CXDR7527系列是为微处理器和电子系统提供低功耗电压检测芯片,具 高精度低温漂的特点。该系列产品检测电压基本涵盖大部分电子产品的需求。 低静态电流是其重要的优点
发布时间:2020-04-06 09:43:38
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作者:嘉泰姆
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摘要:CXDR7527系列是为微处理器和电子系统提供低功耗电压检测芯片,具 高精度低温漂的特点。该系列产品检测电压基本涵盖大部分电子产品的需求。 低静态电流是其重要的优点
一,产品概述(General Description) CXDR7527系列是为微<span style="padding: 0px; margin: 0px;text-decoration:underline;">处理器</span>和电子系统提供低功耗</span>电压检测<span style="padding: 0px; margin: 0px;text-decoration:underline;">芯片,具 高精度低温漂的特点。该系列产品检测电压基本涵盖大部分电子产品的需求。<br style="padding: 0px; margin: 0px;"/>低静态<span style="padding: 0px; margin: 0px;text-decoration:underline;">电流是其重要的<span style="padding: 0px; margin: 0px;text-decoration:underline;">优点。产品系列中包含了CMOS输出和漏端开路的N管<br style="padding: 0px; margin: 0px;"/>输出。由于<span style="padding: 0px; margin: 0px;text-decoration:underline;">内置延时,减少了应用电路中的外围器件。</span> 二</span>.产品特点(Features) 高精度: ± 1%,± 2% 低功耗:小于1.5μA 检测电压点:2.63V,2.93V,3.08V,4.0V,4.38V和 4.63V 工作范围: 0.7V ~6.0V 检测电压温度特性: ±100ppm/℃(typ.) 内置延时: 典型值50ms,100ms,200ms,400ms可选 输出配置: N-channel open drain或CMOS 工作电压=0.7-6.0V 延迟=Y 静态功耗=1.5uA 输出方式=N-channel open drain or CMOS 封装形式:SOT-23-3L,SOT-23-3B 三</span>,应用范围 (Applications) 微处理器复位电路 存储器<span style="padding: 0px; margin: 0px;text-decoration:underline;">电池备份电路 上电复位电路 供电失效检测 系统电池寿命和充电电压监测 延迟电路 四.下载产品资料PDF文档 9Uf嘉泰姆 需要详细的PDF规格书请扫一扫微信联系我们,还可以获得免费样品以及技术支持</span>!</span>9Uf嘉泰姆 9Uf嘉泰姆 五,产品封装图 (Package)9Uf嘉泰姆  六.电路原理图</span>
 (责任编辑:oumao18)9Uf嘉泰姆
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七</span>,功能概述
CMOS 输出(特别地注意第</span> 4 点)
① 当Vin端输入电压高于释放电压release voltage (VDR),这个电压将逐步降低。当VIN端输入电压高于检测电压detect
voltage (VDF),输出电压与输入电压相等。</span>
注意N管漏开路输出方式中,Vin高时为输出等效高阻,采用上拉电阻,Vout应等于上拉电压。</span>
② 当Vin下降至低于Vdf,Vout应该等于地电压。N管漏开路输出方式也是同样的功能。 当Vin低于最低工作电压,输出Vout
是不稳定的。N管漏开路输出方式中输出会被逐渐被上拉</span>
④ Vin从地电位升起(不同于从高于最低工作电压的电位升起),在上升速度足够快的情况下,Vout等于上拉电压,否则将
等于地电位,经过延时候等于上拉电压。</span>
⑤ Vin高于释放电压后,Vout将保持地电位直至内置延时结束。</span>
⑥ 延时结束后,Vin将等于Vout,注意N管漏开路输出方式中,使用用上拉电阻才能实现此功能。</span>
注意:</span>
1.VDR 与VDF的区别在于VDF存在VDR加迟滞电压</span>
2.内置延时(tDLY)表示Vin恢复至超过VDF后,至输出Vout变为Vin的这段时间</span>
八,相关产品
9Uf嘉泰姆
产品名称9Uf嘉泰姆 | 工作电压(V)9Uf嘉泰姆 | 延迟9Uf嘉泰姆 | 静态功耗(uA)9Uf嘉泰姆 | 输出方式9Uf嘉泰姆 | 封装形式9Uf嘉泰姆 |
CXDR7525A9Uf嘉泰姆 | 2.0-6.59Uf嘉泰姆 | N9Uf嘉泰姆 | 89Uf嘉泰姆 | 单节锂电池4段电量显示</p> | SOT-23-69Uf嘉泰姆 |
CXDR75269Uf嘉泰姆 | 0.7-7.09Uf嘉泰姆 | Y9Uf嘉泰姆 | 1.59Uf嘉泰姆 | N-channel open drain or CMOS9Uf嘉泰姆 | SOT-1439Uf嘉泰姆 |
CXDR75279Uf嘉泰姆 | 0.7-6.09Uf嘉泰姆 | Y9Uf嘉泰姆 | 1.59Uf嘉泰姆 | N-channel open drain or CMOS9Uf嘉泰姆 | SOT-23-39Uf嘉泰姆 |
CXDR7528F9Uf嘉泰姆 | 0.7-7.09Uf嘉泰姆 | Y9Uf嘉泰姆 | 29Uf嘉泰姆 | N-channel open drain or CMOS9Uf嘉泰姆 | SOT-23-3,SOT-89-3,TO-929Uf嘉泰姆 |
CXDR7528C9Uf嘉泰姆 | 0.7-7.09Uf嘉泰姆 | N9Uf嘉泰姆 | 29Uf嘉泰姆 | N-channel open drain or CMOS9Uf嘉泰姆 | SOT-23-39Uf嘉泰姆 |
CXDR7528B9Uf嘉泰姆 | 1.5-7.09Uf嘉泰姆 | N9Uf嘉泰姆 | 49Uf嘉泰姆 | N-channel open drain and CMOS9Uf嘉泰姆 | SOT-23-5,SOT-3539Uf嘉泰姆 |
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