
CXESD-24VSSA 24V单向ESD静电保护二极管 | SOD523封装 | 30kV ESD | 6A浪涌 - 嘉泰姆电子
| 产品型号: | CXESD-24VSSA |
| 产品类型: | 电池保护IC |
| 产品系列: | ESD静电保护管 |
| 产品状态: | 量产 |
| 浏览次数: | 8 次 |
产品简介
技术参数
| 输入电压范围 (VIN) | 24V |
|---|---|
| 输出电流 (IOUT) | 6A |
| 工作频率 | 1MHz |
| 转换效率 | 95% |
| 封装类型 | SOD523 |
| Type | ESD静电保护管 |
| Overcharge voltage | 26V~30V |
| Overcurrent current | 6A |
| Short protection | 支持 |
| Operating temp | -20~150℃ |
| Features | 单向 |
| Application | 手机,便携设备,数码相机,电源 |
| 结电容(typ) | 30pF |
| ESD保护 | 30kV (空气/接触) |
| Pppm | 270W |
产品详细介绍
CXESD-24VSSA 24V 单向 ESD 静电保护二极管
SOD523 超小封装 | 30kV 空气/接触放电 | 6A 浪涌 | nA 级漏电流
产品版本:Rev 1.0 | 更新日期:2026年7月 | 型号:CXESD-24VSSA | 封装:SOD523
技术咨询:ouamo18@jtm-ic.com 或致电 13823140578 (嘉泰姆电子)
嘉泰姆电子(JTM-IC)推出的 CXESD-24VSSA 是一款采用 SOD523 超小塑料封装的 单向静电放电(ESD)保护二极管,专为单条传输线或数据线提供静电与瞬态浪涌防护而设计。器件反向工作电压(VRWM)为 24V Max,可长期并联在 24V 以下的电源轨或信号线上而不影响系统正常工作;击穿电压 26V~30V,钳位电压低至 42V(典型值)@ 6A,能在大电流瞬态到来时迅速把电压钳制在安全范围。CXESD-24VSSA 漏电流仅为 nA 级(最大 100nA),典型响应时间 小于 1ns,ESD 抗扰能力达到 30kV(空气放电)/ 30kV(接触放电)(IEC 61000-4-2),浪涌承受能力 6A(8/20μs,IEC 61000-4-5),峰值脉冲功率 270W,是手机、便携设备、数码相机、电源适配器以及各类 24V 接口静电防护的理想选择。
1. 产品概述与市场定位
在便携电子、数字影像设备与电源适配器中,静电放电(ESD)和线缆放电(CDM)是导致接口芯片损坏与整机返修的常见应力。一颗设计良好的 ESD 保护二极管,能够在纳秒级时间内把瞬态电流泄放到地,把后级 IC 引脚电压限制在其绝对最大额定值以内。CXESD-24VSSA 正是面向 24V 以下电源线与信号线推出的 单向 ESD 保护器件,其特点是"低钳位 + 低漏电 + 超小封装"的平衡。
与双向 TVS 相比,单向结构在正向导通时具有约 0.8V 的低正向压降,适合存在负向瞬态或需要钳位负电压的场合;同时单向器件的正向泄放路径明确,适合极性已知的直流电源线与固定方向信号线。CXESD-24VSSA 采用 SOD523 封装,本体尺寸仅 1.20mm×0.80mm、引脚跨距 1.60mm,可直接布置在连接器附近极其有限的 PCB 空间内,是 24V 电源输入口、便携设备接口、数码相机信号线与电源适配器输出的通用型防护器件。
在系统级 EMC 设计中,ESD 保护器件需要与后级耐压、信号速率、接地阻抗共同匹配。CXESD-24VSSA 的 24V 工作电压为 12V、15V、18V、24V 电源轨提供充足余量;6A 下最大 45V 的钳位电压,可为耐压 50V 左右的后级芯片留出设计裕量;30pF(0V)与 8.2pF(24V)的结电容,适合电源线、按键线、传感器引线及中低速信号接口。nA 级漏电流则保证电池供电设备长期挂载时待机功耗几乎不受影响。
2. 主要特点与技术亮点
- 低钳位电压设计:6A 峰值脉冲电流下钳位电压典型 42V、最大 45V,为后级 IC 留出充足安全裕量。
- 超低漏电流:24V 反向工作电压下漏电流不超过 100nA,电池供电设备待机功耗几乎不受影响。
- 亚纳秒级响应:典型响应时间小于 1ns,能够抢在 ESD 脉冲上升沿之前完成钳位动作。
- 高峰值脉冲功率:8/20μs 波形下峰值脉冲功率达 270W,峰值脉冲电流 6A,可兼顾静电与雷击浪涌两类应力。
- 低正向压降:10mA 正向电流下正向压降典型 0.8V、最大 0.9V,负向瞬态泄放损耗小。
