CXIG6619 5V栅压MOS半桥驱动芯片
高侧40V耐压 · 内置自举开关 · 防直通保护 · 三态PWM · EN待机

更新时间：2026年4月 | 产品型号：CXIG6619 | 嘉泰姆电子 (JTM-IC)

嘉泰姆电子（JTM-IC）推出的CXIG6619 是一款高性能5V栅压MOS半桥驱动芯片，用于驱动高侧和低侧NMOS功率开关。PWM输入控制高侧和低侧NMOS栅极，第三态可同时关断高侧和低侧MOSFET，适合多相同步整流Buck应用。芯片内置自举开关电路，等效自举二极管为外部自举电容充电，省去外部自举二极管。内置防直通保护同步检测高侧和低侧MOS栅源电压及输出电压，从多个维度防止桥臂直通。EN引脚可控制关断高低侧MOS，使芯片进入低功耗待机模式。高侧电源最高耐压40V，具备大驱动能力，内置欠压保护。采用WDFN2×2-8封装，特别适用于显卡Core供电、CPU Core供电、服务器Vcore供电及人工智能Vcore供电等高性能驱动场景。

1. 产品概述与核心优势

CXIG6619 是一款面向高频、大电流同步整流Buck应用的半桥驱动芯片。相比同类产品，它在集成度和保护机制方面有显著提升。内置自举开关替代传统外部自举二极管，简化外围BOM，降低PCB布局复杂度。防直通保护从栅源电压和输出电压两个维度检测，确保高侧和低侧MOSFET不会出现同时导通的情况。三态PWM输入兼容3.3V和5V逻辑电平，第三态可同时关断两路输出，为多相控制器提供灵活的栅极控制方案。EN引脚支持整机关断功能，待机模式下显著降低驱动级功耗。高侧电源最高40V耐压满足大多数中压应用需求。

2. 主要特点与技术亮点

• 高侧电源最高耐压40V
• 5V栅压驱动，大电流驱动能力
• 内置自举开关电路，省去外部自举二极管
• 内置防直通保护，检测栅源电压和输出电压
• PWM支持3.3V/5V逻辑，第三态同时关断高低侧MOS
• EN引脚关断高低侧MOS，进入低功耗待机
• 内置欠压保护功能
• WDFN2×2-8超小封装

3. 引脚说明

CXIG6619采用WDFN2×2-8封装，核心引脚功能如下：

图1. CXIG6619 典型应用电路原理图
[ 电路原理图占位 ] 包含PWM/EN输入接口、VCC供电、自举电容连接、HO/LO驱动输出及半桥NMOS连接。

4. 关键电气参数

5. 应用领域

• 显卡Core供电
• CPU Core供电
• 服务器Vcore供电
• 人工智能Vcore供电
• 多相同步整流Buck变换器驱动级