CXLB73364H 全集成单节锂离子电池线性充电IC
4.35V充电电压 | 28V耐压 | 可编程充电电流 | 工厂模式(4.35V/2.3A) | 内置50mA LDO

产品版本：Rev 1.0 | 更新日期：2026年7月 | 型号：CXLB73364H | 封装：WDFN-10（3x2mm）

嘉泰姆电子（JTM-IC）推出的 CXLB73364H 是一款全集成、高性价比的单节锂离子电池线性充电管理芯片，专为便携式应用设计。该芯片支持 AC 适配器输入，输入引脚耐压高达 28V，内置 6.9V 过压保护（OVP），可承受适配器热插拔和电压尖峰，极大增强系统可靠性。CXLB73364H 的 充电电压为 4.35V，适用于支持高电压充电的锂离子电池，可提供更高的能量密度和更长的续航时间。充电电流可通过外部电阻 ISET 引脚 编程设定，同时通过 EN/SET 引脚脉冲计数 可灵活选择 USB100（100mA）、USB500（500mA）、ISET 模式（外部电阻设定）和 工厂模式（4.35V/2.3A 直通），适配不同应用场景。芯片还集成了 50mA 低压差线性稳压器（LDO，4.9V），可为外围低功耗电路供电。内置 热回馈调节 电路（125度C 热调节，155度C 热关断），可在芯片温度升高时自动降低充电电流，确保在任意环境温度下都能以最大安全速率充电。CXLB73364H 还支持 预充模式（电池低于 2.5V 时以 10%~20% 快充电流预充）、充电终止电流可编程（通过 IEOC 引脚）、电源正常指示（PGB）和 充电状态指示（CHGSB）。采用小型 WDFN-10（3x2mm） 封装，适用于手机、数码相机、PDA、便携仪器等设备，尤其适合 4.35V 高电压电池应用。

1. 产品概述与市场定位

在手机、数码相机、PDA、便携仪器等电池供电设备中，充电管理方案需要兼顾成本、尺寸、灵活性和可靠性。CXLB73364H 作为一款 线性充电管理芯片，其核心优势在于 高输入耐压（28V） 和 4.35V 高电压充电。芯片支持 AC 适配器输入（最高 28V 耐压），内置 6.9V 过压保护，可有效防止适配器异常或热插拔产生的高压尖峰损坏芯片和电池。

与标准 4.2V 版本相比，CXLB73364H 的 4.35V 充电电压 可为锂离子电池提供更高的能量密度（约 5%~10% 容量提升），延长设备续航时间，特别适合对续航有较高要求的便携设备。芯片的 EN/SET 引脚脉冲计数 功能是其特色之一：通过向 EN/SET 引脚发送不同数量的脉冲（100us~700us 高电平脉冲），可轻松切换 USB100（100mA）、USB500（500mA）、ISET 模式（外部电阻设定充电电流）和 工厂模式。工厂模式下，BATT 引脚可输出 4.35V/2.3A 的电源，为无电池状态下的系统供电（如工厂测试或首次开机），极大方便了生产测试。芯片还集成了 50mA LDO（4.9V），可为外部低功耗电路（如 RTC、传感器等）直接供电，无需额外 LDO 芯片，降低 BOM 成本。热回馈调节 电路在芯片温度超过 125度C 时自动降低充电电流，将温度控制在安全范围内；充电终止电流可编程（通过 IEOC 引脚），用户可根据电池特性灵活设定终止电流比例（5%~50% 快充电流）。CXLB73364H 采用小型 WDFN-10（3x2mm） 封装，是空间受限、对电源灵活性有高要求的便携设备的理想选择。