- 结电容适配中低速线路:0V/1MHz 下结电容典型 30pF、最大 35pF;24V 下典型 8.2pF、最大 10pF,适合电源线与中低速信号线。
- 宽工作温度范围:工作温度 -40℃~+125℃,存储温度 -55℃~+150℃,最大结温 150℃,最大焊接引脚温度 260℃(10s)。
- 小体积易布局:SOD523 贴片封装支持回流焊,适合高密度自动化生产。
3. 电路原理图与引脚配置
CXESD-24VSSA 为两引脚单向结构:引脚 1 为阴极(Cathode),引脚 2 为阳极(Anode)。典型应用中,阴极连接被保护的信号线或电源线,阳极连接地(GND)。当被保护线上出现正向 ESD 或浪涌脉冲时,器件进入雪崩击穿状态,把瞬态电流泄放到地,将线电压钳制在 42V 左右;当线上出现负向脉冲时,二极管正向导通,把负压钳位在约 -0.8V,从而对后级形成双向保护。

图2. 典型应用电路

引脚封装图
| 引脚 | 名称 | 功能说明 |
|---|---|---|
| 1 | Cathode(阴极) | 连接被保护的信号线或电源线,为器件雪崩击穿端 |
| 2 | Anode(阳极) | 连接系统地 GND,为瞬态电流泄放回路 |
4. 极限参数与电气特性
| 参数 | 符号 | 数值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| 峰值脉冲功率(tp = 8/20μs) | Pppm | 270 | W |
| 峰值脉冲电流(tp = 8/20μs) | Ippm | 6 | A |
| 焊接时引脚最高温度(10s) | TL | 260 | ℃ |
| 存储温度范围 | Tstg | -55 ~ +150 | ℃ |
| 工作温度范围 | Top | -40 ~ +125 | ℃ |
| 最大结温 | Tj | 150 | ℃ |
| ESD 电压 IEC 61000-4-2(空气放电) | VESD | 30 | kV |
| ESD 电压 IEC 61000-4-2(接触放电) | VESD | 30 | kV |
| 参数 | 符号 | 最小 | 典型 | 最大 | 单位 | 测试条件 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 反向工作电压 | VRWM | — | — | 24 | V | — |
| 击穿电压 | VBR | 26 | — | 30 | V | I1 = 1mA |
| 正向电压 | VF | 0.7 | 0.8 | 0.9 | V | I1 = 10mA |
| 漏电流 | IR | — | — | 100 | nA | VRWM = 24V |
| 钳位电压 | VC | — | 42 | 45 | V | Ipp = 6A,Tp = 8/20μs |
| 结电容(VR=0V) | Cj | — | 30 | 35 | pF | VR = 0V,f = 1MHz |
| 结电容(VR=24V) | Cj | — | 8.2 | 10 | pF | VR = 24V,f = 1MHz |
| 符号 | 最小值 | 标称值 | 最大值 |
|---|---|---|---|
| A(本体长度) | 1.10 | 1.20 | 1.30 |
| B(本体宽度) | 0.70 | 0.80 | 0.90 |
| C(本体高度) | 0.60 | 0.65 | 0.70 |
| D(引脚宽度) | 0.25 | 0.30 | 0.35 |
| J(引脚厚度) | 0.08 | 0.11 | 0.15 |
| K(引脚伸出) | 0.15 | 0.20 | 0.25 |
| S(引脚跨距) | 1.50 | 1.60 | 1.70 |
5. 工作原理与设计指导
5.1 单向 ESD 保护的工作过程
CXESD-24VSSA 内部为一只特殊设计的雪崩二极管。正常工作时,线路电压低于 24V 反向工作电压,器件处于截止状态,仅有不超过 100nA 的漏电流流过,对系统几乎无影响。当 ESD 事件发生时,线电压在 1ns 量级内迅速抬升并超过击穿电压(26V~30V),器件进入雪崩击穿,等效阻抗急剧下降,把脉冲电流旁路到地,同时把线电压钳制在 42V(典型值,6A)附近。脉冲结束后,线电压回落,器件自动恢复到高阻截止状态,无需任何复位或外部控制。
5.2 钳位电压与后级耐压的匹配
选型时最容易被忽略的是钳位电压与后级芯片绝对最大额定值的配合关系。CXESD-24VSSA 在 6A 峰值电流下的钳位电压最大为 45V,因此后级被保护器件的绝对最大输入电压应不低于 50V,才能保证在极端 ESD 条件下不出现损伤。若后级芯片耐压仅为 36V,则需要选择更低钳位电压的型号,或在保护器件与芯片之间增加串联限流电阻(建议 10Ω~100Ω)来分担压降。对于耐压 50V 以上的接口芯片与 24V 电源轨,CXESD-24VSSA 的 24V 工作电压与 42V 钳位是兼顾保护强度与电压余量的合适选择。
