CXDR7526为微处理器和电子系统提供低功耗电压检测 芯片,具高精度低温漂的特点。该系列产品检测电压以0.1V为单位 覆盖从1.5V至5V的电压范围,基本涵盖大部分电子产品的需求。低 静态电流是其重要的优点

发布时间:2020-04-06 09:43:38 浏览次数:718 作者:嘉泰姆 来源:1
摘要:CXDR7526为微处理器和电子系统提供低功耗电压检测 芯片,具高精度低温漂的特点。该系列产品检测电压以0.1V为单位 覆盖从1.5V至5V的电压范围,基本涵盖大部分电子产品的需求。低 静态电流是其重要的优点

,产品概述(General Description)         
        CXDR7526系列是为微<span style="padding: 0px; margin: 0px;text-decoration:underline;">处理器</span>和电子系统提供低功耗</span>电压检测<br style="padding: 0px; margin: 0px;"/>芯片,具高精度低温漂的特点。该系列产品检测电压以0.1V为单位<br style="padding: 0px; margin: 0px;"/>覆盖从1.5V至5V的电压范围,基本涵盖大部分电子产品的需求。低
静态<span style="padding: 0px; margin: 0px;text-decoration:underline;">电流
是其重要的<span style="padding: 0px; margin: 0px;text-decoration:underline;">优点
。产品系列中包含了CMOS输出和漏端开路<br style="padding: 0px; margin: 0px;"/>的N管输出。由于<span style="padding: 0px; margin: 0px;text-decoration:underline;">内置
延时,减少了应用电路中的外围器件,可提供手<br style="padding: 0px; margin: 0px;"/>工复位的功能。&nbsp;
二</span>.产品特点(Features)
输出电压精度高:精度可达±2.0% 
低功耗: 小于1.5μA 
产品检测范围 1.5V ~ 5.0V 0.1V步进 
工作电压范围: 0.7V-7.0V 
检测电压温度特性: ±100ppm/℃(typ.) 
内置延时: 典型值50ms,100ms,200ms,400ms可选&nbsp;
输出配置: N-channel open drain或CMOS 
工作电压=0.7-7.0V 
延迟=Y 
静态功耗=1.5uA 
输出方式=N-channel open drain or CMOS 
封装形式:SOT-143 

三</span>,应用范围 (Applications)
微处理器复位电路 
存储器<span style="padding: 0px; margin: 0px;text-decoration:underline;">电池备份电路 

上电复位电路 
供电失效检测&nbsp;
系统电池寿命和充电电压监测&nbsp;
延迟电路 

Mrg嘉泰姆

四.下载产品资料PDF文档 Mrg嘉泰姆

   需要详细的PDF规格书请扫一扫微信联系我们,还可以获得免费样品以及技术支持</span>!</span>Mrg嘉泰姆

 QQ截图20160419174301.jpgMrg嘉泰姆

五,产品封装图 (Package)Mrg嘉泰姆


六.电路原理图</span>
blob.pngMrg嘉泰姆

  • 七</span>,功能概述
    Mrg嘉泰姆

  • 参数Mrg嘉泰姆

    符号Mrg嘉泰姆

    最大值</p>

    单位Mrg嘉泰姆

    电源输入电压Mrg嘉泰姆

    VCCMrg嘉泰姆

    -0.3 至 5.5Mrg嘉泰姆

    VMrg嘉泰姆

    MR 输出电压Mrg嘉泰姆

    VMRMrg嘉泰姆

    -0.3 至 VCC+0.3Mrg嘉泰姆

    VMrg嘉泰姆

    输出电压Mrg嘉泰姆

    CMOSMrg嘉泰姆

    VRESETMrg嘉泰姆

    -0.3 至 VCC + 0.3Mrg嘉泰姆

    VMrg嘉泰姆

    N 管漏开路</p>

    -0.3 至 5.5Mrg嘉泰姆

    最大持续输入电流</p>




    IVCC,IMRMrg嘉泰姆


    mAMrg嘉泰姆



    输出电流Mrg嘉泰姆

    IRESETMrg嘉泰姆

    20Mrg嘉泰姆

    mAMrg嘉泰姆

    输入电压摆率Mrg嘉泰姆

    dVCC/dtMrg嘉泰姆

    100Mrg嘉泰姆

    V/usMrg嘉泰姆

    操作温度范围Mrg嘉泰姆

    ToprMrg嘉泰姆

    -40~+150Mrg嘉泰姆

    ℃</p>

    保存温度范围(10s)</p>

    TstgMrg嘉泰姆

    300Mrg嘉泰姆

    ℃</p>

    热敏电阻Mrg嘉泰姆

    θJAMrg嘉泰姆

    200Mrg嘉泰姆

    ℃/WMrg嘉泰姆

    最大功耗</p>

    PDMrg嘉泰姆

    320Mrg嘉泰姆

    mWMrg嘉泰姆

  • 八,相关产品
    Mrg嘉泰姆

  • 产品名称Mrg嘉泰姆

    工作电压(V)Mrg嘉泰姆

    延迟Mrg嘉泰姆

    静态功耗(uA)Mrg嘉泰姆

    输出方式Mrg嘉泰姆

    封装形式Mrg嘉泰姆

    CXDR7525AMrg嘉泰姆

    2.0-6.5Mrg嘉泰姆

    NMrg嘉泰姆

    8Mrg嘉泰姆

    单节锂电池4段电量显示</p>

    SOT-23-6Mrg嘉泰姆

    CXDR7526Mrg嘉泰姆

    0.7-7.0Mrg嘉泰姆

    YMrg嘉泰姆

    1.5Mrg嘉泰姆

    N-channel open drain   or CMOSMrg嘉泰姆

    SOT-143Mrg嘉泰姆

    CXDR7527Mrg嘉泰姆

    0.7-6.0Mrg嘉泰姆

    YMrg嘉泰姆

    1.5Mrg嘉泰姆

    N-channel open drain   or CMOSMrg嘉泰姆

    SOT-23-3Mrg嘉泰姆

    CXDR7528FMrg嘉泰姆

    0.7-7.0Mrg嘉泰姆

    YMrg嘉泰姆

    2Mrg嘉泰姆

    N-channel open drain   or CMOSMrg嘉泰姆

    SOT-23-3,SOT-89-3,TO-92Mrg嘉泰姆

    CXDR7528CMrg嘉泰姆

    0.7-7.0Mrg嘉泰姆

    NMrg嘉泰姆

    2Mrg嘉泰姆

    N-channel open drain   or CMOSMrg嘉泰姆

    SOT-23-3Mrg嘉泰姆

    CXDR7528BMrg嘉泰姆

    1.5-7.0Mrg嘉泰姆

    NMrg嘉泰姆

    4Mrg嘉泰姆

    N-channel open drain   and CMOSMrg嘉泰姆

    SOT-23-5,SOT-353Mrg嘉泰姆

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