2. 主要特点与技术亮点

• 4.35V 高电压充电：充电电压 4.35V，支持高电压锂离子电池，相比传统 4.2V 电池可提供更高的能量密度和更长的续航时间。
• 高输入耐压：VIN 引脚耐压 28V，内置 6.9V 过压保护（OVP），可承受适配器热插拔尖峰和电压波动，极大增强系统鲁棒性。
• 灵活的充电模式：通过 EN/SET 引脚脉冲计数切换 USB100（100mA）、USB500（500mA）、ISET 模式（外部电阻设定）和工厂模式（4.35V/2.3A 直通），适配不同应用场景。
• 可编程充电电流：ISET 引脚外接电阻设定快充电流（最大 1A），计算公式 I_CHG = K_ISET / R_ISET（K_ISET = 530）。
• 4.35V 工厂模式：无电池时可输出 4.35V/2.3A 为系统供电，支持高电压电池平台，方便生产测试和首次开机，热关断仍有效，热调节功能关闭。
• 内置 50mA LDO：4.9V/50mA 输出，为外部低功耗电路（RTC、传感器等）供电，无需额外 LDO，降低 BOM 成本。
• 热回馈优化充电：芯片内核温度超过 125度C 时自动降低充电电流，防止过热，确保在任意环境温度下都能以最大安全速率充电。155度C 热关断提供终极保护。
• 可编程终止电流：IEOC 引脚外接电阻设定终止电流比例（5%~50% 快充电流），灵活适配不同电池特性。
• 完善的保护机制：包括输入欠压保护（POR，3.3V）、输入过压保护（OVP，6.9V）、电池过压保护（4.35V）、预充模式（2.5V 以下低电流充电）、自动复充（电池电压下降后重启）、热调节/热关断等。
• 状态指示输出：提供电源正常指示（PGB，开漏）和充电状态指示（CHGSB，开漏），充电时 CHGSB 低电平，充电完成/故障时高阻；PGB 在输入电源正常时低电平。

3. 典型应用电路

CXLB73364H 的典型应用电路包括：VIN 接适配器输入（最高 28V 耐压），BATT 接 4.35V 高电压电池，ISET 外接电阻设定充电电流，IEOC 外接电阻设定终止电流比例，EN/SET 引脚通过脉冲计数切换模式，LDO 输出 4.9V/50mA 供外围电路，CHGSB 和 PGB 提供状态指示输出。

图1. 典型应用电路

4. 极限参数与电气特性（设计参考）

5. 工作原理与设计指导

5.1 充电模式与脉冲计数控制

CXLB73364H 的充电模式通过 EN/SET 引脚脉冲计数进行灵活配置：

EN/SET 引脚脉冲要求：高电平持续时间 100us~700us，低电平持续时间 100us~700us。EN/SET 拉低 1.5ms 后锁定脉冲计数并切换模式，拉高 1.5ms 以上则关闭充电器。

5.2 充电过程（三阶段充电）

CXLB73364H 采用优化的充电控制算法，自动完成以下三个阶段：

• 预充模式：当电池电压低于 2.5V 时，以快充电流的 10%~20%（USB100 模式下固定 95mA）进行预充电，保护深度放电电池。
• 快充模式（恒流）：当电池电压超过 2.5V 后，进入恒流充电阶段。充电电流由模式决定：USB100（95mA）、USB500（395mA）或 ISET 模式（外部电阻设定，最大 1A）。
• 恒压模式：当电池电压接近 4.35V 时，充电电流逐渐减小，直至降至终止电流阈值（由 IEOC 引脚设定，5%~50% 快充电流）时充电终止，CHGSB 引脚变为高阻。

5.3 4.35V 工厂模式

工厂模式（脉冲数=3）下，BATT 引脚输出 4.35V/2.3A 电源，为无电池状态下的系统供电。相比标准 4.2V 版本，4.35V 工厂模式支持更高电压的电池，适用于高能量密度电池应用。工厂模式下热调节功能关闭，但 155度C 热关断仍有效。当电流超过 1.5A 时，需限制占空比（最大电流 20%，周期 10ms）。

5.4 内置 LDO

芯片集成 4.9V/50mA LDO，输入电压在 POR 阈值和 OVP 阈值之间时始终有效，不受 EN/SET 控制。LDO 可为外部低功耗电路（RTC、传感器等）直接供电，无需额外 LDO 芯片。

