旧闻博览

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<font color='FF4B0A'>CXAC8545是一种高性能的AC / DC电源控制器，主要应用于电池充电器、适配器、辅助电源。该芯片采用脉冲频率调制(PFM)方式，高精度定电压/恒电流(CV / CC)的原边反馈， CXAC8545可以实现高平均效率、可提供线损补偿。可以轻</font>

CXAC8545是一种高性能的AC / DC电源控制器，主要应用于电池充电器、适配器、辅助电源。该芯片采用脉冲频率调制(PFM)方式，高精度定电压/恒电流(CV / CC)的原边反馈， CXAC8545可以实现高平均效率、可提供线损补偿。可以轻

CXAC8545是一种高性能的AC / DC电源控制器，主要应用于电池充电器、适配器、辅助电源。该芯片采用脉冲频率调制(PFM)方式，高精度定电压/恒电流(CV / CC)的原边反馈， CXAC8545可以实现高平均效率、可提供线损补偿。可以轻松做到待机100mW内

2020-04-06 09:43:38

<font color='FF4B0A'>逐周期电流限制CXAC8547全电压范围内高精度恒流调节原边控制内置MOS芯片，内置反馈回路开路保护</font>

逐周期电流限制CXAC8547全电压范围内高精度恒流调节原边控制内置MOS芯片，内置反馈回路开路保护

逐周期电流限制CXAC8547全电压范围内高精度恒流调节原边控制内置MOS芯片，内置反馈回路开路保护

2020-04-06 09:43:38

<font color='FF4B0A'>CXAC8548是一种高性能的AC/DC电源控制器，内部集成600V/2A MOSFET,主要应用于15W 电池充电器、适配器、辅助电源。该芯片采用脉冲频率调制(PFM)方式，高精度定电压/恒电流(CV/CC)的原边反馈， CXAC8548可以实现高平均效率、</font>

CXAC8548是一种高性能的AC/DC电源控制器，内部集成600V/2A MOSFET,主要应用于15W 电池充电器、适配器、辅助电源。该芯片采用脉冲频率调制(PFM)方式，高精度定电压/恒电流(CV/CC)的原边反馈， CXAC8548可以实现高平均效率、

CXAC8548是一种高性能的AC/DC电源控制器，内部集成600V/2A MOSFET,主要应用于15W 电池充电器、适配器、辅助电源。该芯片采用脉冲频率调制(PFM)方式，高精度定电压/恒电流(CV/CC)的原边反馈， CXAC8548可以实现高平均效率、可提供线损补偿。可以轻松做到待机100mW内

2020-04-06 09:43:38

<font color='FF4B0A'>CXAC8549是一种高性能的AC/DC电源控制器，内部集成600V/2A MOSFET,主要应用于4W 电池充电器、适配器、辅助电源。CXAC8549采用脉冲频率调制(PFM)方式，高精度定电压/恒电流(CV/CC)的原边反馈， CXAC8549可以实现高平均效率</font>

CXAC8549是一种高性能的AC/DC电源控制器，内部集成600V/2A MOSFET,主要应用于4W 电池充电器、适配器、辅助电源。CXAC8549采用脉冲频率调制(PFM)方式，高精度定电压/恒电流(CV/CC)的原边反馈， CXAC8549可以实现高平均效率

CXAC8549是一种高性能的AC/DC电源控制器，内部集成600V/2A MOSFET,主要应用于4W 电池充电器、适配器、辅助电源。CXAC8549采用脉冲频率调制(PFM)方式，高精度定电压/恒电流(CV/CC)的原边反馈， CXAC8549可以实现高平均效率、可提供线损补偿。可以轻松做到待机100mW内

2020-04-06 09:43:38

<font color='FF4B0A'>CXAC8550是一款隔离、高PF、高电流精度、单级恒流LED反激拓扑驱动电源控制芯片。主要针对50W以内 LED驱动而设计的一款高性能控制芯片。 CXAC8550内部集成功率因素校正功能、通过恒定关断时间和工作在（DCM）断续模式中，可</font>

CXAC8550是一款隔离、高PF、高电流精度、单级恒流LED反激拓扑驱动电源控制芯片。主要针对50W以内 LED驱动而设计的一款高性能控制芯片。 CXAC8550内部集成功率因素校正功能、通过恒定关断时间和工作在（DCM）断续模式中，可

CXAC8550是一款隔离、高PF、高电流精度、单级恒流LED反激拓扑驱动电源控制芯片。主要针对50W以内 LED驱动而设计的一款高性能控制芯片。 CXAC8550内部集成功率因素校正功能、通过恒定关断时间和工作在（DCM）断续模式中，可以达到很小的总谐波失真电流。而且不需要光耦和副边的控制电路就能实现输出恒流功能

2020-04-06 09:43:38

<font color='FF4B0A'>CXAC8552是一款AC/DC降压芯片，原边反馈，外推600VMOS管，无431和光耦，恒压与恒流控制，有线损补偿，待机功耗小于60mW,PFM+QR控制模式，10W以下充电器，能过6级能效PFM+QR控制模式+MOS</font>

