
CXESD-12VSSA 12V单向ESD静电保护二极管 | SOD523封装 | 30KV ESD | 9A浪涌 - 嘉泰姆电子
| 产品型号: | CXESD-7VSSB |
| 产品类型: | 电池保护IC |
| 产品系列: | ESD静电保护管 |
| 产品状态: | 量产 |
| 浏览次数: | 2 次 |
产品简介
技术参数
| 输入电压范围 (VIN) | 7V |
|---|---|
| 输出电流 (IOUT) | 18A |
| 转换效率 | 95% |
| 封装类型 | SOD323 |
| Type | ESD静电保护管 |
| Overcharge voltage | 7.8V~9.8V |
| Overcurrent current | 18A |
| Short protection | 支持 |
| Operating temp | -20~150℃ |
| Features | 单向 |
| Application | 手机,便携设备,数码相机,电源 |
| 结电容(typ) | 120pF |
| ESD保护 | 30kV (空气/接触) |
| Pppm | 200W |
产品详细介绍
CXESD-12VSSA 12V 单向 ESD 静电保护二极管
SOD523 封装 | 30KV 空气/接触放电 | 9A 浪涌 | nA 级漏电流
产品版本:Rev 1.0 | 更新日期:2026年7月 | 型号:CXESD-12VSSA | 封装:SOD523
技术咨询:ouamo18@jtm-ic.com 或致电 13823140578 (嘉泰姆电子)
嘉泰姆电子(JTM-IC)推出的 CXESD-12VSSA 是一款采用 SOD523 塑料封装的 单向静电放电(ESD)保护二极管,专为单条传输线或数据线提供静电与瞬态浪涌防护而设计。器件反向工作电压(VRWM)为 12V Max,可长期并联在 12V 供电轨或信号线上而不影响系统正常工作;击穿电压 13.5V~16.0V,钳位电压低至 26V(典型值)@ 9A,能在大电流瞬态到来时迅速把电压钳制在安全范围之内。CXESD-12VSSA 的漏电流仅为 nA 级,典型响应时间 小于 1ns,ESD 抗扰能力达到 30KV(空气放电)/ 30KV(接触放电)(IEC 61000-4-2),浪涌承受能力 9A(8/20μs,IEC 61000-4-5),是手机、便携设备、数码相机、电源适配器以及各类 12V 接口静电防护的理想选择。
1. 产品概述与市场定位
随着消费电子、工业控制与汽车电子接口数量的持续增加,人体模型(HBM)与线缆放电(CDM)引起的静电事件已成为导致整机返修的主要诱因之一。一颗设计良好的 ESD 保护二极管,能够在几纳秒内把高达数十千伏的静电脉冲泄放到地,从而把后级 IC 的引脚电压限制在其绝对最大额定值以内。CXESD-12VSSA 正是面向这一需求推出的 12V 单向 ESD 保护器件,其最大的特点是"低钳位 + 低漏电 + 超小封装"三者的平衡。
与常见的双向 TVS 相比,单向结构在正向导通时具有约 0.9V 的低正向压降,特别适合存在负向瞬态或需要钳位负电压的场合;同时单向器件的结电容更小(本产品典型 40pF),对信号完整性的影响更可控。CXESD-12VSSA 采用 SOD523 封装,外形尺寸仅 1.20mm×0.80mm,引脚间距 1.60mm,可直接布置在连接器附近极其有限的 PCB 空间内,是 12V 电源输入口、RS-485/CAN 类工业总线、音频接口、按键与传感器引线等位置的通用型防护器件。
在系统级 EMC 设计中,ESD 保护器件并非"加了就行",而是需要与后级器件的耐压、信号速率、接地阻抗共同匹配。CXESD-12VSSA 的 26V 低钳位电压,使其能够为耐压 30V 以上的后级芯片提供有效余量;而 nA 级的反向漏电流则保证了在电池供电的便携设备中长期挂载也不会增加静态功耗。
2. 主要特点与技术亮点
- 低钳位电压设计:在 9A 峰值脉冲电流下钳位电压典型值 26V、最大值 28V,为后级 IC 留出充足的安全裕量。
- 超低漏电流:12V 反向工作电压下漏电流不超过 100nA,电池供电设备待机功耗几乎不受影响。
- 亚纳秒级响应:典型响应时间小于 1ns,能够抢在 ESD 脉冲上升沿之前完成钳位动作。
- 高峰值脉冲功率:8/20μs 波形下峰值脉冲功率达 252W,峰值脉冲电流 9A,可兼顾静电与雷击浪涌两类应力。
- 宽工作温度范围:工作温度 -40℃~+125℃,存储温度 -55℃~+150℃,最大结温 150℃,满足工业级与车规外围应用环境。
- 低结电容:0V/1MHz 条件下结电容典型 40pF、最大 60pF,适用于中低速数据线与电源线,不会引起明显的信号边沿退化。
