CXLE8413高精度原边反馈LED恒流驱动芯片85Vac~265Vac全范围输入电压功率7W反激式隔离LED恒流电源内部集成650V功率管内置高精度的采样补偿电路

CXLE8413高精度原边反馈LED恒流驱动芯片85Vac~265Vac全范围输入电压功率7W反激式隔离LED恒流电源内部集成650V功率管内置高精度的采样补偿电路

产品型号:CXLE8413
产品类型:照明驱动
产品系列: 隔离产品
产品状态:量产
浏览次数:62 次
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产品简介

CXLE8413 CXLE8413是一款高精度原边反馈的 LED 恒流驱动芯片,适用于85Vac~265Vac 全范围输入电压、功率7W 以下的反激式隔离 LED 恒流电源。
CXLE8413内置了高精度的采样、补偿电路,使得电路能够达到±3%以内的恒流精度,具有优异的线型调整率和负载调整率,并且通过 RADJ 引脚外接电阻可以方便地控制 LED 开路保护电压。
CXLE8413内部集成了650V 功率 MOSFET,采用双绕组原边反馈模式,无需次级反馈电路,也无需补偿电路,加之精准稳定的自适应技术,使得系统外围结构十分简单,可在外围器件数量少,参数范围宽松的条件下实现高精度恒流控制,极大地节约了系统成本和体积,并且能够确保在批量生产时 LED 灯具参数的一致性。
CXLE8413具有丰富的保护功能:输出开短路保护、采样电阻开短路保护、欠压保护、输出过压保护、过温自适应调节等。
内部集成650V功率管
±3%以内的系统恒流精度
原边反馈恒流控制,无需次级反馈电路
无需辅助绕组检测和供电,实现双绕组结构
LED 开路电压可通过外部电阻调整
芯片超低工作电流
宽输入电压
输出开短路保护
采样电阻开短路保护
输出过压保护
芯片供电欠压保护
过热自适应调节功能
简洁的系统拓补,外围器件极少

技术参数

输入电压范围 (VIN) V ~ 85-265VV
输出电压 (VOUT)adj
输出电流 (IOUT)2.5A
工作频率1.4MHz
转换效率93%
封装类型SOP-8
Dimming methodPWM
功率管MOSFET,650V/0.8A
功耗10μA
Thd±3%
Power5-7W
Pf value.98
Topology隔离产品
Application照明驱动
Topology typePSR
Ripple<5%
Operating temp-40℃~85℃
ProtectionOVP/OCP/短路保护
CertificationUL/CE

产品详细介绍

目录

1.产品概述       2.产品特点     3.应用范围      4.技术规格书下载(产品PDF文档) 
5.产品封装图   6.电路原理图  7.功能概述      8.相关产品

一,产品概述(General Description)      
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   CXLE8413是一款高精度原边反馈的 LED 恒流驱动芯片,适用于85Vac~265Vac 全范围输
入电压、功率7W 以下的反激式隔离 LED 恒流电源。
     CXLE8413内置了高精度的采样、补偿电路,使得电路能够达到±3%以内的恒流精度,具有
优异的线型调整率和负载调整率,并且通过 RADJ 引脚外接电阻可以方便地控制 LED 开路保
护电压。
     CXLE8413内部集成了650V 功率 MOSFET,采用双绕组原边反馈模式,无需次级反馈电路,
也无需补偿电路,加之精准稳定的自适应技术,使得系统外围结构十分简单,可在外围器件数
量少,参数范围宽松的条件下实现高精度恒流控制,极大地节约了系统成本和体积,并且能够
确保在批量生产时 LED 灯具参数的一致性。
     CXLE8413具有丰富的保护功能:输出开短路保护、采样电阻开短路保护、欠压保护、输出
过压保护、过温自适应调节等。
二.产品特点(Features)
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内部集成650V功率管
±3%以内的系统恒流精度
原边反馈恒流控制,无需次级反馈电路
无需辅助绕组检测和供电,实现双绕组结构
LED 开路电压可通过外部电阻调整
芯片超低工作电流
宽输入电压
输出开短路保护
采样电阻开短路保护
输出过压保护
芯片供电欠压保护
过热自适应调节功能
简洁的系统拓补,外围器件极少
三,应用范围 (Applications)
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LED 灯具
四.技术规格书下载(产品PDF)
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需要详细的PDF规格书请扫一扫微信联系我们,还可以获得免费样品以及技术支持!

 QQ截图20160419174301.jpg

五,产品封装图 (Package)
直线
blob.png

引脚号

符号

功能

1

ISEN

电流采样,外接电阻

2

VDD

工作电源

3

GND

电源地

4

RADJ

设置开路保护,外接电阻

5

NC

空脚

6

NC

空脚

7

DRN

功率 MOSFET 的漏端

8

DRN

功率 MOSFET 的漏端

六.电路原理图
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image.png
七,功能概述
直线

项目

符号

参数范围

单位

电源电压

VDD

-0.3-20

V

漏极电压

VDRN

-0.3-650

V

电流采样端电压

VISEN

-0.3-6

V

最大工作电流

IDDMAX

5

mA

开路保护电压调节端

VRADJ

-0.3-6

V

o
最大耗散功率(Ta=25 C)

Ptot

0.45

W

热阻结-环境

Rthj-a

145

℃/W

工作结温范围

TJ

-40-155

存储温度范围

TSTG

-55-150

ESD

 

2,000

V

八,相关芯片选择指南
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隔离产品

产品型号

隔离/非隔离

内置功率管

封装形式

功率范围

 

CXLE8413

Y

MOSFET,650V/0.8A

SOP-8

5-7W

(SOP-8)_CN

CXLE8414

Y

MOSFET,650V/1.2A

SOP-8

7-9W

(SOP-8)_CN

CXLE8415A

Y

MOSFET,650/2.0A

DIP-7

12-18W

(DIP-7)_CN

CXLE8416

Y

MOSFET,700V/3.0A

SOP-8,DIP-7

12-18W

(SOP-8&DIP-7)_CN

CXLE8417

Y

MOSFET,700V/4.0A

DIP-7

18-24W

(DIP-7)_CN

CXLE8418

Y

MOSFET,BJT

SOP-8

UP to 60W

(SOP-8)_CN

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