CXLB74229 双向无线功率收发器 SoC
30W 接收/发射 | Qi 2.0 BPP/EPP | 效率97% | 双通道Tx解调 | I2C主从接口
产品版本:Rev 1.0 | 更新日期:2026年5月 | 型号:CXLB74229
技术咨询:ouamo18@jtm-ic.com 或致电 13823140578 (嘉泰姆电子)
嘉泰姆电子(JTM-IC)推出的CXLB74229是一款高度集成的双向无线功率系统级芯片(SoC),支持高达30W 功率传输(接收模式),并可作为无线充电发射器为其他 Qi 兼容设备供电。该芯片完全兼容 WPC Qi 规范 2.0 的基线功率协议(BPP)和扩展功率协议(EPP),同时支持主流私有快充协议。基于磁感应充电技术,CXLB74229 实现了高达97% 的 AC-DC 转换效率,内部集成 ARM Cortex M0 处理器(8KB SRAM + 16KB OTP)、自适应全同步整流器和高性能 LDO。芯片还集成了双向电流检测、双通道 Tx 解调以及硬件 ASK/FSK 调制解调功能,支持 I2C 主从双接口,可灵活适应各种系统架构。采用超紧凑 2.48mm × 3.87mm 54-WLCSP 封装,是智能手机、无线充电宝以及需要 TRx(收发一体)功能设备的理想选择。
1. 产品概述与市场定位
随着无线充电生态的成熟,不仅需要接收端支持大功率充电,还要求设备能够反向无线充电(如手机为耳机充电、充电宝同时具备接收和发射功能)。CXLB74229 应势而生:作为一款真正的双向无线功率 SoC,它既能作为接收器从 Qi 充电器获取高达 30W 功率,也能配置为发射器向外输出功率,支持 Qi BPP/EPP 标准。芯片内部集成 ARM Cortex M0 处理器与 16KB OTP(一次性可编程存储器),允许客户存储自定义协议栈和校准数据。创新的双通道 Tx 解调功能可在发射模式下同时解调来自两个不同接收器的 ASK 信号,为多设备充电场景提供硬件基础。此外,全集成双向电流检测无需外部运放,简化了系统设计并提升了 FOD 精度。CXLB74229 的推出使得智能手机、无线充电宝和各类 IoT 设备能够以单芯片实现无线充放一体功能,大幅降低 BOM 成本和设计复杂度。
2. 主要特点与技术亮点
- 双向功率传输(TRx):接收模式最高 30W(12V/2.5A),发射模式支持 Qi BPP 5W 及私有协议扩展。
- 超高效率:AC-DC 转换效率高达 97%(典型条件),得益于全同步整流和超低 RDS(ON) MOSFET(<35mΩ)。
- 强大的处理核心:ARM Cortex M0 @ 64MHz,内置 8KB SRAM + 16KB OTP,支持私有协议栈及复杂算法。
- 双通道 Tx 解调:集成两路独立的 ASK 解调电路,可在发射模式下同时与两个接收器通信,实现多设备充电管理。
- 全集成双向电流检测:无需外部运放,实时高精度监测输入/输出电流,提升 FOD 性能和系统可靠性。
- 硬件 ASK 与 FSK 调制解调:完全兼容 Qi 2.0 双向通信标准,支持私有扩展协议。
- 灵活的 I2C 接口:同时提供 I2C 从接口(用于外部主控配置)和 I2C 主接口(用于控制外围器件如电源管理芯片)。
- 可编程输出特性:输出电压和电流限值完全可编程,内置 LDO 具备快速瞬态响应和输出钳位。
- 完备的保护机制:异物检测(FOD)、输出过压(OVP)、过流(OCP)、短路保护(SCP)、过温保护(OTP)。
- 封装:54-ball WLCSP,2.48mm×3.87mm(6×9 球阵列),超小尺寸,无卤素,RoHS 合规。
3. 引脚封装说明(占位图)
CXLB74229 采用 54-ball WLCSP 封装(6×9 球阵列),间距 0.4mm。底部球阵优化了电源、模拟和数字信号分区,专为双向大功率传输设计。关键功能引脚包括 AC1/AC2(线圈输入)、VOUT(可编程输出)、VBUS(发射模式供电)、I2C_SCL/I2C_SDA(从接口)、I2C_MASTER_SCL/I2C_MASTER_SDA(主接口)、GPIO、电流检测差分输入等。完整引脚映射请参考官方数据手册。
图1. CXLB74229 54-WLCSP 引脚封装图(顶视图/球阵分布)
[ 封装外形示意图 ] 详细球位坐标及尺寸请联系嘉泰姆电子获取。
4. 典型应用电路与内部框图占位

图2. CXLB74229 双向无线功率典型应用电路原理图(TRx 模式)
