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CXAC85368A 同步整流控制器 | 宽输出3V-22V | CCM/DCM/QR | 内置HV LDO - 嘉泰姆电子
| 产品型号： | CXAC85368A |
| 产品类型： | AC-DC转换 |
| 产品系列： | 同步整流控制器 |
| 产品状态： | 量产 |
| 浏览次数： | 6 次 |
产品简介
技术参数
| 输入电压范围 (VIN) | 22V |
|---|---|
| 输出电压 (VOUT) | adj |
| 输出电流 (IOUT) | 1mA |
| 工作频率 | 150kHz |
| 转换效率 | 95% |
| 封装类型 | SOT-26 |
| Solution type | 同步整流控制器 |
| Max power | 65mA |
| Protection | OVP/OCP/短路保护 |
| Application | AC-DC转换器 |
| Mos管 | - |
| 精度 | ±1% |
| 功耗 | 120uA |
| Topology type | AC-DC SSR控制 |
| MODE Flyback | CCM+Valley |
| Operating temp | -40℃~85℃ |
| Features | Built-in HV LDO;Green Mode;High-Side SR Controller Of Flyback in CCM;DCM and Quasi-Resonant Mode+;Low-Side SR Controller Of Flyback in CCM;DCM and Quasi-Resonant Mode;VG Fast Turn-Off;VG Initial Output Low Clamping;VG Minimum Off-Time;VG Minimum On-Time;VG Output High Clamping |
| Turn-On Threshold (V) | 3.25V |
| Turn-Off Threshold (V) | 2.8V |
| Maximum VD Rating (DC Continue) (V) | 120V |
| Maximum VD Rating (Pulse width 500ns) (V) | 130V |
| VG Total Turn-Off Delay Less than (ns) | 30ns |
产品详细介绍
CXAC85368A 同步整流控制器
宽输出电压3V-22V | 适用于CCM/DCM/QR | 内置HV LDO | 绿色模式
产品版本：Rev 1.0 | 更新日期：2026年7月 | 型号：CXAC85368A | 封装：SOT-23-6
技术咨询：ouamo18@jtm-ic.com 或致电 13823140578 (嘉泰姆电子)
嘉泰姆电子（JTM-IC）推出的CXAC85368A 是一款高性能同步整流（SR）控制器，专为反激变换器设计，支持连续导通模式（CCM）、断续导通模式（DCM）和准谐振（QR）模式。该芯片通过检测功率MOSFET的漏极电压来决定栅极驱动信号的开/关，从而最小化关断死区时间，提升系统效率。
CXAC85368A 支持3V至22V的宽输出电压范围，内置高压LDO（HV LDO），可在低输出电压下为SR MOSFET栅极驱动供电，确保MOSFET充分导通。芯片在轻载条件下进入绿色模式（Green Mode），通过检测栅极脉冲数量决定进入时机，并将工作电流降至160uA以下，显著提高轻载效率。此外，芯片具备可选的SR最小关断时间、快速关断功能（总延迟<35ns）以及栅极初始输出低钳位等功能，为高可靠性设计提供保障。
1. 产品概述与市场定位
在现代快充适配器（支持FCP、SCP、AFC、QC2.0/3.0及USB PD Type-C）中，同步整流技术对提高转换效率至关重要。传统二极管整流损耗大，而同步整流控制器需要在宽输出电压范围内精确控制SR MOSFET。CXAC85368A 专为此设计，其宽VDD范围（3V-22V）可直接连接输出电容，内置LDO确保低压时栅极驱动电压稳定，自动跟踪控制则根据负载动态调整关断阈值，最小化死区时间。
该芯片尤其适合输出范围宽的USB PD适配器（5V/9V/15V/20V），以及快速充电协议适配器。其绿色模式可大幅降低轻载功耗，满足能效标准。最大工作频率高达300kHz，支持高功率密度设计。
2. 主要特点与技术亮点
3V至22V，直接连接输出电容
CCM、DCM、QR模式
120V/60mA，低输出时驱动能力不减
轻载下工作电流<160uA
逐周期调节关断阈值，优化效率
总延迟<35ns，减少死区损耗
300kHz（支持高频设计）
栅极6V钳位、最小导通/关断时间、VD UVP
- 栅极驱动能力： 6V钳位，确保MOSFET安全。
- 初始输出低钳位： 启动前避免栅极误触发。
- 可选最小周期保护： 防止误触发。
- 多种版本可选： 不同频率、最小导通时间等参数可定制。
3. 引脚封装与说明
CXAC85368A 采用 SOT-23-6 封装，引脚功能定义如下：VDD（电源）、GND（地）、VBIAS（稳压输出）、VD（漏极电压检测）、VS（源极电压检测）、VG（栅极驱动输出）。详细引脚排列请参考数据手册。
图1. CXAC85368A 引脚封装图（顶视图）
[ 封装外形示意图预留位置：SOT-23-6 ]
详细引脚间距及尺寸请联系嘉泰姆电子获取。
4. 典型应用电路与内部方框图
图2. CXAC85368A 典型应用电路（反激同步整流）
电路组成：反激变压器次级绕组 -> SR MOSFET -> 输出电容。CXAC85368A的VD接MOSFET漏极，VS接源极，VG驱动栅极，VDD接输出电容取电。
图2. 典型应用电路
图3. CXAC85368A 内部功能方框图
内部集成：HV LDO、漏极电压检测比较器、栅极驱动逻辑、自动跟踪控制、绿色模式检测、最小导通/关断时间控制、保护电路等。
5. 极限参数与电气特性（设计参考）
| 符号 | 参数 | 最小值 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|
