核心优势： 5.5A 输出电流 | 4.5V-18V 宽输入 | ACOT 超快瞬态响应 | 支持所有陶瓷电容 | 650kHz 固定频率 | 80mΩ/35mΩ 低 RDS(ON) | 可调软启动 | 逐周期过流保护 | 打嗝/锁存 UVP 可选 | 输出 OVP 保护 | PGOOD 指示（TSSOP-14/WDFN-10L）| 三种封装可选 | 无铅/RoHS 合规。

 

1. 主要特点与技术亮点

• ACOT 控制架构：先进的恒定导通时间控制，实现超快速瞬态响应，无需外部补偿网络，支持低 ESR 陶瓷输出电容，减少外部元件数量。
• 集成低 RDS(ON) MOSFET：高侧 80mΩ、低侧 35mΩ，降低导通损耗，提升转换效率。
• 可调软启动：通过 SS 引脚外接电容（2.7nF~220nF）设置软启动时间，有效抑制启动浪涌电流，支持预偏置输出启动。
• 逐周期谷值电流限制：通过低侧 MOSFET 谷值电流检测实现精准限流，防止输出短路或过载损坏。
• 输出欠压保护（UVP）：TSSOP-14 封装采用锁存模式（需复位），SOP-8/WDFN-10L 采用打嗝模式（自动恢复），灵活适配不同系统需求。
• 输出过压保护（OVP）：当输出电压超过设定值 120% 时触发保护，防止电压尖峰损坏负载。
• 电源良好指示（PGOOD）：TSSOP-14 和 WDFN-10L 封装提供开漏 PGOOD 输出，实时监测输出电压状态。
• 外部自举二极管支持：在低输入电压或高占空比应用下，可外接自举二极管提升效率。
• 三种封装可选：TSSOP-14（Exposed Pad，带 PGOOD 和 VOUT 放电）、SOP-8（Exposed Pad，基本功能）、WDFN-10L 3×3（带 PGOOD），适配不同 PCB 空间和散热需求。

2. 极限参数与电气特性（设计参考）

符号	参数	最小值	最大值	单位
VIN, VINR	电源输入电压	-0.3	20	V
SW	开关节点电压（DC）	-0.3	VIN+0.3	V
SW (<10ns)	开关节点瞬态电压	-5	25	V
BOOT-SW	自举至开关电压	-0.3	6	V
EN, VOUT	使能/放电引脚	-0.3	20	V
其他引脚	逻辑/控制引脚	-0.3	6	V
PD (TSSOP-14 EP)	功耗 (TA=25°C)	—	2.5	W
PD (SOP-8 EP)	功耗 (TA=25°C)	—	2.041	W
PD (WDFN-10L 3×3)	功耗 (TA=25°C)	—	1.667	W
TJ	结温范围	-40	150	°C
TSTG	存储温度	-65	150	°C
ESD (HBM)	人体模型	—	2	kV

参数	最小值	最大值	单位
VIN 输入电压	4.5	18	V
VOUT 输出电压	0.765	7	V
TJ 结温范围	-40	125	°C
TA 环境温度	-40	85	°C

参数	条件	典型值	单位
VIN 工作电压范围	—	4.5 – 18	V
VOUT 调节范围	—	0.765 – 7	V
开关频率	—	650	kHz
输出电流能力	—	5.5	A
反馈参考电压	—	0.765	V
反馈电压精度	TA=-40°C~85°C	±1.3	%
高侧导通电阻	—	80	mΩ
低侧导通电阻	—	35	mΩ
关断电流 (ISHDN)	EN=0V	≤10	μA
静态电流 (IQ)	VFB=0.8V	1.1	mA
电流限值（谷值）	—	6.9	A
最小关断时间	—	260	ns
UVLO 唤醒阈值	VREG5 上升	3.85	V
UVLO 迟滞	—	0.35	V
EN 逻辑高阈值	—	2	V
EN 逻辑低阈值	—	0.4	V
过温保护阈值	—	150	°C
过温保护迟滞	—	20	°C
SS 充电电流	—	6	μA
OVP 触发阈值	—	120	%
UVP 触发阈值	—	70	%
PGOOD 上升阈值	VFB 上升	95	%

