三相独立半桥驱动芯片CXLE82113高性价比的大功率MOS IGBT栅极驱动专用芯片,内部集成了逻辑信号输入处 理电路、死区时控制电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路闭锁功能防止输出功率管同时导通,输入通道HIN和LIN内建了一个下拉和上拉电阻, 在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态

发布时间:2020-04-06 09:43:38 浏览次数:699 作者:嘉泰姆
摘要:三相独立半桥驱动芯片CXLE82113高性价比的大功率MOS IGBT栅极驱动专用芯片,内部集成了逻辑信号输入处 理电路、死区时控制电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路闭锁功能防止输出功率管同时导通,输入通道HIN和LIN内建了一个下拉和上拉电阻, 在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态

目录

1.产品概述       2.产品特点     yDF嘉泰姆

3.应用范围       4.技术规格书下载(PDF文档)</span>yDF嘉泰姆

5.产品封装       6.电路原理图</strong>  yDF嘉泰姆

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       CXLE82113是一款高性价比的大功率MOS 、IGBT栅极驱动专用芯片,内部集成了逻辑信号输入处 理电路、死区时控制电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路。&nbsp;
  CXLE82113高端的工作电压可达300V,低端VCC的电源电压范围宽4.5V~20V。该芯片具有闭锁功能防止输出功率管同时导通,输入通道HIN和LIN内建了一个下拉和上拉电阻, 在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态,输出电流能力IO +1.2A/-1.4A,采用TSSOP20封装。</span>

   产品特点 返回TOPyDF嘉泰姆


  高端悬浮自举电源设计,耐压可达300VyDF嘉泰姆

集成三路独立半桥驱动yDF嘉泰姆

适应5V、3.3V输入电压yDF嘉泰姆

最高频率支持 500KHZyDF嘉泰姆

低端VCC电压范围 4.5V-20VyDF嘉泰姆

输出电流能力IO +1.2A/-1.4AyDF嘉泰姆

内建死区控制电路yDF嘉泰姆

自带闭锁功能,彻底杜绝上、下管输出同时导通</p>

HIN输入通道高电平有效,控制高端 HO输出yDF嘉泰姆

LIN输入通道高低平有效,控制低端 LO 输出yDF嘉泰姆

封装形式:TSSOP20yDF嘉泰姆

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 三相直流无刷电机驱动器</span>yDF嘉泰姆

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