| VD（脉冲） | 漏极电压（脉冲宽度500ns） | -1 | 130 | V |
| VD（DC） | 漏极电压（直流连续） | -1 | 120 | V |
| VDD | 电源输入电压（VDD to GND） | -0.3 | 25 | V |
| VG | 栅极驱动电压（VG to GND） | -0.3 | 10 | V |
| VBIAS | 偏置电压（VBIAS to GND） | -0.3 | 7 | V |
| TJ | 结温范围 | -40 | 150 | ℃ |
| TSTG | 存储温度 | -65 | 150 | ℃ |
| ESD (HBM) | 人体模型（除VD脚） | - | 2 | kV |
| ESD (HBM) VD | 人体模型（VD脚） | - | 1 | kV |
| 参数 | 条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|
| VD 输入电压 | 漏极电压 | -1 | - | 120 | V |
| VDD 输入电压 | 电源电压 | 3 | - | 22 | V |
| 结温范围 | 工作结温 | -40 | - | 125 | ℃ |
| 环境温度 | 工作环境 | -40 | - | 105 | ℃ |
| 参数 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|
| VDD 开启阈值 | VDD_ON | 3.05 | 3.25 | 3.45 | V |
| VDD 关断阈值 | VDD_OFF | 2.7 | 2.8 | 2.9 | V |
| VDD 迟滞 | VDD_HYST | 0.35 | 0.45 | 0.55 | V |
| 启动电流 | IDD_START | - | - | 150 | uA |
| 工作电流（正常） | IDD_OP（无SR驱动） | - | 1 | 1.2 | mA |
| 工作电流（绿色模式） | IDD_GREEN | - | 120 | 160 | uA |
| VBIAS输出电压 | VBIAS（VDD<4.7V） | - | 4.7 | - | V |
| 栅极驱动钳位电压 | VG_CLAMP | - | 6 | - | V |
| VD下降沿触发阈值时间 | tVD_FALLING（典型） | - | 150 | - | ns |
| 快速关断延迟 | 总延迟 | - | <35 | - | ns |
| 最大工作频率 | fMAX | - | 300 | - | kHz |
6. 工作原理与设计指导
6.1 电源选择与HV LDO
VDD引脚可直接连接电源输出电容，支持3V-22V宽压。当VDD低于4.7V时，内置HV LDO（120V/60mA）提供4.7V的VBIAS给栅极驱动，确保低输出电压下MOSFET能完全导通；当VDD高于4.7V时，VBIAS跟随VDD，但VG电压被钳位在6V，以防止过高的栅极电压导致关断延迟增加。此外，启动前VG输出初始低钳位，避免寄生电容误触发。
6.2 VG导通与关断控制
当VD电压在
6.3 绿色模式
在轻载条件下，如果VG脉冲在tVD_EDGE周期内少于32个，芯片进入绿色模式，禁用SR驱动，工作电流降至160uA以下，降低轻载损耗。当VD脉冲在tVD_EDGE周期内超过64个时，芯片立即退出绿色模式，恢复正常工作。
6.4 系统VD下降时间设计建议
VD下降时间由初次级寄生电容和励磁电流决定。为保证芯片可靠触发，建议系统VD下降时间至少比tVD_FALLING（典型值）小30ns，以补偿内部比较器延迟。设计时应考虑最小Ipeak条件下的最坏情况。
关键参数：
最小导通时间 tMINON_VG（典型1us）
最小关断时间 tMINOFF_VG（初始0.45us，VIN低时1.95us）
VD下降沿触发阈值时间 tVD_FALLING（可选150ns或200ns版本）
7. 基于 CXAC85368A 的 65W USB PD 适配器同步整流设计
设计目标：65W USB PD适配器，输出5V/3A、9V/3A、15V/3A、20V/3.25A，初级侧采用QR反激，次级侧使用CXAC85368A进行同步整流。
- SR控制器： CXAC85368A（选用150kHz或300kHz版本）。
- SR MOSFET： 选择低RDS(on)和低Qg的100V/10A MOSFET。
- VDD供电： 直接连接输出电容（3V-22V范围），无需额外绕组。
- VD检测： 连接MOSFET漏极，确保走线短且远离噪声源。
- VS和GND： 开尔文连接到MOSFET源极和系统地，以准确检测VDS。
- 布局： VD走线尽量短，VS和GND独立连接到源极，减少寄生电感。
详细设计请参考数据手册或咨询FAE。
8. PCB 布局建议（同步整流）
- VD走线： 连接MOSFET漏极，尽量短且远离高压开关节点，避免噪声耦合。
- VS和GND： 应独立连接到MOSFET源极和系统地，采用开尔文检测，以准确感知VDS。
- VDD电容： VDD引脚对地电容（建议1uF~10uF）应尽量靠近芯片。
- VBIAS电容： VBIAS引脚需接旁路电容（>=0.1uF），靠近芯片。
- VG驱动回路： 从VG到MOSFET栅极再返回VS的环路应尽可能短，减小寄生电感。
- 地线： 芯片GND直接连接到系统地（次级侧地），避免与功率地之间产生压降。
- 散热： SOT-23-6封装功耗约0.38W，注意铜箔散热。
9. 订购信息与技术支持
CXAC85368A 提供多种版本（如MDR、HDR、HCR等），主要区别在于最大工作频率、最小导通时间、VD下降沿阈值等参数，以适应不同应用需求。所有版本均采用 SOT-23-6 封装，无铅、RoHS合规且无卤素。嘉泰姆电子提供工程样品、量产芯片及全面的技术支持，包括评估板、参考设计、应用笔记和FAE现场支持。
技术邮件：ouamo18@jtm-ic.com | 技术热线：13823140578
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