3. 引脚功能说明

CXSD61149A 提供三种封装选项。各封装引脚功能对照如下表所示（TSSOP-14 和 WDFN-10L 支持 PGOOD 功能，SOP-8 为基本功能版本）：

TSSOP-14	SOP-8	WDFN-10L	引脚名称	功能描述
1	—	—	VOUT	输出放电引脚（开漏），禁用时接地，需外接至输出端以启用放电功能。
2	2	2	FB	反馈电压输入，连接外部反馈电阻分压器中点以设置输出电压，反馈阈值 0.765V。
3	3	3	VREG5	内部 5.1V 稳压器输出，需外接 1μF 陶瓷电容去耦。
4	4	4	SS	软启动时间设置，外接电容至 GND 可调节软启动时间。
5	—	—	GND	模拟地（仅 TSSOP-14）。
6	—	5	PGOOD	电源良好指示（TSSOP-14/WDFN-10L），开漏输出，需外接上拉电阻。
7	1	1	EN	使能控制输入，高电平使能，低电平关断，关断电流 <10μA。
8, 9	5	11 (EP)	PGND	功率地，需焊接到大面积 PCB 铜区以增强散热。
10, 11	6, 7	6, 7	SW	开关节点，连接外部电感。
12	8	8	BOOT	自举电源，外接 0.1μF 电容至 SW 引脚。
13	9, 10	9, 10	VIN	电源输入，输入电压范围 4.5V~18V，需外接 ≥10μF×2 陶瓷电容。
14	—	—	VINR	内部线性稳压器电源输入（仅 TSSOP-14），需外接 0.1μF 陶瓷电容。
15 (EP)	9 (EP)	11 (EP)	PGND	散热焊盘，必须焊接到 PCB 地平面。

4. 典型应用电路

CXSD61149A 典型应用电路如下图所示。以 SOP-8 封装为例，外部仅需输入电容、输出电容、电感、反馈电阻分压器、补偿网络以及软启动电容即可构成完整的 5.5A 同步降压电源方案。建议输入电容 ≥ 10μF×2（X7R），输出电容 22μF~68μF，电感值推荐 1.4μH~3.3μH。SS 引脚外接电容设置软启动时间，COMP 引脚外接 RC 补偿网络。

输出电压通过反馈电阻分压器设置，RFB1 和 RFB2 推荐取值如下表所示（VREF=0.765V）：

VOUT (V)	RFB1 (kΩ)	RFB2 (kΩ)	CFF (pF)	L (μH)	COUT (μF)
1.0	6.81	22.1	—	1.4	22 – 68
1.05	8.25	22.1	—	1.4	22 – 68
1.2	12.7	22.1	—	1.4	22 – 68
1.8	30.1	22.1	5 – 22	2.2	22 – 68
2.5	49.9	22.1	5 – 22	2.2	22 – 68
3.3	73.2	22.1	5 – 22	2.2	22 – 68
5.0	124	22.1	5 – 22	3.3	22 – 68
7.0	180	22.1	5 – 22	3.3	22

5. 引脚封装图

CXSD61149A 提供 TSSOP-14（Exposed Pad）、SOP-8（Exposed Pad）和 WDFN-10L 3×3 三种封装，满足不同散热和 PCB 空间需求。热阻参数分别为 40°C/W、49°C/W 和 60°C/W（四层 1oz 铜测试板）。

6. 工作原理与设计指导

6.1 ACOT 控制架构

CXSD61149A 采用 先进恒定导通时间（ACOT） 控制架构，提供超快速负载瞬态响应，无需外部补偿网络，支持低 ESR 陶瓷输出电容。芯片通过监测输入电压和 SW 信号设定导通时间，确保开关频率在输入电压和负载范围内保持恒定（约 650kHz）。当反馈电压降至参考电压以下时，内部导通时间单稳态电路被触发，高侧 MOSFET 导通，实现快速响应。

