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EnglishP 沟道增强型场效应管 CXCP5364
一,产品概述(General Description)
VDSS | ID | RDS(ON)(mΩ)TYP |
-20V | -4.5A/-0.3A | 135 @ VGS=-4.5V |
115 @ VGS=-2.5V |
Vdss=-30V
Vgss=±20V
Id=-4.4A
Idm=-30A
Is=-1A
封装形式:SOT-23-3L/B
二</span>.产品特点(Features)
低<a href="http://www.jtm-ic.com/a/xinwenzhongxin/xinpinjishu/" target="_blank" style="padding: 0px; margin: 0px; color: rgb(37, 110, 177); text-decoration: none;">导通电阻</span>
高<a href="http://www.jtm-ic.com/a/xinwenzhongxin/xinpinjishu/" target="_blank" style="padding: 0px; margin: 0px; color: rgb(37, 110, 177); text-decoration: none;">可靠性</span>
驱动要求简单<br style="padding: 0px; margin: 0px;"/>采用 SOT-23-3L/B 封装
三</span>,应用范围 (Applications)
四.下载产品资料PDF文档
需要详细的PDF规格书请扫一扫微信联系我们，还可以获得免费样品以及技术支持</span>！</span>
五,产品封装图 (Package)
六.电路原理图</span>
七</span>,功能概述
参数 | 符号 | 条件 | 最小</p> | 典型 | 最大</p> | 单位 |
关态特性</p> | ||||||
漏源击穿电压 | BVDSS | VGS=0V, ID=-250μA | -30 | V | ||
零栅压漏电流 | IDSS | VDS=-24V, VGS=0V | -1 | μA | ||
栅－衬漏电流 | IGSS | VDS=0V, VGS=±20V | ±100 | nA | ||
开态特性</p> | ||||||
栅极阈值电压</p> | VGS(th) | VDS=VGS, ID=-250μA | -0.7 | -1 | -1.5 | V |
漏源通态电阻</p> | RDS(ON) | VGS=-10V, ID=-4.2A | 45 | 52 | mΩ | |
VGS=-4.5V, ID=-4A | 58 | 65 | ||||
正向跨导 | ||||||
gfs | VGS=-5V, ID=-5A | 10 | S | |||
动态参数</p> | ||||||
输入电容 | CISS | VDS=-15V ,VGS=0V | 950 | pF | ||
输出电容 | COSS | f=1.0MHz | 115 | |||
反向传输电容 | ||||||
CRSS | 75 | |||||
开关特性</p> | ||||||
开通延迟时间</p> | tD(ON) | VDD=-15V | 7 | ns | ||
上升时间 | tr | ID=-3.2A | 3 | |||
关断延迟时间 | VGEN=-10V | |||||
tD(OFF) | RGEN=6ohm | 30 | ||||
下降时间 | ||||||
tf | 12 | |||||
栅极总电荷</p> | ||||||
Qg | VDS=-15V,ID=-4A | 9.5 | nC | |||
栅源电荷 | VGS=-4.5V | Qgs | 2 | |||
栅漏电荷 | ||||||
Qgd | 3 | |||||
漏源二极管特征参数</p> | ||||||
漏源二极管正向电压</p> | VSD | VGS=0V,Is=-1 A | -0.81 | -1.2 | V | |
产品名称 | Vdss(V) | Vgss(V) | Id(A) | Idm(A) | Is(A) | 封装形式 |
-30 | ±20 | -4.4 | -30 | -1 | SOT-23-3 | |
-20 | ±12 | -1.1 | -2.4 | -0.26 | SOT-523 | |
-20 | ±12 | -0.8 | -2.8 | -0.58 | SOT-23-3 | |
-20 | ±12 | -0.8 | -1.8 | -0.58 | SOT-23-3 | |
-20 | ±12 | -3.6 | -11 | -1.25 | SOT-23-3 |
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