5.3 结电容对信号完整性的影响
器件的结电容在 0V/1MHz 条件下典型 30pF、最大 35pF;在 24V 下降至典型 8.2pF、最大 10pF。对于电源线、按键线、传感器引线等低速线路,该容值几乎不会造成影响;对于中速数据总线,30pF 并联电容对上升沿的影响仍在可接受范围内,但需注意多节点并联时电容累加效应。对于更高速率的数据线,则建议选用结电容更低的专用型号。设计时应把结电容与总线负载电容一并核算,确保信号边沿时间仍满足协议规范。
5.4 响应速度与 IEC 61000-4-2 波形
IEC 61000-4-2 标准规定的接触放电波形上升沿约为 0.7ns~1ns。CXESD-24VSSA 的典型响应时间小于 1ns,意味着器件能够在脉冲上升沿期间即建立钳位通路,避免后级芯片承受未经衰减的高压尖峰。实际测试中,保护效果不仅取决于器件本身,还与 PCB 走线的寄生电感密切相关——每 1mm 走线约引入 1nH 电感,在 1ns 上升沿下会产生可观的电压过冲,因此布局比选型同等重要。
5.5 浪涌(8/20μs)承受能力
除静电外,CXESD-24VSSA 还能承受 IEC 61000-4-5 定义的 8/20μs 组合波浪涌,峰值电流 6A、峰值脉冲功率 270W。这一能力使其可以覆盖部分感应雷击与电源切换引起的瞬态过应力,适合安装在 24V 电源输入口作为末级防护。若系统预期浪涌等级更高(如 1kV 以上组合波),建议在 CXESD-24VSSA 前级再增加压敏电阻或气体放电管构成多级防护,由前级吸收大部分能量,本器件负责末级精确钳位。
6. 典型应用设计实例
设计目标:某便携设备提供一路 24V 电源输入与若干外设信号接口,要求在工业环境中满足 IEC 61000-4-2 接触放电 15kV、空气放电 30kV 的整机 EMC 要求,并为 24V 电源口提供 8/20μs 浪涌防护。
- 电源口防护:在 24V 输入端并联一颗 CXESD-24VSSA,阴极接 24V,阳极接 PGND,器件紧贴连接器放置;后级 DC-DC 输入耐压为 50V,与 45V 最大钳位电压之间留有 5V 余量,匹配良好。
- 外设信号线防护:对极性已知的信号线,每线并联一颗 CXESD-24VSSA,阴极接信号线,阳极接数字地;单向结构在负向瞬态下通过正向导通泄放,正向压降约 0.8V。
- 接地处理:保护器件地引脚必须以最短路径连接到连接器附近的机壳地或接口地,避免瞬态电流流过信号地平面,引起地弹。
- 漏电核算:单颗器件在 24V 下漏电流不超过 100nA,多颗并联对整机待机功耗的影响可以忽略。
- 布局要点:被保护信号线先经过保护器件再进入后级芯片,避免 T 型分支;保护器件与连接器之间走线建议控制在 5mm 以内。
7. PCB 布局建议
- 靠近干扰源放置:保护器件应尽可能贴近连接器或接口端子,使 ESD 电流在进入 PCB 内部之前就被旁路到地,保护器件与连接器之间的走线长度建议控制在 5mm 以内。
- 缩短地回路:阳极到地的走线应短而宽,优先通过多个过孔直接连到地平面,减小寄生电感带来的钳位电压过冲。
- 避免走线分支:被保护信号线应先经过保护器件再进入后级芯片,不要采用 T 型分支,否则分支走线会成为天线,拾取更多瞬态能量。
- 地与地分离:若系统存在模拟地与数字地,保护器件的地应连接到接口地或机壳地,避免瞬态大电流污染敏感的模拟地平面。
- 不要串联在信号路径中:CXESD-24VSSA 为并联型保护器件,必须跨接在信号线与地之间,切勿串联使用。
- 焊盘与钢网:SOD523 引脚间距仅 1.60mm,回流焊时需控制锡膏量,防止桥连;建议使用 0.12mm 钢网厚度与匹配的焊盘尺寸。
- 丝印与方向:器件为单向结构,阴极有极性标识,布局与贴片时务必确认方向,反向贴装将导致保护功能失效。
8. 订购信息与技术支持
| 器件型号 | 封装 | 包装形式 | 卷盘尺寸 |
|---|---|---|---|
| CXESD-24VSSA | SOD523 | 3000 pcs / 卷带(Tape & Reel) | 7 Inch |
CXESD-24VSSA 采用无铅、RoHS 合规的 SOD523 塑料封装,提供 7 英寸卷带包装以适应自动化贴片生产。嘉泰姆电子提供工程样品、量产供货及完整的技术资料,包括数据手册、封装尺寸图、推荐焊盘与回流焊曲线,并可根据客户应用场景提供 ESD/浪涌防护方案评估。
技术邮件: ouamo18@jtm-ic.com | 技术热线: 13823140578

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