核心优势： 1.5A 输出电流 | 2.5V-6V 宽输入 | 1MHz 开关频率 | CMcOT 控制 | 无需外部补偿 | 160mΩ/110mΩ 低 RDS(ON) | 轻载省电模式 | 逐周期过流保护 | 打嗝模式 UVP | 内部软启动 1.2ms | PGOOD 指示（6引脚封装）| TSOT-23-5/6 封装 | 无铅/RoHS 合规。

 

1. 主要特点与技术亮点

• CMcOT 控制架构：电流模式恒定导通时间控制，提供快速瞬态响应，内置补偿，简化外部电路设计。
• 轻载省电模式：在轻载条件下自动降低开关频率，维持全负载范围的高效率，延长电池供电设备的运行时间。
• 集成低 RDS(ON) MOSFET：高侧 160mΩ、低侧 110mΩ，无需外部肖特基二极管，提升转换效率。
• 0.6V 参考电压：精度 ±2%，支持低输出电压应用（0.6V 至 3.4V）。
• 逐周期过流保护：检测低侧 MOSFET 谷值电感电流，限流典型值 1.8A。
• 内部软启动：1.2ms 软启动时间，有效抑制启动浪涌电流。
• 打嗝模式输出欠压保护：当反馈电压低于 0.2V 时进入打嗝模式，降低短路功耗。
• 电源良好指示（PGOOD）：TSOT-23-6 封装提供开漏 PGOOD 输出，实时监测输出电压状态。
• 双封装选项：TSOT-23-5（基础功能）和 TSOT-23-6（带 PGOOD），灵活适配不同应用需求。

2. 极限参数与电气特性（设计参考）

符号	参数	最小值	最大值	单位
VIN	电源输入电压	-0.3	6.5	V
LX	开关节点电压（DC）	-0.3	VIN+0.3	V
LX (<20ns)	开关节点瞬态电压	-4.5	7.5	V
PD	功耗 (TA=25°C) – TSOT-23-5	—	0.43	W
PD	功耗 (TA=25°C) – TSOT-23-6	—	0.50	W
TJ	结温范围	-40	150	°C
TSTG	存储温度	-65	150	°C
ESD (HBM)	人体模型	—	2	kV

参数	最小值	最大值	单位
VIN 输入电压	2.5	6	V
VOUT 输出电压	0.6	3.4	V
TJ 结温范围	-40	125	°C
TA 环境温度	-40	85	°C

参数	条件	典型值	单位
VIN 工作电压范围	—	2.5 – 6	V
VOUT 调节范围	—	0.6 – 3.4	V
开关频率	—	1	MHz
输出电流能力	—	1.5	A
反馈参考电压	—	0.6	V
反馈电压精度	—	±2	%
高侧导通电阻	—	160	mΩ
低侧导通电阻	—	110	mΩ
静态电流 (IQ)	非开关，VFB=0.63V	22	μA
关断电流 (ISHDN)	EN=0V	≤1	μA
谷值电流限值	—	1.8	A
软启动时间	—	1.2	ms
UVLO 上升阈值	—	2.25	V
UVLO 迟滞	—	250	mV
EN 逻辑高阈值	—	0.4	V
过温保护阈值	—	150	°C
过温保护迟滞	—	20	°C
PGOOD 上升阈值	VFB > 0.54V	90	%VREF

3. 引脚功能说明

CXSD61143C 提供 TSOT-23-5 和 TSOT-23-6 两种封装。5 引脚封装提供基础功能，6 引脚封装额外提供 PGOOD 电源良好指示输出。

TSOT-23-5 引脚	TSOT-23-6 引脚	引脚名称	功能描述
1	1	EN	使能控制输入，高电平使能，低电平关断。
2	2	GND	功率地，为控制器电路提供地回路。
3	3	LX	开关节点，连接外部电感。
4	4	VIN	电源输入，输入电压范围 2.5V~6V，需用大容量电容去耦。
5	5	FB	反馈电压输入，连接外部反馈电阻分压器中点以设置输出电压。
—	6	PG	电源良好指示（仅 TSOT-23-6），开漏输出，需外接上拉电阻至 VIN。FB 电压高于 0.54V 时输出高阻抗，否则拉低。

4. 典型应用电路

CXSD61143C 典型应用电路如下图所示，外部仅需输入电容、输出电容、电感和反馈电阻分压器即可构成完整的 1.5A 同步降压电源方案。建议输入电容 ≥ 10μF（X5R/X7R），输出电容 10μF，电感值推荐 1.5μH~3.3μH。对于 TSOT-23-6 封装，PGOOD 引脚需外接上拉电阻。

输出电压通过反馈电阻分压器设置，RFB1 和 RFB2 推荐取值如下表所示（VREF=0.6V）：

VOUT (V)	RFB1 (kΩ)	RFB2 (kΩ)	L (μH)	COUT (μF)
3.3	90	20	1.5 – 3.3	10
1.8	100	50	1.5 – 3.3	10
1.5	100	66.6	1.5 – 3.3	10
1.2	100	100	1.5 – 3.3	10
1.05	100	133	1.5 – 3.3	10
1.0	100	148	1.5 – 3.3	10