CXAC8552是一款AC/DC降压芯片，原边反馈，外推600VMOS管，无431和光耦，恒压与恒流控制，有线损补偿，待机功耗小于60mW,PFM+QR控制模式，10W以下充电器，能过6级能效PFM+QR控制模式+MOS

CXAC8552是一款AC/DC降压芯片，原边反馈，外推600VMOS管，无431和光耦，恒压与恒流控制，有线损补偿，待机功耗小于60mW,PFM+QR控制模式，10W以下充电器，能过6级能效PFM+QR控制模式+MOS

2020-04-06 09:43:38

<font color='FF4B0A'>CXAC8553是一种高性能、高效率、低EMI、集成QR(准谐振模式)和PSR（原边反馈）的离线式小功率控制器。内置1A/650V 的高压功率MOS，控制器可以满足EPS 6级能源标准</font>

CXAC8553是一种高性能、高效率、低EMI、集成QR(准谐振模式)和PSR（原边反馈）的离线式小功率控制器。内置1A/650V 的高压功率MOS，控制器可以满足EPS 6级能源标准

CXAC8553是一种高性能、高效率、低EMI、集成QR(准谐振模式)和PSR（原边反馈）的离线式小功率控制器。内置1A/650V 的高压功率MOS，控制器可以满足EPS 6级能源标准

2020-04-06 09:43:38

<font color='FF4B0A'>CXAC8554是一种高性能、高效率、低 EMI、集成 QR(准谐振模式)和 PSR（原边反馈）的离线式小功率控制器。控制器可以满足 EPS 6 级能源标准。10w 充电器可以支持“No-snubber No-Y”设计。芯片内置的线损补偿,可以提供</font>

CXAC8554是一种高性能、高效率、低 EMI、集成 QR(准谐振模式)和 PSR（原边反馈）的离线式小功率控制器。控制器可以满足 EPS 6 级能源标准。10w 充电器可以支持“No-snubber No-Y”设计。芯片内置的线损补偿,可以提供

CXAC8554是一种高性能、高效率、低 EMI、集成 QR(准谐振模式)和 PSR（原边反馈）的离线式小功率控制器。控制器可以满足 EPS 6 级能源标准。10w 充电器可以支持“No-snubber No-Y”设计。芯片内置的线损补偿,可以提供良好 CV 输出。芯片内置 650V 高压功率管，最高可做到 12W

2020-04-06 09:43:38

<font color='FF4B0A'>原边反馈恒压恒流控制器CXAC8555是一款满足六级能效标准原边反馈准谐振模式的小功率AC/DC电源控制芯片。内部集成了650V,2A的高压功率MOS 管，最大功率10W，用于充电器，适配器和LED 驱动领域。实现±5%的恒压恒流精度和小</font>

原边反馈恒压恒流控制器CXAC8555是一款满足六级能效标准原边反馈准谐振模式的小功率AC/DC电源控制芯片。内部集成了650V,2A的高压功率MOS 管，最大功率10W，用于充电器，适配器和LED 驱动领域。实现±5%的恒压恒流精度和小

原边反馈恒压恒流控制器CXAC8555是一款满足六级能效标准原边反馈准谐振模式的小功率AC/DC电源控制芯片。内部集成了650V,2A的高压功率MOS 管，最大功率10W，用于充电器，适配器和LED 驱动领域。实现±5%的恒压恒流精度和小于100mW 的待机功耗

2020-04-06 09:43:38

<font color='FF4B0A'>Ultra-small package High-precision Voltage Detector with delay circuit CXDR7536 a series of high-precision voltage detectors with a built-in delay time generator of fixed time developed using CMOS</font>

Ultra-small package High-precision Voltage Detector with delay circuit CXDR7536 a series of high-precision voltage detectors with a built-in delay time generator of fixed time developed using CMOS

Ultra-small package High-precision Voltage Detector with delay circuit CXDR7536 a series of high-precision voltage detectors with a built-in delay time generator of fixed time developed using CMOS

2020-04-06 09:43:38

<font color='FF4B0A'>CXMS5218SG Series Dual P-channel enhancement mode field-effect transistor ,produced with high cell density DMOS trench technology, which is especially used to minimize on-state resistance.</font>

CXMS5218SG Series Dual P-channel enhancement mode field-effect transistor ,produced with high cell density DMOS trench technology, which is especially used to minimize on-state resistance.

CXMS5218SG Series Dual P-channel enhancement mode field-effect transistor ,produced with high cell density DMOS trench technology, which is especially used to minimize on-state resistance.