电路组成:谐振线圈及电容网络 → 芯片 AC1/AC2 → 内置全同步整流/逆变桥 → 可编程 LDO/发射功率级 → 电池或系统负载。I2C 从接口连接主控 MCU,I2C 主接口可外挂电源管理或传感器。双向电流检测引脚直接连接采样电阻,无需外部放大器。发射模式下,芯片通过双通道解调与两个接收器同时通信。
* 30W TRx 参考设计(原理图/PCB/物料清单)可向嘉泰姆 FAE 申请。
图3. CXLB74229 内部功能方框图
内部集成:全桥同步整流/逆变器(支持接收和发射双向工作)、高效率 LDO、ARM Cortex M0(含 OTP/SRAM)、ASK/FSK 调制解调模块(接收端解调 + 发射端双通道解调)、双向电流检测 ADC、电压/电流保护单元、I2C 从接口、I2C 主接口、时钟发生器(85kHz~2MHz)。数字核心执行 Qi 协议栈、私有握手、FOD 算法及双向模式切换逻辑。
5. 极限参数与电气特性(设计参考)
以下为 CXLB74229 的极限参数和典型电气特性,设计时需严格遵循,确保系统长期稳定运行。
| 符号 | 参数 | 最小值 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|
| VAC_MAX | 交流输入引脚 AC1/AC2 峰值电压 | -0.3 | 28 | V |
| VOUT_MAX | 可编程输出直流电压范围 | -0.3 | 15 | V |
| VVBUS_MAX | 发射模式 VBUS 输入电压 | -0.3 | 15 | V |
| IDD_MAX | 连续输出电流(接收模式) | - | 2.7 | A |
| PD_MAX | 最大功耗(TA=25℃) | - | 2.5 | W |
| TJ | 结温范围 | -40 | 150 | ℃ |
| TSTG | 存储温度 | -55 | 150 | ℃ |
| 参数 | 条件 | 典型值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| AC-DC 系统效率 | POUT=30W, VOUT=12V | 97.0 | % |
| 待机功耗(接收空闲) | 无负载,LDO 关闭 | <10 | mW |
| 输出电压精度 | I2C 可编程,范围 3.3V~12V | ±1.5 | % |
| 输出电流限值精度 | 0.5A~2.5A 范围 | ±4 | % |
| 同步整流器导通电阻 | 25℃,接收模式 | 32 | mΩ |
| LDO 压差电压 | ILOAD=2.5A, 12V 输出 | 180 | mV |
| 发射模式输出功率 | Qi BPP 兼容,私有扩展 | 5 / 10 (可选) | W |
| 双通道解调灵敏度 | Tx 模式下 ASK 解调 | ≥15 | mV |
| 工作频率范围 | 支持 Qi 及私有高频 | 85k ~ 2M | Hz |
| 过温保护阈值 | 关断/恢复 | 150 / 110 | ℃ |
6. 工作原理与关键技术深度解析
6.1 双向功率拓扑:接收与发射无缝切换
CXLB74229 内部集成的全桥电路既可工作于同步整流模式(接收),也可配置为逆变模式(发射)。通过寄存器配置,芯片可以在两个方向间快速切换:当作为接收器时,AC1/AC2 从线圈接收交流能量,经同步整流和 LDO 输出直流;当作为发射器时,VBUS 输入直流电源,全桥电路以逆变方式产生高频交流信号驱动线圈。这种双向能力使得手机或充电宝能够根据需要动态选择工作模式,实现真正的无线充放一体。
6.2 双通道 Tx 解调技术
传统无线充电发射器只能与单个接收器通信。CXLB74229 创新性地集成了两路独立的 ASK 解调电路,在发射模式下可同时监测两个接收器的负载调制信号。这一特性对于同时为多个设备充电(如智能手表+手机)的场景至关重要,芯片能够分别解析两个接收器的功率请求和状态信息,并通过时分或轮询方式管理功率分配。硬件解调降低了 M0 处理器的负担,确保实时响应。
6.3 全集成双向电流检测与 FOD 增强
芯片内部集成了高精度双向电流检测放大器,可直接连接外部低阻值采样电阻,无需额外的运放或 ADC。在接收模式下检测输出电流,在发射模式下检测输入电流,实现功率的精确计算。FOD 算法利用电流和电压数据实时计算功率损耗,配合线圈特性校准,有效识别金属异物,确保安全充电。双向电流检测还支持系统级的电源监控和电量统计。