6.2 可调软启动（SS）

芯片支持 外部可调软启动，通过 SS 引脚外接电容设置软启动时间。内部提供 6μA 充电电流，软启动时间计算公式：

推荐电容范围 2.7nF~220nF。例如使用 3.9nF 电容时，软启动时间约为 0.5ms。

6.3 过流保护（OCP）

芯片提供 低侧 MOSFET 谷值电流检测 的逐周期过流保护。当感测的谷值电感电流超过电流限值阈值（典型 6.9A）时，OCP 被触发，防止输出短路或过载损坏。

6.4 输出欠压保护（UVP）

当反馈电压 VFB 低于参考电压的 70% 时触发 UVP。TSSOP-14 封装采用 锁存模式（需通过 EN 或 VIN 复位），SOP-8 和 WDFN-10L 封装采用 打嗝模式（自动尝试恢复），灵活适配不同系统需求。

6.5 输出过压保护（OVP）

芯片具备 输出过压保护，当输出电压超过设定值 120% 时触发保护，防止电压尖峰损坏负载。

6.6 过温保护（OTP）

芯片包含 过温保护电路，当结温超过 150°C 时停止开关，待温度下降约 25°C 后重新启动。

6.7 电源良好指示（PGOOD）

TSSOP-14 和 WDFN-10L 封装提供 PGOOD 开漏输出，需外接上拉电阻。当 FB 电压高于参考电压的 95% 时，PGOOD 为高阻抗；当 FB 低于 85% 时，PGOOD 拉低。软启动和关断期间 PGOOD 保持低电平。

6.8 外部自举二极管

在输入电压低于 5.5V 或占空比高于 65% 的应用中，建议在 BOOT 引脚和外部 5V 电源之间外接自举二极管（如 1N4148 或 BAT54），可提升效率。

7. 应用信息

7.1 电感选择

推荐峰峰值纹波电流为负载电流的 20%~30%。电感值计算公式：

以 1.05V 输出、12V 输入、5.5A 负载为例：

建议电感饱和电流额定值 ≥ 芯片电流限值（典型 6.9A），以确保瞬态条件下安全。

7.2 输入/输出电容选择

推荐使用 X5R/X7R 陶瓷电容。输入电容建议 ≥ 10μF×2，耐压 25V 以上。输出电容建议 22μF~68μF，需考虑 DC 偏置效应导致的有效容值下降。

7.3 补偿网络设计

COMP 引脚外接 RC 串联网络（RC 和 CC）用于环路补偿，必要时可并联 CP 电容。推荐值参见典型应用电路表格。

7.4 输出电压设置

通过外部反馈电阻分压器设置输出电压：

建议 R2 在 10kΩ~100kΩ 之间，使用 ±1% 精度电阻。

8. PCB 布局建议

• 高电流路径最短化：输入电容 → 高侧 FET → 电感 → 输出电容 的路径应尽可能短而宽，减少寄生电感和电阻。
• 输入电容放置：VIN 旁路电容应紧靠 VIN 和 PGND 引脚放置，与 IC 在同一层。建议使用 ≥ 10μF×2 (1206) 陶瓷电容。
• SW 节点：高频电压摆幅节点，应保持最小面积，减少 EMI 辐射。反馈网络等模拟元件应远离 SW 节点。
• 反馈网络：反馈电阻分压器应放置在输出电容之后，靠近 FB 引脚。FB 引脚走线应短而直，避免与 SW 节点平行。
• 地线处理：PGND 和 AGND（TSSOP-14）应分开走线，在 Exposed Pad 处单点连接。Exposed Pad 必须焊接到地平面，并添加多个导热过孔以改善散热。
• 散热设计：三种封装热阻不同，TSSOP-14（40°C/W）散热最佳，WDFN-10L（60°C/W）次之，SOP-8（49°C/W）居中。根据实际功耗选择合适的封装。

9. 订购信息与技术支持

CXSD61149A 提供 TSSOP-14（Exposed Pad）、SOP-8（Exposed Pad）和 WDFN-10L 3×3 三种封装选项，无铅、RoHS 合规，兼容 SnPb 或无铅焊接工艺。嘉泰姆电子提供工程样品、量产芯片及全面的技术支持，包括评估板、参考设计（原理图、BOM、PCB 布局）及 FAE 现场支持。