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English硅外延 NPN 晶体管 高频，f T典型值4GHz低噪声 高频双极NPN晶体管(NPN Silicon Epitaxial Transistor )CXNP5419 CXNP5419B
目录
1.产品概述 2.产品特点 3.应用范围 4.技术规格书下载（PDF文档）</span>
5.产品封装 6.电路原理图</strong> 7.相关产品
硅外延 NPN 晶体管 高频，f T典型值 4GHz 低噪声
应用条件
参数 | 符号 | 最大值</span> | 单位 |
BC 结击穿电压</span> | VCBO | 20 | V |
EC 结击穿电压</span> | VCEO | 12 | V |
EB 结击穿电压</span> | VEBO | 3 | V |
集电极电流</span> | IC | 50 | mA |
功耗</span> | PC | 0.2 | W |
结温 | Tj | 150 | ℃</span> |
保存温度 | Tstg | -55-+150 | ℃</span> |
电学特性</span> (T=25℃</span>)
参数 | 符号 | 最小</span> | 典型 | 最大</span> | 单位 | 测试条件 |
BC 结击穿电压</span> | BVCBO | 20 | V | IC=10μA | ||
EC 击穿电压 | BVCEO | 12 | V | IC=1mA | ||
EB 结击穿电压</span> | BVEBO | 3 | V | IE=10μA | ||
BC 结漏电流 | ICBO | 0.5 | μA | Vcb=10V | ||
EB 结漏电流 | IEBO | 0.5 | μA | Veb=2V | ||
CE 饱和电压 | VCE (SAT) | 0.5 | V | Ic/Ib = 10m A / 5m A | ||
电流增益 | hFE | 56 | 70 | 180 | VCE/IC=5V/5mA | |
频率 | fT | 1.4 | 4 | GHz | VCE=10V, IC=10mA | |
输出电容 | Cob | 0.8 | 1.5 | pF | Vcb=10V,Ie=0A, f= 1MHz | |
噪声因子 | NF | 3.5 | db | Vce=8V, Ic=2m A, f=500MHz Rg=50Ω |
高频放大，工作频率 900 MHz
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| 高频双极NPN晶体管</span>(NPN Silicon Epitaxial Transistor) | ||||||
| Part No. | Polarity | VCEO(Max.) | IC(Max.) | Ft(Typical) | Package | Application |
| CXNP5419 | NPN | 12V | 50mA | 3.0GHz | SOT23 | LNA |
| CXNP5419B | NPN | 12V | 80mA | 4.0GHz | SOT23 | LNA |
| CXNP5420 | NPN | 12V | 100mA | 5.0GHz | SOT23 | LNA |
| CXNP5420B | NPN | 12V | 200mA | 5.0GHz | SOT23 | LNA |
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