6.4 I2C 主从双接口架构
CXLB74229 提供了两个独立的 I2C 接口:从接口用于外部主控(如手机 AP 或 MCU)配置芯片寄存器、读取状态信息;主接口则允许芯片主动访问外部设备,例如控制电源管理 IC(PMIC)调整系统电压、读取电池电量计或 NTC 温度传感器。这种架构极大增强了系统集成度,减少了主控 MCU 的负担,并支持更复杂的电源管理策略。
6.5 硬件 ASK/FSK 调制解调与 Qi 2.0 兼容
芯片全面支持 Qi 2.0 规范要求的双向通信:接收时通过 ASK 调制向发射器发送数据包;发射时通过 FSK 调制向接收器发送指令。硬件实现的调制解调模块确保低延迟和高可靠性,同时支持私有协议扩展,为厂商定制化预留空间。
关键公式:效率 η = POUT / PIN × 100%;双向电流检测:I = V_SENSE / R_SENSE;FOD 损耗 Ploss = PIN - POUT。
7. 基于 CXLB74229 的双向 30W 无线充电设计实例
设计目标:30W 接收能力 + 5W 发射能力,用于高端无线充电宝(同时支持为手机充电和给耳机反向充电)。
- 线圈与谐振网络:选用符合 Qi EPP 标准的线圈(电感量 6.3μH~10μH,DCR<30mΩ),串联谐振电容根据工作频率选择(典型 127kHz 下 Cs≈220nF)。发射和接收共用同一线圈,通过双掷开关或芯片内部切换。
- 输出配置:接收模式下 I2C 设置 VOUT=12V,电流限值 2.7A;发射模式下 VBUS 输入由电池供电(典型 5V/9V),通过芯片内部逆变输出。
- 电流检测:在 VBUS 或 VOUT 路径上串联 5mΩ 采样电阻,差分信号直接接入芯片的 CS+ / CS- 引脚,无需外部放大器。
- 热设计:54-WLCSP 底部需设计密集热过孔阵列,建议 6×8 个过孔(0.25mm 孔径),连接至底层地平面。30W 连续接收时 PCB 温升控制在 40℃ 以内。
- I2C 主接口应用:芯片通过 I2C 主接口实时读取电池电量计(如 CXLE 系列),根据电池电压动态调整输出电压和限流值,实现恒流恒压充电管理。
- 双通道解调应用:在发射模式下,两个解调通道分别连接到两个不同区域的线圈(或通过切换网络),以实现对两个设备的充电管理。
实测数据:接收模式输入 30.9W,输出 30.0W,效率 97.0%;发射模式输出 5.2W(效率 85%);双通道解调在同时连接两部手机时通信稳定,无丢包。该设计已通过 Qi EPP 兼容性预测试。
8. PCB 布局与散热专业建议
由于 CXLB74229 支持 30W 双向高功率传输,PCB 布局对性能、热管理和 EMI 至关重要。
- 功率环路最小化:AC1/AC2 走线应短且对称,谐振电容紧邻芯片放置。接收模式下 VOUT 和 GND 环路、发射模式下 VBUS 和 GND 环路面积均应尽可能小,使用多层板内层铺铜。
- 散热过孔阵列:芯片底部焊盘区域需采用 6×8 或更多过孔阵列(孔径 0.25mm,电镀填平),连接至底层连续地铜平面,确保热传导。
- 电流检测走线:CS+ / CS- 差分信号应从采样电阻两端独立引出,并排走线,避开功率和时钟信号,建议包地处理。
- I2C 双接口布局:从接口和主接口分别布线,避免交叉耦合;上拉电阻靠近芯片或目标器件放置。
- 双通道解调输入:两个解调输入引脚(DEMOD1/2)需远离大电流开关节点,建议使用短走线并增加 RC 滤波。
- 输入滤波:在 AC1/AC2 输入端预留共模电感或磁珠位置,抑制传导和辐射 EMI。
- NTC 放置:热敏电阻应贴近线圈或电池区域,走线使用差分对,远离功率线。
遵循以上建议可确保 CXLB74229 在 30W 双向应用中稳定工作,并通过 Qi 认证及 EMI 测试。
9. 订购信息与技术支持
CXLB74229 采用 54-WLCSP 封装(6×9 球阵列,2.48mm×3.87mm),工作温度范围 -40℃~85℃。嘉泰姆电子提供工程样品、量产芯片及全面的技术支持,包括 TRx 参考设计、双向协议栈源代码和 FAE 现场支持。
技术邮件: ouamo18@jtm-ic.com | 技术热线: 13823140578 (周一至周五 9:00-18:00)

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