由器、DSL 调制解调器、LCD TV 等应用的理想选择。

1. 主要特点与技术亮点

• ACOT 控制架构：先进的恒定导通时间控制，实现超快速瞬态响应，无需外部补偿网络，支持低 ESR 陶瓷输出电容，减少外部元件数量。
• 800kHz 高开关频率：允许使用更小的电感和电容，显著减小方案尺寸，适合空间受限的便携设备。
• 断续导通模式（DCM）— CXSD61154C：轻载时自动进入断续模式，降低开关损耗，维持全负载范围的高效率。
• 强制 PWM 模式 — CXSD61154D：固定频率工作，满足对输出电压纹波和调节精度有严格要求的应用。
• 集成低 RDS(ON) MOSFET：高侧 163mΩ、低侧 86mΩ，降低导通损耗，提升转换效率。
• 内部软启动：典型软启动时间 1ms，有效抑制启动浪涌电流，支持预偏置输出启动。
• 逐周期谷值电流限制：通过低侧 MOSFET 谷值电流检测实现精准限流（典型 3.3A），防止输出短路或过载损坏。
• 打嗝模式输出欠压保护：当反馈电压低于 50% 参考电压时进入打嗝模式（关断 3.6ms/恢复 1.2ms），降低短路功耗，故障移除后自动恢复。
• 输出过压保护（OVP）：当输出电压超过设定值 125% 时触发保护，防止电压尖峰损坏负载。
• 外部自举二极管支持：在低输入电压或高占空比应用下，可外接自举二极管提升效率。

2. 极限参数与电气特性（设计参考）

3. 引脚功能说明

CXSD61154C/D 采用 TSOT-23-6 (FC) 封装，共 6 个引脚，在紧凑的尺寸内集成了完整的 2A 降压转换器。

4. 典型应用电路

CXSD61154C/D 典型应用电路如下图所示，外部仅需输入电容、输出电容、电感、反馈电阻分压器以及自举电容即可构成完整的 2A 同步降压电源方案。建议输入电容 ≥ 10μF（X7R），输出电容 22μF，电感值推荐 1.2μH~2.2μH。

输出电压通过反馈电阻分压器设置，RFB1 和 RFB2 推荐取值如下表所示（VREF=0.8V）：

注：对于低输出电压应用，可通过添加前馈电容（CFF）优化负载瞬态响应。

5. 引脚封装图

CXSD61154C/D 采用 TSOT-23-6 (FC) 表面贴装封装，尺寸小巧，适合空间受限的便携设备和模块化产品。θJA 典型值为 60°C/W（四层 1oz 铜测试板）。

6. 工作原理与设计指导

6.1 ACOT 控制架构

CXSD61154C/D 采用 先进恒定导通时间（ACOT） 控制架构，提供超快速负载瞬态响应，无需外部补偿网络，支持低 ESR 陶瓷输出电容。反馈电压叠加虚拟电感电流斜坡后与参考电压比较，当组合信号低于参考电压且最小关断时间已过、电感电流低于限流阈值时，触发导通时间单稳态电路。导通时间与输入/输出电压成比例调整，实现伪固定频率（800kHz）工作。ACOT 架构无需外部补偿，提供超快瞬态响应，尤其适合低输出电压和低占空比应用。

6.2 断续导通模式（DCM）— CXSD61154C

CXSD61154C 在轻载时自动进入 断续导通模式（DCM），维持高效率。当电感电流降至零时，低侧 MOSFET 关断，避免负向电流，降低开关损耗，提高轻载效率。

6.3 强制 PWM 模式 — CXSD61154D

CXSD61154D 采用 强制 PWM 模式，在整个负载范围内保持固定频率工作，满足对输出电压纹波和调节精度有严格要求的应用。

6.4 内部软启动（SS）

芯片内置 内部软启动，有效抑制启动浪涌电流。上电时内部电容由电流源充电产生软启动斜坡电压，输出电压平滑上升至目标值。软启动时间约为 1ms（VFB 从 0V 至 0.8V）。

6.5 过流保护（OCP）

芯片提供 低侧 MOSFET 谷值电流检测 的逐周期过流保护。当感测的谷值电感电流超过电流限值阈值（典型 3.3A）时，OCP 被触发，抑制导通时间触发直至电感电流降至限值以下，防止输出短路或过载损坏。高侧 MOSFET 峰值电流限值典型 5.8A。

6.6 打嗝模式输出欠压保护（UVP）

当反馈电压 VFB 低于参考电压的 50% 时触发 UVP。芯片进入 打嗝模式，关断约 3.6ms 后尝试恢复约 1.2ms。若故障消除则恢复正常工作；否则重复打嗝循环，有效降低短路功耗。

6.7 输出过压保护（OVP）

芯片具备 输出过压保护，当输出电压超过设定值 125% 时触发保护，防止电压尖峰损坏负载。

6.8 过温保护（OTP）

芯片包含 过温保护电路，当结温超过 150°C 时停止开关，待温度下降 20°C 后重新启动。

7. 应用信息

7.1 电感选择

推荐峰峰值纹波电流为负载电流的 40% 左右。电感值计算公式：

以 1.8V 输出、12V 输入、2A 负载为例：

电感峰值电流：

建议电感饱和电流额定值 ≥ 芯片电流限值（典型 3.3A），以确保瞬态条件下安全。

7.2 输入/输出电容选择

推荐使用 X5R/X7R 陶瓷电容。输入电容建议 ≥ 10μF，耐压 25V 以上。输出电容建议 22μF，需考虑 DC 偏置效应导致的有效容值下降。输出纹波电压：

7.3 前馈电容（CFF）

对于高输出电压应用（VOUT > 1.8V），建议在 RFB1 上并联前馈电容 CFF，可加快瞬态响应。CFF 值可通过以下公式估算，典型值参见推荐元件表。

7.4 输出电压设置

通过外部反馈电阻分压器设置输出电压：

建议 R2 在 10kΩ~100kΩ 之间，使用 ±1% 精度电阻。

8. PCB 布局建议

• 高电流路径最短化：输入电容 → 高侧 FET → 电感 → 输出电容 的路径应尽可能短而宽，减少寄生电感和电阻。
• 输入电容放置：VIN 旁路电容应紧靠 VIN 和 GND 引脚放置，与 IC 在同一层。建议使用 ≥ 10μF (0805/1206) 陶瓷电容。
• LX 节点：高频电压摆幅节点，应保持最小面积，减少 EMI 辐射。反馈网络等模拟元件应远离 LX 节点。
• 反馈网络：反馈电阻分压器应放置在输出电容之后，靠近 FB 引脚。FB 引脚走线应短而直，避免与 LX 节点平行。
• 地线处理：GND 应直接连接到低阻抗地平面，通过宽走线或过孔连接到内层地平面。
• 散热设计：TSOT-23-6 (FC) 封装 θJA 典型值为 60°C/W（四层板），最大功耗 1.667W（TA=25°C）。建议增加铜箔面积和导热过孔改善散热。

9. 订购信息与技术支持

CXSD61154C/D 采用 TSOT-23-6 (FC) 封装，无铅、RoHS 合规，兼容 SnPb 或无铅焊接工艺。嘉泰姆电子提供工程样品、量产芯片及全面的技术支持，包括评估板、参考设计（原理图、BOM、PCB 布局）及 FAE 现场支持。