CXLB73358 全集成单节锂离子电池线性充电IC
1A充电电流 | AC适配器输入 | 18V耐压 | 热回馈调节

产品版本：Rev 1.0 | 更新日期：2026年7月 | 型号：CXLB73358 | 封装：WDFN-10（3x3mm）

嘉泰姆电子（JTM-IC）推出的 CXLB73358 是一款全集成、高性价比的单节锂离子电池线性充电管理芯片，专为便携式应用设计。该芯片支持 AC 适配器 输入供电，输入引脚耐压高达 18V，可承受高压尖峰，增强系统可靠性。芯片内部集成了功率 P-MOSFET、电流检测电路、热回馈调节和完整的充电控制逻辑，仅需极少外部元件即可实现完整的充电方案。充电电流可通过外部电阻设定，最高可达 1A。芯片内置 热回馈调节 电路，可在芯片温度升高时自动降低充电电流，防止过热，确保在任意环境温度下都能以最大安全速率充电。CXLB73358 还集成了 欠压保护（UVLO）、过压保护（OVP，典型值 6.5V）、自动复充 功能，并提供电源正常指示（PGOOD）和充电状态指示（CHG_S）。采用小型 WDFN-10（3x3mm） 封装，适用于数码相机、手机、PDA、MP3 播放器、手持设备等便携产品。

1. 产品概述与市场定位   

在数码相机、手机、PDA、MP3 播放器等便携式电池供电产品中，充电管理方案需要在成本、尺寸和可靠性之间取得良好平衡。CXLB73358 作为一款 线性充电管理芯片，采用全集成设计，将充电控制逻辑、功率 MOSFET、电流检测和多种保护功能整合在单颗芯片中。其核心优势在于 高输入耐压（18V）和 过压保护（典型值 6.5V），可有效防止因适配器异常或热插拔产生的电压尖峰损坏芯片和电池，特别适合在电源环境复杂的便携设备中使用。

芯片集成的 热回馈调节 电路是其另一重要特色：当芯片内核温度超过 125C 时，热回馈电路自动降低充电电流，将温度控制在安全范围内，允许在高温环境下以最优速率充电，避免芯片过热损坏。自动复充 功能在电池电压因自放电或负载消耗降至再充电阈值（低于 VREG 约 100mV）时自动启动新的充电周期，确保电池始终保持在满电状态。充电过程分为 预充模式（电池电压低于 2.8V 时以快充电流的 10% 充电）、快充模式（恒流）和 恒压模式，当充电电流降至终止电流阈值（约为快充电流的 10%）时自动终止。CXLB73358 采用小型 WDFN-10（3x3mm） 封装，是空间受限、成本敏感的便携设备的理想充电方案。

2. 主要特点与技术亮点

• 高输入耐压：AC 适配器输入引脚耐压 18V，内置 6.5V 过压保护（OVP），有效防止适配器异常或热插拔尖峰损坏芯片。
• 灵活的充电电流配置：通过 ISETA 引脚外接电阻设定充电电流，范围 100mA~1.2A，计算公式 I_CHG = 300 x (2.5V / R_ISETA)。
• 热回馈优化充电：芯片内部热回馈电路监测内核温度，当温度超过 125C 时自动降低充电电流，防止过热，确保在任意环境温度下都能以最大安全速率充电。
• 完整的充电流程：支持预充模式（电池<2.8V 时，以快充电流的 10% 充电）、快充模式（恒流）和恒压模式，充电终止电流为快充电流的 10%。
• 自动复充功能：充电完成后，当电池电压因自放电或负载消耗降至低于 VREG 约 100mV 时，芯片自动启动新的充电周期，确保电池始终保持满电状态。
• 完善的保护机制：包括输入欠压保护（UVLO，4.4V 开启）、输入过压保护（OVP，6.5V 关断）、电池过压保护，确保充电过程安全可靠。
• 状态指示输出：提供电源正常指示（PGOOD，开漏）和充电状态指示（CHG_S，开漏），充电时 CHG_S 导通（低电平），PGOOD 导通；充电完成时 CHG_S 关断，PGOOD 导通。
• 使能控制：EN 引脚低有效，可灵活控制充电开启/关断，方便系统电源管理。
• 极简外围电路：内部集成功率 MOSFET 和电流检测，仅需少量电阻、电容即可构成完整充电方案，BOM 成本低。

3. 典型应用电路

CXLB73358 的典型应用电路极为简洁：AC 适配器输入连接 ACIN 引脚（耐压 18V），BATT 引脚连接电池正极。ISETA 引脚外接电阻设定充电电流，EN 引脚低电平使能充电，CHG_S 和 PGOOD 提供状态指示输出。建议在 ACIN 和 BATT 引脚各放置 1uF 陶瓷电容。

