CXLD6440使用CMOS技术开发的高速、低压差，高精度输出电压， 低消耗电流正电压型电压稳压器。由于内置有低通态电阻晶体管，因而压差低， 能够获得较大的输出电流
发布时间：2020-04-06 09:43:38
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作者：嘉泰姆
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摘要：CXLD6440使用CMOS技术开发的高速、低压差，高精度输出电压， 低消耗电流正电压型电压稳压器。由于内置有低通态电阻晶体管，因而压差低， 能够获得较大的输出电流
一,产品概述(General Description)
CXLD6440系列是使用CMOS技术</span>开发的高速、低压差，高精度输出电压，<br style="padding: 0px; margin: 0px;"/>低消耗<span style="padding: 0px; margin: 0px;text-decoration:underline;">电流正电压型电压稳压器。由于<span style="padding: 0px; margin: 0px;text-decoration:underline;">内置有低通态电阻晶体管，因而压差低，<br style="padding: 0px; margin: 0px;"/>能够获得较大的输出电流。外置输出反馈，可以很方便地得到客户需要的电压。<br style="padding: 0px; margin: 0px;"/>为了使负载电流不超过输出晶体管的电流容量，内置了过流保护、过温保护及
短路保护功能。 CXLD6440可具有POWER GOOD指示功能。当FB电压达到0.75V
时，PG输出为高。当FB降到0.7V以下时，PG输出为低。内部运放采用了先进
nMZ嘉泰姆 的结构，输出电容可以省略。</span>nMZ嘉泰姆 二</span>.产品特点(Features)
可编程输出：最低可以到0.8V
反馈精度高： 精度可达±1.5%
输入输出压差低： 300 mV 典型值(输出为3.0V的产品, IOUT=100mA时)
高纹波抑制比：50dB (1 kHz)
消耗电流少：30μA(TYP.)
最大输出电流：可输出300mA(VIN≥VOUT+1V)
待机电流：小于0.1μA
内置保护：内置过流保护、过温保护和短路保护电路
带POWER GOOD 指示
三</span>,应用范围 (Applications)
移动电话
无绳电话
照相机、视频录制<span style="padding: 0px; margin: 0px;text-decoration:underline;">设备
便携式游戏机
便携式AV设备
基准电压源
以<span style="padding: 0px; margin: 0px;text-decoration:underline;">电池供电的系统
四.下载产品资料PDF文档 nMZ嘉泰姆 需要详细的PDF规格书请扫一扫微信联系我们，还可以获得免费样品以及技术支持</span>！</span>nMZ嘉泰姆  nMZ嘉泰姆 五,产品封装图 (Package)nMZ嘉泰姆  nMZ嘉泰姆
六.电路原理图</span>nMZ嘉泰姆
 nMZ嘉泰姆
|
七</span>,功能概述nMZ嘉泰姆
项目nMZ嘉泰姆 | 符号nMZ嘉泰姆 | 条件nMZ嘉泰姆 | 最小值</p> | 典型值</p> | 最大值</p> | 单位nMZ嘉泰姆 |
反馈电压nMZ嘉泰姆 | VFBnMZ嘉泰姆 | VIN=4.2V,Vout=3.3V,IOUT=30 mAnMZ嘉泰姆 | 790nMZ嘉泰姆 | 800nMZ嘉泰姆 | 810nMZ嘉泰姆 | mVnMZ嘉泰姆 |
输出电流nMZ嘉泰姆 | IOUTnMZ嘉泰姆 | VIN≥VOUT(S)+1.0 VnMZ嘉泰姆 | 500 *5nMZ嘉泰姆 | —</p> | —</p> | mAnMZ嘉泰姆 |
输入输出压差*nMZ嘉泰姆 | VdropnMZ嘉泰姆 | IOUT=50 mAnMZ嘉泰姆 | —</p> | 0.12nMZ嘉泰姆 | 0.20nMZ嘉泰姆 | VnMZ嘉泰姆 |