5. 引脚封装图

CXSD61143C 提供 TSOT-23-5 和 TSOT-23-6 两种表面贴装封装，尺寸小巧，适合空间受限的便携设备和模块化产品。

6. 工作原理与设计指导

6.1 CMcOT 控制架构

CXSD61143C 采用 电流模式恒定导通时间（CMcOT） 控制架构，提供快速瞬态响应，内置补偿，无需外部补偿网络。在正常工作中，当比较器置位时高侧 P-MOSFET 导通，当 Ton 比较器复位时高侧 MOSFET 关断。低侧 MOSFET 峰值电流通过内部 RSENSE 检测。误差放大器 EA 通过比较来自输出电压的反馈信号（VFB）与内部 0.6V 参考电压来调整 COMP 电压。当负载电流增加时，反馈电压相对参考电压下降，COMP 电压升高以允许更高的电感电流匹配负载电流。

6.2 轻载省电模式

CXSD61143C 在轻载条件下自动进入 省电模式，通过降低开关频率来维持高效率。该功能特别适合待机或轻负载运行场景，可显著提高轻载效率，延长电池供电设备的运行时间。

6.3 软启动（SS）

芯片内置 1.2ms 软启动，有效抑制启动浪涌电流。内部电流源为内部电容充电产生软启动斜坡电压，VFB 电压在软启动期间跟踪内部斜坡电压，输出电压平滑上升至目标调节值。

6.4 过流保护（OCP）

芯片提供 低侧 MOSFET 谷值电感电流检测 的过流保护。当感测的谷值电感电流超过电流限值阈值（典型 1.8A）时，OCP 被触发。芯片保持过流阈值电平直到过流条件移除。

6.5 打嗝模式输出欠压保护（UVP）

当反馈电压 VFB 低于阈值电压 0.2V 时，UV 比较器输出高电平，开关控制器关断高侧 MOSFET，进入 打嗝模式。芯片自动尝试恢复，若故障消除则恢复正常工作。

6.6 电源良好指示（PGOOD）

仅 TSOT-23-6 封装提供 PGOOD 开漏输出，需外接上拉电阻至 VIN。当 FB 电压高于 0.54V（参考电压的 90%）时，PGOOD 为高阻抗；否则拉低。EN 使能后 PGOOD 延迟约 2ms 释放。

6.7 过温保护（OTP）

芯片包含 过温保护电路，当结温超过 150°C 时停止开关，待温度下降 20°C 后重新启动。

7. 应用信息

7.1 电感选择

电感选择需权衡尺寸、成本、效率和瞬态响应。推荐峰峰值纹波电流（LIR）为负载电流的 20%~50%。电感值计算公式：

以 1.2V 输出、3.6V 输入、1.5A 负载、LIR=0.3 为例：

电感峰值电流：

建议电感饱和电流额定值 ≥ 芯片电流限值（典型 1.8A），以确保瞬态条件下安全。

7.2 输入电容选择

推荐使用 X5R/X7R 陶瓷电容，容值 ≥ 10μF，耐压 1.5 倍以上。输入电容 RMS 电流：

输入电压纹波：

建议在 VIN 和 GND 引脚附近放置 ≥ 10μF MLCC 电容。

7.3 输出电容选择

输出纹波电压：

负载瞬态时的电压跌落主要由 ESR 引起：

推荐使用低 ESR 的陶瓷电容（如 X5R/X7R），容值建议 10μF~22μF。

7.4 输出电压设置

通过外部反馈电阻分压器设置输出电压：

建议 R2 在 10kΩ~100kΩ 之间，使用 ±1% 精度电阻。

8. PCB 布局建议

• 高电流路径最短化：输入电容 → 高侧 FET → 电感 → 输出电容 的路径应尽可能短而宽，减少寄生电感和电阻。
• 输入电容放置：VIN 旁路电容应紧靠 VIN 和 GND 引脚放置，与 IC 在同一层。建议使用 ≥ 10μF (0603/0805) 陶瓷电容。
• LX 节点：高频电压摆幅节点，应保持最小面积，减少 EMI 辐射。反馈网络等模拟元件应远离 LX 节点。
• 反馈网络：反馈电阻分压器应放置在输出电容之后，靠近 FB 引脚。FB 引脚走线应短而直，避免与 LX 节点平行。
• 地线处理：GND 应直接连接到低阻抗地平面，通过宽走线或过孔连接到内层地平面。
• 散热设计：TSOT-23-5 封装 θJA=230.6°C/W，TSOT-23-6 封装 θJA=197.4°C/W（四层 PCB）。建议增加铜箔面积以改善散热。

9. 订购信息与技术支持

CXSD61143C 提供 TSOT-23-5 和 TSOT-23-6 两种封装选项，无铅、RoHS 合规，兼容 SnPb 或无铅焊接工艺。嘉泰姆电子提供工程样品、量产芯片及全面的技术支持，包括评估板、参考设计（原理图、BOM、PCB 布局）及 FAE 现场支持。

型号	封装	轻载省电	PGOOD	引脚数
CXSD61143C	TSOT-23-5	✓	—	5
CXSD61143C	TSOT-23-6	✓	✓	6