- 小体积易布局:SOD523 贴片封装支持回流焊,最大焊接引脚温度 260℃(10s),适合高密度自动化生产。
3. 电路原理图与引脚配置
CXESD-12VSSA 为两引脚单向结构:引脚 1 为阴极(Cathode),引脚 2 为阳极(Anode)。在典型应用中,阴极连接被保护的信号线或电源线,阳极连接地(GND)。当被保护线上出现正向 ESD 或浪涌脉冲时,器件进入雪崩击穿状态,把瞬态电流泄放到地,将线电压钳制在 26V 左右;当线上出现负向脉冲时,二极管正向导通,把负压钳位在约 -0.9V,从而对后级形成双向保护。

图2. 典型应用电路

引脚封装图
| 引脚 | 名称 | 功能说明 |
|---|---|---|
| 1 | Cathode(阴极) | 连接被保护的信号线或电源线,为器件雪崩击穿端 |
| 2 | Anode(阳极) | 连接系统地 GND,为瞬态电流泄放回路 |
4. 极限参数与电气特性
| 参数 | 符号 | 数值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| 峰值脉冲功率(tp = 8/20μs) | Pppm | 252 | W |
| 峰值脉冲电流(tp = 8/20μs) | Ippm | 9 | A |
| 焊接时引脚最高温度(10s) | TL | 260 | ℃ |
| 存储温度范围 | Tstg | -55 ~ +150 | ℃ |
| 工作温度范围 | TOP | -40 ~ +125 | ℃ |
| 最大结温 | Tj | 150 | ℃ |
| ESD 电压 IEC 61000-4-2(空气放电) | VESD | 30 | KV |
| ESD 电压 IEC 61000-4-2(接触放电) | VESD | 30 | KV |
| 参数 | 符号 | 最小 | 典型 | 最大 | 单位 | 测试条件 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 反向工作电压 | VRWM | — | — | 12.0 | V | — |
| 击穿电压 | VBR | 13.5 | 14.0 | 16.0 | V | I1 = 1mA |
| 漏电流 | IR | — | — | 100 | nA | VRWM = 12V |
| 正向电压 | VF | — | — | 0.9 | V | I1 = 10mA |
| 钳位电压 | VC | — | 26 | 28 | V | Ipp = 9A,Tp = 8/20μs |
| 结电容 | Cj | — | 40 | 60 | pF | VR = 0V,f = 1MHz |
| 符号 | 最小值 | 标称值 | 最大值 |
|---|---|---|---|
| A(本体长度) | 1.10 | 1.20 | 1.30 |
| B(本体宽度) | 0.70 | 0.80 | 0.90 |
| C(本体高度) | 0.60 | 0.65 | 0.70 |
| D(引脚宽度) | 0.25 | 0.30 | 0.35 |
| J(引脚厚度) | 0.08 | 0.11 | 0.15 |
| K(引脚伸出) | 0.15 | 0.20 | 0.25 |
| S(引脚跨距) | 1.50 | 1.60 | 1.70 |
5. 工作原理与设计指导
5.1 单向 ESD 保护的工作过程
CXESD-12VSSA 内部为一只特殊设计的雪崩二极管。正常工作时,线路电压低于 12V 的反向工作电压,器件处于截止状态,仅有 nA 级漏电流流过,对系统几乎无影响。当 ESD 事件发生时,线电压在 1ns 量级内迅速抬升并超过击穿电压(13.5V~16.0V),器件进入雪崩击穿,等效阻抗急剧下降,把脉冲电流旁路到地,同时把线电压钳制在 26V(典型值)附近。脉冲结束后,线电压回落,器件自动恢复到高阻截止状态,无需任何复位或外部控制。
5.2 钳位电压与后级耐压的匹配
选型时最容易被忽略的是钳位电压与后级芯片绝对最大额定值的配合关系。CXESD-12VSSA 在 9A 峰值电流下的钳位电压最大为 28V,因此后级被保护器件的绝对最大输入电压应不低于 30V,才能保证在极端 ESD 条件下不出现损伤。若后级芯片耐压仅为 20V,则需要选择更低钳位电压的型号,或在保护器件与芯片之间增加串联限流电阻(建议 10Ω~100Ω)来分担压降。反之,若后级本身耐压较高(如 40V 的工业接口芯片),CXESD-12VSSA 的 12V 工作电压与 26V 钳位则是兼顾保护强度与信号幅度余量的合适选择。
5.3 结电容对信号完整性的影响