5.5 充电终止电流设定

IEOC 引脚外接电阻 R_EOC 设定终止电流比例：I_EOC(%) = R_EOC / 200（K_EOC = 200）。例如 R_EOC = 20k欧姆 时，终止电流为快充电流的 10%。终止电流比例范围 5%~50%。

5.6 热回馈调节与热关断

芯片内部热回馈电路监测内核温度：当温度超过 125度C 时，自动降低充电电流，将温度控制在安全范围内；若温度继续上升至 155度C，芯片关断充电 MOSFET，待温度降至 135度C（155度C - 20度C）后恢复。

5.7 状态指示

芯片提供两个开漏输出引脚：CHGSB：充电进行时低电平，充电完成或故障时高阻；PGB：输入电源正常时低电平，输入欠压/过压或无效时高阻。PGB 具有防抖动延迟功能，确保状态稳定。

6. 基于 CXLB73364H 的高电压电池充电设计实例

设计目标：一款手持设备，内置 2000mAh 4.35V 高电压锂聚合物电池，支持 AC 适配器（5V/1A）充电，系统需要 4.9V/50mA 辅助电源，要求支持工厂模式以便生产测试，利用 4.35V 电池提升续航。

• 系统配置：选用 CXLB73364H，VIN 接适配器输入，BATT 接 4.35V 电池保护板，ISET 电阻设定快充电流为 1A（R_ISET 约 530欧姆），IEOC 电阻设定终止电流为快充电流的 10%（R_EOC = 20k欧姆），LDO 输出 4.9V 供 RTC 电路，CHGSB 和 PGB 接 LED 指示。EN/SET 引脚接 MCU GPIO，通过脉冲计数切换模式（正常使用时配置为 ISET 模式，生产测试时配置为工厂模式）。
• 充电性能：1A 充电电流，约 2.5 小时充满（考虑恒压阶段）。USB 模式下 500mA 约 5 小时充满，100mA 约 25 小时充满。
• 4.35V 电池优势：相比传统 4.2V 电池，4.35V 电池可提供约 5%~10% 的额外容量，设备续航时间更长。
• 工厂模式应用：生产测试时，MCU 发送 3 个脉冲使芯片进入工厂模式，BATT 输出 4.35V/2.3A 为系统供电，无需安装电池即可完成功能测试。
• PCB 布局：输入电容靠近 VIN，ISET 和 IEOC 电阻远离噪声源，PGND 大面积铺铜散热。

7. PCB 布局建议

• 输入电容：VIN 引脚附近放置 1uF 陶瓷电容，尽量靠近芯片引脚，以滤除输入噪声。长线缆应用建议增加 10uF 电容。
• 输出电容：BATT 引脚附近放置 1uF 陶瓷电容，确保充电稳定性。
• ISET 和 IEOC 电阻：使用 1% 精度电阻，走线应远离功率和噪声源，以保证电流设定精度。
• LDO 输出电容：LDO 引脚附近放置 1uF 陶瓷电容，确保 LDO 稳定性。
• 散热设计：芯片底部裸露焊盘必须焊接至 PCB 地平面，并采用多个过孔连接至底层地平面，确保充电时的良好散热。根据热设计公式 P_D(MAX) = (T_J(MAX) - T_A) / theta_JA，在 T_A=25度C 时最大功耗约 2.27W（theta_JA=44度C/W）。
• 地线布局：AGND 和 PGND 在芯片下方单点连接，避免大电流地回路干扰。
• EN/SET 走线：EN/SET 为脉冲计数输入，走线应避免噪声耦合，必要时可串接小电阻。
• 状态指示：CHGSB 和 PGB 为开漏输出，需外接上拉电阻（典型 10k欧姆）至逻辑电源，再驱动 LED。

8. 订购信息与技术支持

CXLB73364H 采用 WDFN-10（3x2mm）封装，无铅、RoHS 合规。嘉泰姆电子提供工程样品、量产芯片及全面的技术支持，包括评估板、参考设计和 FAE 现场支持。