CXBD3543 200V高耐压驱动芯片 - 1A峰值电流/750ns死区/SOP8封装电机控制方案

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   产品封装图 

   电路原理图 

应用设计

1  Vcc 端电源电压
    在考虑有足够的驱动电压去驱动N沟道功率MOS管，推荐电源Vcc工作电压典型值为7V-20V ； CXBD3543芯片的地跟  MCU的地共地。
2  输入逻辑信号要求和输出驱动器特性
   CXBD3543主要功能有逻辑信号输入处理、死区时间控制、电平转换功能、悬浮自举电源结构和上下桥 图腾柱式输出。逻辑信号输入端高电平阀值为2.5V以上，低电平阀值为1.0V以下，要求逻辑信号的输出电流小，可以使MCU输出逻辑信号直接连接到CXBD3543的输入通道上。
  高端上桥臂和低端下桥臂输出驱动器的最大灌入可达1A和最大输出电流可达0.6A, 高端上桥臂通道可以承受200V的电压，输入逻辑信号与输出控制信号之间的传导延时小，低端输出开通传导延时为850nS、关断传导延时为100nS,高端输出开通传导延时为850nS、关断传导延时为 100nS。低端输出开通的上升时间为40nS、关断的下降时间为 20nS, 高端输出开通的上升时间为40nS、关断的下降时间为20nS。输入信号和输出信号逻辑功能图如图8-2：

输入信号和输出信号逻辑真值表：

    从真值表可知，在输入逻辑信号 HIN 和LIN同时为“0”和非同时为“1”情况下，驱动器控制输出HO、LO 同 时 为“ 0”上、下功率管同时关断；当输入逻辑信号 HIN、LIN同 时 为“ 0”时，驱动器控制输出HO为“0”上管关断，LO 为“1”下管导通；当输入逻辑信号 HIN、LIN同时为“1”时，驱动器控制输出HO为“1”上管导通，LO为“0”下管关断；内部逻辑处理器杜绝控制器输出上、下功率管同时导通，具有相互闭锁功能。
3  自举电路
CXBD3543采用自举悬浮驱动电源结构大大简化了驱动电源设计，只用一路电源电压VCC即可完成高端N沟道MOS管 和低端N沟道MOS管两个功率开关器件的驱动,给实际应用带来极大的方便 。 CXBD3543可以使用外接一个自举二极管如图 8-3 和一个自举电容自动完成自举升压功能，假定在下管开通、上管关断期间C自举电容已充到足够的电压（Vc=VCC），当HO输出高电平时上管开通、下管关断时，VC自举电容上的电压将等效一个电压源作为内部驱动器VB和VS的电源，完成高端N沟道MOS管的驱动。
自举电容VC PCB布局尽量靠近芯片的VB脚跟VS脚，自举电容可以选择瓷片电容或者电解电容，最小容值可按以下公式计算：

其中：Qg 为高压侧MOS管的栅极电荷；
Qperiod 为每个周期中电平转换电路的电荷要求，约为 5nC； Ibso为高压侧驱动电路打开时的静态电流；
Ibsc 为自举电容的漏电流；
F 为电路工作频率；
Vcc为低端电源电压；
VF为自举二极管的正向压降；
Vds为MOS管需要彻底打开的GS电压。

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