器件的结电容在 0V/1MHz 条件下典型 40pF、最大 60pF。对于电源线、按键线、传感器引线、音频线等低速线路,该容值几乎不会造成影响;对于 RS-485、CAN、LIN 等中速总线,40pF 并联电容对上升沿的影响在可接受范围内,但需注意多节点并联时电容累加效应。对于 USB 2.0 高速(480Mbps)及以上速率的数据线,则建议选用结电容更低的专用型号。设计时应把结电容与总线负载电容一并核算,确保信号边沿时间仍满足协议规范。
5.4 响应速度与 IEC 61000-4-2 波形
IEC 61000-4-2 标准规定的接触放电波形上升沿约为 0.7ns~1ns,峰值电流在 30ns 处衰减至 50%。CXESD-12VSSA 的典型响应时间小于 1ns,意味着器件能够在脉冲上升沿期间即建立钳位通路,避免后级芯片承受未经衰减的高压尖峰。实际测试中,保护效果不仅取决于器件本身,还与 PCB 走线的寄生电感密切相关——每 1mm 走线约引入 1nH 电感,在 1ns 上升沿下会产生可观的电压过冲,因此布局比选型同等重要。
5.5 浪涌(8/20μs)承受能力
除静电外,CXESD-12VSSA 还能承受 IEC 61000-4-5 定义的 8/20μs 组合波浪涌,峰值电流 9A、峰值脉冲功率 252W。这一能力使其可以覆盖部分感应雷击与电源切换引起的瞬态过应力,适合安装在 12V 电源输入口作为二级防护。需要说明的是,浪涌应力通常为能量型应力,若系统预期浪涌等级更高(如 1KV 以上组合波),建议在 CXESD-12VSSA 前级再增加压敏电阻或气体放电管构成多级防护,由前级吸收大部分能量,本器件负责末级精确钳位。
6. 典型应用设计实例
设计目标:某工业控制板卡提供一路 12V 电源输入与一路 RS-485 通信接口,要求在工厂环境下满足 IEC 61000-4-2 接触放电 8KV、空气放电 15KV 的整机 EMC 要求,同时为 12V 电源口提供 8/20μs 浪涌防护。
- 电源口防护:在 12V 输入端并联一颗 CXESD-12VSSA,阴极接 12V,阳极接 PGND,器件紧贴连接器放置;后级 DC-DC 输入耐压为 36V,与 28V 最大钳位电压之间留有 8V 余量,匹配良好。
- RS-485 总线防护:A、B 两根差分线各并联一颗 CXESD-12VSSA,阴极分别接 A/B 线,阳极接隔离地;收发器耐压为 ±13V 共模,需在器件与收发器之间串联 10Ω 电阻限制残压。
- 接地处理:保护器件的地引脚必须以最短路径连接到连接器附近的机壳地或隔离地,避免瞬态电流流过信号地平面,引起地弹。
- 漏电核算:单颗器件在 12V 下漏电流不超过 100nA,两路共 4 颗器件的总漏电流小于 0.4μA,对整机待机功耗的影响可以忽略。
- 温升核算:正常工作电压远低于击穿电压,器件不产生持续功耗;仅在瞬态期间承受能量,SOD523 封装的短时热容足以吸收 8/20μs 单次脉冲。
7. PCB 布局建议
- 靠近干扰源放置:保护器件应尽可能贴近连接器或接口端子,使 ESD 电流在进入 PCB 内部之前就被旁路到地,保护器件与连接器之间的走线长度建议控制在 5mm 以内。
- 缩短地回路:阳极到地的走线应短而宽,优先通过多个过孔直接连到地平面,减小寄生电感带来的钳位电压过冲。
- 避免走线分支:被保护信号线应先经过保护器件再进入后级芯片,不要采用"T"型分支,否则分支走线会成为天线,拾取更多瞬态能量。
- 地与地分离:若系统存在模拟地与数字地,保护器件的地应连接到接口地或机壳地,避免瞬态大电流污染敏感的模拟地平面。
- 不要串联在信号路径中:CXESD-12VSSA 为并联型保护器件,必须跨接在信号线与地之间,切勿串联使用。
- 焊盘与钢网:SOD523 引脚间距仅 1.60mm,回流焊时需控制锡膏量,防止桥连;建议使用 0.12mm 钢网厚度与匹配的焊盘尺寸。
- 丝印与方向:器件为单向结构,阴极有极性标识,布局与贴片时务必确认方向,反向贴装将导致保护功能失效。
8. 订购信息与技术支持
| 器件型号 | 封装 | 丝印标记 | 包装形式 |
|---|---|---|---|
| CXESD-12VSSA | SOD523 | ZM | 3000 pcs / 卷带(Tape & Reel) |
CXESD-12VSSA 采用无铅、RoHS 合规的 SOD523 塑料封装,提供卷带包装以适应自动化贴片生产。嘉泰姆电子提供工程样品、量产供货及完整的技术资料,包括数据手册、封装尺寸图、推荐焊盘与回流焊曲线,并可根据客户应用场景提供 ESD/浪涌防护方案评估。
技术邮件: ouamo18@jtm-ic.com | 技术热线: 13823140578

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