CXSD61333B 0.7A/36V同步降压转换器
3V-36V输入 | 0.8V至VIN可调/固定5V | 2.1MHz | AEC-Q100 | WDFN-8SL

产品版本：Rev 1.0 | 更新日期：2026年8月 | 型号：CXSD61333B | 封装：WDFN-8SL（2×3mm）

嘉泰姆电子（JTM-IC）推出的 CXSD61333B 是一款0.7A、高效率、峰值电流模式同步降压DC/DC转换器，专为汽车应用优化。芯片输入电压范围 3V至36V（软启动完成后，可承受42V负载突降），输出电压可调范围为 0.8V至VIN，也可提供 固定5V输出 选项（详见订购信息）。芯片集成低导通电阻功率MOSFET（高侧200mΩ，低侧160mΩ），采用峰值电流模式控制，外部补偿允许使用小尺寸电感，实现快速瞬态响应和良好的环路稳定性。

CXSD61333B的 固定开关频率为2.1MHz（±10%），超低最小导通时间（60ns）和最小关断时间（65ns）使其即使在极高降压比下也能保持恒定频率工作。内置 频率折返 功能在短路或过载时降低开关频率，保护器件。芯片提供完整的保护功能，包括输入欠压锁定（UVLO）、输出欠压保护（打嗝模式）、过流保护（高侧/低侧）和过温保护（OTP）。逐周期电流限制提供针对输出短路的保护，内部软启动（2ms）消除启动时的输入浪涌电流。CXSD61333B采用 WDFN-8SL（2×3mm） 封装，是汽车摄像头模块、车载座舱系统、互联汽车系统以及分布式电源负载点（POL）调节等应用的理想选择。

1. 主要特点与技术亮点

• AEC-Q100 Grade 1 认证：满足汽车电子可靠性要求，适用于车载摄像头、座舱系统、互联汽车等严苛环境。
• 高效率同步整流：集成低导通电阻MOSFET（高侧200mΩ，低侧160mΩ），无需外部肖特基二极管，效率高。
• 宽输入电压范围（3V-36V）：兼容12V、24V汽车电源系统，可承受42V负载突降，简化输入保护设计。3V支持冷启动要求。
• 可调输出电压（0.8V至VIN）或固定5V：通过外部电阻分压器灵活设定，或选择固定5V输出选项，反馈参考电压0.8V（典型值），精度±1.5%。
• 峰值电流模式控制：提供快速瞬态响应和逐周期电流限制，外部补偿网络灵活配置。
• 2.1MHz固定开关频率（±10% over temp）：允许使用小尺寸电感（推荐4.7μH），降低BOM成本和PCB面积。
• 频率折返功能：在过载或短路条件下，开关频率根据FB电压自动折返（分频1/4/8），为电感电流提供更多下降时间，保护器件。
• 内部软启动（2ms）：抑制启动浪涌电流，支持预偏置输出启动。
• 保护功能：
  • 逐周期过流保护：高侧峰值电流限制和低侧源/吸电流限制，防止过流损坏。
  • 输入欠压锁定（UVLO）：上升阈值4V，下降阈值3.3V，迟滞防止误动作。
  • 输出欠压保护（打嗝模式）：VFB低于参考电压50%时触发，自动重启，降低短路功耗。
  • 过温保护（OTP）：结温超过175°C时停止开关，温度下降15°C后自动恢复。
  • 邻脚短路保护：内部熔丝在BOOT-VIN短路时熔断，防止火灾。
• BOOT UVLO：确保自举电容电压充足，保证高侧MOSFET可靠导通。
• 内部5V线性稳压器（VCC）：为内部电路供电（不可驱动外部负载）。
• 使能控制（EN）：高电平使能，支持外部时序控制。
• 最大占空比接近100%：支持低压差运行，适用于输入电压接近输出电压的场景。
• RoHS合规：无铅、无卤素，环保设计。

