CXMS5219SG Series Dual P-channel enhancement mode field-effect transistor, produced with high cell density DMOS trench technology, which is especially used to minimize on-state resistance

发布时间：2020-04-06 09:43:38 浏览次数：703 作者：嘉泰姆

摘要：CXMS5219SG Series Dual P-channel enhancement mode field-effect transistor, produced with high cell density DMOS trench technology, which is especially used to minimize on-state resistance

CXMS5219SG Series Dual P-channel enhancement mode field-effect transistor, produced with high cell density DMOS trench technology, which is especially used to minimize on-state resistance. This device particularly suits low voltage .

产品特点 返回TOPQre嘉泰姆

l -30V/-6A RDS(ON) =52mΩ@ VGS=-10V,ID=-6A RDS(ON) =67mΩ@ VGS=-4.5V,ID=-4A Qre嘉泰姆

l High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance Qre嘉泰姆

l Surface mount package:SOP8Qre嘉泰姆

应用范围 返回TOPQre嘉泰姆

l Power management Qre嘉泰姆

l Load switch Qre嘉泰姆

l Battery protectionQre嘉泰姆

技术规格书（产品PDF) 返回TOP Qre嘉泰姆

需要详细的PDF规格书请扫一扫微信联系我们，还可以获得免费样品以及技术支持</span>！</span>
Qre嘉泰姆

Qre嘉泰姆

产品封装图 返回TOPQre嘉泰姆

Qre嘉泰姆

电路原理图 返回TOPQre嘉泰姆

Qre嘉泰姆

相关芯片选择指南返回TOP 更多同类产品......

Qre嘉泰姆

MOSFET(金属氧化层半导体场效应晶体管)>>>MOSFET(金属氧化层半导体场效应晶体管)Qre嘉泰姆
PartQre嘉泰姆	ModeQre嘉泰姆	VDS(Max)Qre嘉泰姆	VGSQre嘉泰姆	ID(Max)Qre嘉泰姆	RDS(on)Qre嘉泰姆	ApplicationQre嘉泰姆	PackageQre嘉泰姆
NumberQre嘉泰姆	ModeQre嘉泰姆	VDS(Max)Qre嘉泰姆	VGSQre嘉泰姆	ID(Max)Qre嘉泰姆	RDS(on)Qre嘉泰姆	ApplicationQre嘉泰姆	PackageQre嘉泰姆
CXMS5214Qre嘉泰姆	P channelQre嘉泰姆	-20VQre嘉泰姆	-8VQre嘉泰姆	-2.8AQre嘉泰姆	93mΩQre嘉泰姆	①②③④⑤</span>Qre嘉泰姆	SOT23/SOT23-3Qre嘉泰姆
CXMS5214-NQre嘉泰姆	P channelQre嘉泰姆	-20VQre嘉泰姆	-12VQre嘉泰姆	-3.1AQre嘉泰姆	77mΩQre嘉泰姆	①②③④⑤</span>Qre嘉泰姆	SOT23Qre嘉泰姆
CXMS5215Qre嘉泰姆	P channelQre嘉泰姆	-30VQre嘉泰姆	-12VQre嘉泰姆	-4.2AQre嘉泰姆	55mΩQre嘉泰姆	①②③④⑤⑥⑦⑧Qre嘉泰姆	SOT23/SOT23-3Qre嘉泰姆
CXMS5215-NQre嘉泰姆	P channelQre嘉泰姆	-30VQre嘉泰姆	-20VQre嘉泰姆	-2.9AQre嘉泰姆	92mΩQre嘉泰姆	①②③④⑤⑥⑦⑧Qre嘉泰姆	SOT23Qre嘉泰姆
CXMS5216Qre嘉泰姆	P channelQre嘉泰姆	-30VQre嘉泰姆	-20VQre嘉泰姆	-4.1AQre嘉泰姆	46mΩQre嘉泰姆	①②③④⑤⑥⑦⑧Qre嘉泰姆	SOT23/SOT23-3Qre嘉泰姆
CXMS5217Qre嘉泰姆	P channelQre嘉泰姆	-30VQre嘉泰姆	-20VQre嘉泰姆	-6AQre嘉泰姆	46mΩQre嘉泰姆	①②③④⑤⑥⑦⑨Qre嘉泰姆	SOP8/SOT89-3Qre嘉泰姆
CXMS5218Qre嘉泰姆	Double PQre嘉泰姆	-30VQre嘉泰姆	-20VQre嘉泰姆	-6AQre嘉泰姆	53mΩQre嘉泰姆	①②③④⑤⑥⑦⑧Qre嘉泰姆	SOP8Qre嘉泰姆
CXMS5219Qre嘉泰姆	Double PQre嘉泰姆	-30VQre嘉泰姆	-20VQre嘉泰姆	-6AQre嘉泰姆	46mΩQre嘉泰姆	①②③④⑤⑥⑦⑧Qre嘉泰姆	SOP8Qre嘉泰姆
Applications： ①Mobile phone②MID③GPS④DC/DC Converter⑤Load Switch⑥Power Management Notebook⑦LCD Display Inverter⑧Battery powered system⑨Battery ProtectionQre嘉泰姆

文章标签

暂无标签

上一篇： CXMS5218SG Series Dual P-channel enhancement mode field-effect transistor ,produced with high cell density DMOS trench technology, which is especially used to minimize on-state resistance.

下一篇： CXMS5222 CXMS5222-N N-channel enhancement mode field-effect transistor ,produced with high cell density DMOS trench technology, which is especially used to minimize on-state resistance

相关推荐

暂无相关推荐

发表评论

共有条评论

用户名: 密码:

验证码: 匿名发表

最新信息

热门信息

推荐信息

头条信息

CXMS5219SG Series Dual P-channel enhancement mode field-effect transistor, produced with high cell density DMOS trench technology, which is especially used to minimize on-state resistance

目录