IOUT=100 mAnMZ嘉泰姆 | —</p> | 0.30nMZ嘉泰姆 | 0.45nMZ嘉泰姆 |
输入稳定度</p> |
|
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|
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|
DVOUT 1
DVIN ·VOUTnMZ嘉泰姆 | VOUT(S)+0.5 V ≤VIN≤6V
IOUT=30 mAnMZ嘉泰姆 | —</p> | 0.10nMZ嘉泰姆 | 0.20nMZ嘉泰姆 | %/VnMZ嘉泰姆 |
|
负载稳定度</p> | DVOUT 2nMZ嘉泰姆 | VIN=VOUT(S)+1.0 V
1.0 mA ≤IOUT ≤100 mAnMZ嘉泰姆 | —</p> | 50nMZ嘉泰姆 | 100nMZ嘉泰姆 | mVnMZ嘉泰姆 |
输出电压
温度系数nMZ嘉泰姆 | DVOUT
DTa · VOUTnMZ嘉泰姆 | VIN=VOUT(S)+1.0 V, IOUT=10 mA
-40°C ≤<span style="padding: 0px; margin: 0px;"> Ta ≤85°CnMZ嘉泰姆 | —</p> | ±100nMZ嘉泰姆 | —</p> | ppm/℃</p> |
工作消耗电流</p> | ISS1nMZ嘉泰姆 | VIN=VOUT(S)+1.0 VnMZ嘉泰姆 | —</p> | 30nMZ嘉泰姆 | 40nMZ嘉泰姆 | μAnMZ嘉泰姆 |
关断电流nMZ嘉泰姆 | IshutnMZ嘉泰姆 | VIN=5 V,VCE=0nMZ嘉泰姆 |
|
| 0.1nMZ嘉泰姆 | uAnMZ嘉泰姆 |
输入电压nMZ嘉泰姆 | VINnMZ嘉泰姆 | ——</p> | 2.0nMZ嘉泰姆 | —</p> | 6nMZ嘉泰姆 | VnMZ嘉泰姆 |
纹波抑制率</p> | |PSRR|nMZ嘉泰姆 | VIN=VOUT(S)+1.0 V，f=1 kHz
Vrip=0.5 Vrms, IOUT=50 mAnMZ嘉泰姆 | —</p> | 50nMZ嘉泰姆 | —</p> | dBnMZ嘉泰姆 |
短路电流nMZ嘉泰姆 | IshortnMZ嘉泰姆 | VIN=VOUT(S)+1.0 V,
ON/OFF 端子为 ON,VOUT=0 VnMZ嘉泰姆 | —</p> | 30nMZ嘉泰姆 | —</p> | mAnMZ嘉泰姆 |
CE 最小高电平nMZ嘉泰姆 | VCEHnMZ嘉泰姆 |
| 0.8nMZ嘉泰姆 |
|
| VnMZ嘉泰姆 |
CE 最小低电平nMZ嘉泰姆 | VCELnMZ嘉泰姆 |
|
|
| 0.75nMZ嘉泰姆 | VnMZ嘉泰姆 |
CE 为高电流nMZ嘉泰姆 | ICEHnMZ嘉泰姆 | VIN=VCE=VOUT(T)+1VnMZ嘉泰姆 | -0.1nMZ嘉泰姆 |
| 0.1nMZ嘉泰姆 | μAnMZ嘉泰姆 |
CE 为低电流nMZ嘉泰姆 | ICELnMZ嘉泰姆 | VIN= VOUT(T)+1V ，VCE=VSSnMZ嘉泰姆 | -0.1nMZ嘉泰姆 |
| 0.1nMZ嘉泰姆 | μAnMZ嘉泰姆 |
八,相关产品nMZ嘉泰姆
产品名称nMZ嘉泰姆 | 工作电压(V)nMZ嘉泰姆 | 输出电流(mA)nMZ嘉泰姆 | 静态功耗(uA)nMZ嘉泰姆 | 纹波抑制比(dB)nMZ嘉泰姆 | 封装形式nMZ嘉泰姆 |
CXLD6440nMZ嘉泰姆 | 1.5-6.0nMZ嘉泰姆 | 300nMZ嘉泰姆 | 30nMZ嘉泰姆 | 55@1KHznMZ嘉泰姆 | SOT-23-5,SOT-23-6nMZ嘉泰姆 |
CXLD6438nMZ嘉泰姆 | 1.8-5.5nMZ嘉泰姆 | 250nMZ嘉泰姆 | 8nMZ嘉泰姆 | 40@1KHznMZ嘉泰姆 | SOT-23-3BnMZ嘉泰姆 |
CXLD6439nMZ嘉泰姆 | 1.8-5.5nMZ嘉泰姆 | 250nMZ嘉泰姆 | 2nMZ嘉泰姆 | 40@1KHznMZ嘉泰姆 | SOT-89-3,SOT-23-3nMZ嘉泰姆 |
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