2. 引脚配置与功能描述

CXSD61333B 采用 WDFN-8SL（2×3mm） 封装，底部裸露焊盘增强散热性能，需焊接至大面积地铜。

引脚封装图（WDFN-8SL 2x3）

引脚号	引脚名称	功能描述
1	VIN	电源输入，3V-36V（软启动后），需用2.2μF和0.1μF电容去耦。
2	BOOT	自举引脚，连接0.1μF陶瓷电容至SW。
3	SW	开关节点，连接功率电感。
4	GND	系统地，为控制电路和低侧MOSFET提供返回路径。
5	COMP	补偿节点，外接RC网络稳定环路。
6	FB/VS	反馈/输出电压检测。可通过电阻分压器设定输出电压（FB），或选择固定5V输出（VS）。
7	EN	使能控制输入，高电平使能。
8	VCC	内部5V线性稳压器输出，需用1μF X7R电容去耦。
9 (Exposed Pad)	PAD	裸露焊盘，内部未连接，必须焊接至大面积GND平面以散热。

3. 典型应用电路

CXSD61333B 的典型应用电路包含输入电容（2.2μF）、输出电容（10μF×2）、电感（4.7μF）、反馈电阻（可调版本）、补偿网络、自举电容和VCC去耦电容。固定5V版本无需反馈电阻。

图2. 典型应用电路（可调输出电压）

3.1 输出电压设定

输出电压通过外部电阻分压器设定（FB引脚），公式如下：

其中 VREF = 0.8V（典型值），R1 为连接至VOUT的上拉电阻，R2 为连接至GND的下拉电阻。R2建议≤170kΩ。下表提供了常用输出电压的推荐元件值（以R2=39.2kΩ为例）。固定5V输出版本无需R1/R2。

VOUT (V)	R1 (kΩ)	R2 (kΩ)	L (μH)	COUT (μF)
1.2	19.6	39.2	4.7	10 × 2
3.3	122.5	39.2	4.7	10 × 2
5.0（可调）	205.8	39.2	4.7	10 × 2

4. 极限参数与电气特性

符号	参数	最小值	最大值	单位
VIN	电源输入电压	-0.3	42	V
VSW	SW引脚开关电压	-0.3	42	V
VBOOT - VSW	自举差分电压	-0.3	6	V
EN	EN引脚电压	-0.3	42	V
其他引脚	其他控制引脚	-0.3	6	V
TJ	结温	—	150	°C
TSTG	存储温度	-65	150	°C
ESD (HBM)	人体模型	—	2	kV

参数	最小值	最大值	单位
输入电压 VIN（正常工作）	4	36	V
输入电压 VIN（软启动后）	3	36	V
输出电压 VOUT	0.8	VIN*	V
结温 TJ	-40	150	°C
环境温度 TA	-40	125	°C

参数	测试条件	典型值	单位
输入电压范围	—	3 – 36	V
反馈参考电压 (25°C)	—	0.8	V
反馈参考电压 (-40°C~125°C)	—	0.8 ±1.5%	V
关断电流	EN=0V	1.2	μA
静态电流	VEN=2V, VFB=0.82V, 非开关	—	μA
高侧导通电阻	—	200	mΩ
低侧导通电阻	—	160	mΩ
高侧峰值电流限制	—	—	A
低侧源电流限制	—	1.2	A
低侧吸电流限制	—	0.8	A
最小导通时间	—	60	ns
最小关断时间	—	65	ns
UVLO 上升阈值	VIN 上升	4.0	V
UVLO 下降阈值	VIN 下降	3.3	V
EN 逻辑高电平	—	1.2	V
EN 逻辑低电平	—	0.4	V
开关频率	—	2.1	MHz
软启动时间	—	2	ms

5. 工作原理与设计指导

5.1 峰值电流模式控制

CXSD61333B 采用 峰值电流模式PWM控制。内部振荡器触发高侧MOSFET导通，电感电流线性上升。内部电流检测放大器监测高侧MOSFET电流，并与误差放大器输出（COMP电压）比较。当电感峰值电流达到COMP设定阈值时，高侧MOSFET关断，低侧MOSFET导通，电感电流下降，直至下一个周期。输出通过FB电阻分压采样，与内部0.8V参考比较产生COMP信号。外部补偿网络（COMP引脚）允许灵活设置穿越频率和相位裕度。

