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EnglishCXDR7527微处理器电子系统低功耗电压检测芯片CMOS输出漏端开路的N管输出高精度低温漂的特点微处理器复位电路存储器电池备份电路上电复位电路
| 产品型号： | CXDR7527 |
| 产品类型： | 电压检测/复位IC |
| 产品系列： | 电压检测与复位IC |
| 产品状态： | 量产 |
| 浏览次数： | 57 次 |
产品简介
技术参数
| 输入电压范围 (VIN) | 0.7-6.0V |
|---|---|
| 输出电压 (VOUT) | 4.65V |
| 输出电流 (IOUT) | 10mA |
| 工作频率 | 92KHz |
| 转换效率 | 高电平和低电平 |
| 封装类型 | SOT-23-3 |
| Detection voltage | 0.7-6.0V |
| Detection accuracy | ±1% |
| Reset delay | 200ms(Typ.) |
| Output type | 电压检测与复位IC |
| Detection direction | 上升沿/下降沿 |
| Temperature range | -40℃~125℃ |
| Features | N-channel open drain or CMOS |
| Application | MCU复位/电压监控 |
| Power consumption | 1.5uA |
| 检测阈值 | 3.08V |
| 复位电平 | 低有效 |
产品详细介绍
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一,产品概述(General Description) 需要详细的PDF规格书请扫一扫微信联系我们，还可以获得免费样品以及技术支持！ 五,产品封装图 (Package)
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七,功能概述
CMOS 输出（特别地注意第 4 点）
① 当Vin端输入电压高于释放电压release voltage (VDR)，这个电压将逐步降低。当VIN端输入电压高于检测电压detect
voltage (VDF)，输出电压与输入电压相等。
注意N管漏开路输出方式中，Vin高时为输出等效高阻，采用上拉电阻，Vout应等于上拉电压。
② 当Vin下降至低于Vdf，Vout应该等于地电压。N管漏开路输出方式也是同样的功能。 当Vin低于最低工作电压，输出Vout
是不稳定的。N管漏开路输出方式中输出会被逐渐被上拉
④ Vin从地电位升起（不同于从高于最低工作电压的电位升起），在上升速度足够快的情况下，Vout等于上拉电压，否则将
等于地电位，经过延时候等于上拉电压。
⑤ Vin高于释放电压后，Vout将保持地电位直至内置延时结束。
⑥ 延时结束后，Vin将等于Vout，注意N管漏开路输出方式中，使用用上拉电阻才能实现此功能。
注意：
1．VDR 与VDF的区别在于VDF存在VDR加迟滞电压
2．内置延时(tDLY)表示Vin恢复至超过VDF后，至输出Vout变为Vin的这段时间
八,相关产品 -
产品名称
工作电压(V)
延迟
静态功耗(uA)
输出方式
封装形式
2.0-6.5
N
8
单节锂电池4段电量显示
SOT-23-6
0.7-7.0
Y
1.5
N-channel open drain or CMOS
SOT-143
0.7-6.0
Y
1.5
N-channel open drain or CMOS
SOT-23-3
0.7-7.0
Y
2
N-channel open drain or CMOS
SOT-23-3,SOT-89-3,TO-92
0.7-7.0
N
2
N-channel open drain or CMOS
SOT-23-3
1.5-7.0
N
4
N-channel open drain and CMOS
SOT-23-5,SOT-353
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