4. 极限参数与电气特性（设计参考）

5. 工作原理与设计指导

5.1 充电过程（三阶段充电）

CXLB73358 采用优化的充电控制算法，自动完成以下三个阶段：

• 预充模式：当电池电压低于预充阈值（典型 2.8V）时，以快充电流的 10%（典型值）进行预充电，保护深度放电电池，延长电池寿命。
• 快充模式（恒流）：当电池电压超过预充阈值后，进入恒流充电阶段。充电电流由 ISETA 引脚外接电阻设定，范围 100mA~1.2A，计算公式为 I_CHG = 300 x (2.5V / R_ISETA)。
• 恒压模式：当电池电压接近 4.2V 时，充电电流逐渐减小，直至降至终止电流阈值（典型为快充电流的 10%）时，充电终止。

5.3 热回馈调节

芯片内部集成了热回馈电路，实时监测内核温度。当芯片温度升高至热调节阈值（典型 125C）时，热回馈电路自动降低充电电流，将芯片温度控制在安全范围内。该功能允许芯片在高温环境下仍能以最优速率充电，同时避免过热损坏，使系统设计更加可靠。

5.4 自动复充

充电完成后，芯片持续监测电池电压。当电池电压因自放电或负载消耗降至低于 VREG 约 100mV 时，芯片自动启动新的充电周期，确保电池始终保持满电状态。这一功能特别适合长期连接电源的应用场景。

5.5 状态指示

芯片提供两个开漏输出引脚：CHG_S（充电状态指示）：充电进行时输出低电平（导通），充电完成或故障时输出高阻；PGOOD（电源正常指示）：输入电源有效时输出低电平（导通），电源异常时输出高阻。两个引脚均可直接驱动 LED 指示灯，方便用户了解系统状态。

5.6 保护机制

• 输入欠压保护（UVLO）：AC 输入电压低于 4.4V 时停止充电，防止适配器过载或异常。
• 输入过压保护（OVP）：AC 输入超过 6.5V（典型值）时停止充电，保护芯片和电池。AC 输入引脚耐压 18V，可承受高压尖峰。
• 电池过压保护：电池电压超过 4.2V 时停止充电，防止过充。
• 自动复充：充电完成后，当电池电压降至低于 VREG 约 100mV 时自动重启充电。
• 过温保护：内核温度超过 125C 时热回馈调节开始降低电流，超过 150C 时关断。

6. 基于 CXLB73358 的便携设备充电设计实例

• 系统配置：选用 CXLB73358，ACIN 接 DC 插座（5V/1A 适配器），BATT 接电池保护板。ISETA 电阻设定充电电流为 1A（R_ISETA = 300 x 2.5V / 1A = 750 欧姆，选用 750 欧姆电阻）。EN 接低电平使能充电。CHG_S 和 PGOOD 分别接 LED 指示灯。建议在 ACIN 和 BATT 各放置 1uF 陶瓷电容。
• 充电性能：1A 充电电流，约 2.5 小时充满（考虑恒压阶段）。预充阶段以 100mA 电流唤醒深度放电电池。
• 保护优势：6.5V OVP 可有效防止适配器电压异常升高损坏设备，18V 耐压增强系统可靠性。
• PCB 布局：输入电容靠近 ACIN 引脚，ISETA 电阻远离噪声源，PGND 大面积铺铜散热。

7. PCB 布局建议

• 输入电容：ACIN 引脚附近放置 1uF 陶瓷电容，尽量靠近芯片引脚，以滤除输入噪声。
• 输出电容：BATT 引脚附近放置 1uF 陶瓷电容，确保充电稳定性。
• ISETA 电阻：ISETA 引脚外接电阻应使用 1% 精度电阻，走线应远离功率和噪声源，以保证电流设定精度。
• 散热设计：芯片底部裸露焊盘（Exposed Pad）必须焊接至 PCB 地平面，并采用多个过孔连接至底层地平面，确保 1A 充电时的良好散热。根据热设计公式 P_D(MAX) = (T_J(MAX) - T_A) / theta_JA，在 T_A=25C 时最大功耗约 0.926W（theta_JA=108C/W）。
• 地线布局：AGND 和 PGND 在芯片下方单点连接，避免大电流地回路干扰。
• 状态指示：CHG_S 和 PGOOD 为开漏输出，需外接上拉电阻（典型 10k 欧姆）至逻辑电源，再驱动 LED。
• 使能控制：EN 引脚低有效，如需常开可接 GND，如需控制可接 GPIO。

8. 订购信息与技术支持

CXLB73358 采用 WDFN-10（3x3mm）封装，无铅、RoHS 合规。嘉泰姆电子提供工程样品、量产芯片及全面的技术支持，包括评估板、参考设计和 FAE 现场支持。