5.2 频率折返功能

在过载或短路条件下，芯片监测FB电压。当FB电压从0.8V降至0V时，开关频率自动折返为标称频率的1/4或1/8，增加开关周期时间，为电感电流提供更长的下降时间，防止电流失控，保护器件。频率折返在启动和故障期间均有效。

5.3 内部软启动

内部软启动电路在EN拉高后激活，典型软启动时间为2ms（FB电压从0V升至0.8V）。启动时，VCC先建立，0.8ms后输出电压开始上升，抑制浪涌电流。

5.4 保护功能

• 逐周期高侧峰值电流限制：超过阈值立即关断高侧。
• 低侧源/吸电流限制：源电流限制1.2A（典型），吸电流限制0.8A（典型）。
• 输入欠压锁定（UVLO）：上升4.0V，下降3.3V。
• 输出欠压保护（打嗝模式）：VFB低于50%参考时触发，关断并自动重试。
• 过温保护（OTP）：结温超过175°C时关断，温度下降15°C后恢复。
• 邻脚短路保护：内部熔丝在BOOT-VIN短路时熔断。

5.5 电感选型

电感值影响纹波电流，计算公式：

推荐纹波电流为最大输出电流的30%-50%。推荐电感值为4.7μH。电感饱和电流应大于峰值限流值，DCR尽可能低。

5.6 输入输出电容选型

输入电容：推荐2.2μF陶瓷电容（X7R），额定电压≥50V，并并联0.1μF高频滤波电容。RMS电流在最恶劣条件（VIN=2VOUT）下为IOUT/2。

输出电容：推荐10μF×2陶瓷电容，有效容值需满足稳定性要求，输出纹波估算：

5.7 补偿网络设计

COMP引脚外接RC网络（RCOMP、CCOMP、可选的CCOMP2）。穿越频率建议为fSW的5%-10%，但不超过90kHz。计算公式可参考数据手册。

6. PCB布局建议

对于CXSD61333B，良好的PCB布局对性能和EMI至关重要，建议遵循以下原则：

• 四层或六层PCB：推荐大面积地平面以改善热性能和屏蔽。
• 输入电容就近放置：2.2μF输入陶瓷电容尽可能靠近VIN和GND引脚。
• VCC去耦电容靠近VCC引脚：1μF电容紧靠VCC和GND。
• 自举电容靠近BOOT/SW：0.1μF电容紧靠BOOT和SW引脚。
• SW走线短而宽：SW节点连接电感，走线应短而宽，敏感元件远离该走线。
• 反馈网络靠近芯片：FB分压电阻靠近IC放置（5mm以内），反馈走线远离SW和电感。
• 补偿元件靠近COMP引脚：RCOMP、CCOMP靠近IC放置。
• 裸露焊盘散热：Exposed Pad必须焊接至大面积地铜，并通过多个过孔连接内层地平面，以降低热阻。
• 主功率回路小环路：VIN → 高侧MOSFET → SW → 电感 → COUT → GND 的回路应尽量小。

7. 热设计考虑

CXSD61333B 的最大功耗取决于封装热阻和PCB布局。WDFN-8SL在EVB上的θJA为43.8°C/W（四层板，1oz铜）。在TA=25°C时，最大功耗约为：

实际应用中需确保结温不超过150°C，建议在PCB上为裸露焊盘提供足够的铜箔面积和过孔以改善散热。在12V输入、5V/0.7A输出、效率89.7%时，功耗约0.326W，结温约42°C（TA=25°C），裕量充足。

8. 订购信息与技术支持

CXSD61333B 采用 WDFN-8SL（2×3mm） 封装，无铅、RoHS合规。提供可调输出电压和固定5V输出选项，详见订购信息。嘉泰姆电子提供工程样品、评估板、参考设计及FAE技术支持。