2020-04-06 09:43:38

<font color='FF4B0A'>CXMS5219SG Series Dual P-channel enhancement mode field-effect transistor, produced with high cell density DMOS trench technology, which is especially used to minimize on-state resistance</font>

CXMS5219SG Series Dual P-channel enhancement mode field-effect transistor, produced with high cell density DMOS trench technology, which is especially used to minimize on-state resistance

CXMS5219SG Series Dual P-channel enhancement mode field-effect transistor, produced with high cell density DMOS trench technology, which is especially used to minimize on-state resistance

2020-04-06 09:43:38

<font color='FF4B0A'>CXMS5222 CXMS5222-N N-channel enhancement mode field-effect transistor ,produced with high cell density DMOS trench technology, which is especially used to minimize on-state resistance</font>

CXMS5222 CXMS5222-N N-channel enhancement mode field-effect transistor ,produced with high cell density DMOS trench technology, which is especially used to minimize on-state resistance

CXMS5222 CXMS5222-N N-channel enhancement mode field-effect transistor ,produced with high cell density DMOS trench technology, which is especially used to minimize on-state resistance

2020-04-06 09:43:38

<font color='FF4B0A'>CXMS5224 Dual N-channel enhancement mode field-effect transistor ,produced with high cell density DMOS trench technology, which is especially used to minimize on-state resistance</font>

CXMS5224 Dual N-channel enhancement mode field-effect transistor ,produced with high cell density DMOS trench technology, which is especially used to minimize on-state resistance

CXMS5224 Dual N-channel enhancement mode field-effect transistor ,produced with high cell density DMOS trench technology, which is especially used to minimize on-state resistance

2020-04-06 09:43:38

<font color='FF4B0A'>Constant Voltage and Constant Current controller CXAC8520A CXAC8520B CXAC8520C CXAC8521-5 highly integrated solution for a constant voltage/constant current mode SMPS application</font>

Constant Voltage and Constant Current controller CXAC8520A CXAC8520B CXAC8520C CXAC8521-5 highly integrated solution for a constant voltage/constant current mode SMPS application

Constant Voltage and Constant Current controller CXAC8520A CXAC8520B CXAC8520C CXAC8521-5 highly integrated solution for a constant voltage/constant current mode SMPS application

2020-04-06 09:43:38

<font color='FF4B0A'>CXLD6443三端积极的监管机构。这些监管机构可以提供输出电流1.2。监管机构的内部限制和热关机特性让它们基本上不会过载。当用作替代一个齐纳二极管电阻梳子——暗杀,可以获得一个有效的改善输出阻抗,加上低静态电流</font>

CXLD6443三端积极的监管机构。这些监管机构可以提供输出电流1.2。监管机构的内部限制和热关机特性让它们基本上不会过载。当用作替代一个齐纳二极管电阻梳子——暗杀,可以获得一个有效的改善输出阻抗,加上低静态电流

CXLD6443三端积极的监管机构。这些监管机构可以提供输出电流1.2。监管机构的内部限制和热关机特性让它们基本上不会过载。当用作替代一个齐纳二极管电阻梳子——暗杀,可以获得一个有效的改善输出阻抗,加上低静态电流

2020-04-06 09:43:38

<font color='FF4B0A'>CXLD78M05三端积极的监管机构。这些监管机构可以提供输出电流500mA。监管机构的内部限制和热关机特性让它们基本上不会过载。当用作替代一个齐纳二极管电阻梳子——暗杀,可以获得一个有效的改善输出阻抗,加上低静态电</font>

CXLD78M05三端积极的监管机构。这些监管机构可以提供输出电流500mA。监管机构的内部限制和热关机特性让它们基本上不会过载。当用作替代一个齐纳二极管电阻梳子——暗杀,可以获得一个有效的改善输出阻抗,加上低静态电

CXLD78M05三端积极的监管机构。这些监管机构可以提供输出电流500mA。监管机构的内部限制和热关机特性让它们基本上不会过载。当用作替代一个齐纳二极管电阻梳子——暗杀,可以获得一个有效的改善输出阻抗,加上低静态电流

2020-04-06 09:43:38

<font color='FF4B0A'>CXLD78L05三端积极的监管机构。这些监管机构可以提供输出电流100mA。监管机构的内部限制和热关机特性让它们基本上不会过载。当用作替代一个齐纳二极管电阻梳子——暗杀,可以获得一个有效的改善输出阻抗,加上低静态电</font>

CXLD78L05三端积极的监管机构。这些监管机构可以提供输出电流100mA。监管机构的内部限制和热关机特性让它们基本上不会过载。当用作替代一个齐纳二极管电阻梳子——暗杀,可以获得一个有效的改善输出阻抗,加上低静态电

CXLD78L05三端积极的监管机构。这些监管机构可以提供输出电流100mA。监管机构的内部限制和热关机特性让它们基本上不会过载。当用作替代一个齐纳二极管电阻梳子——暗杀,可以获得一个有效的改善输出阻抗,加上低静态电流

2020-04-06 09:43:38

<font color='FF4B0A'>单P沟道低压MOS场效应管</font>

单P沟道低压MOS场效应管

单P沟道低压MOS场效应管

2020-04-06 09:43:38

<font color='FF4B0A'>SOT-23 Plastic-Encapsulate MOSFETs BSS84 These miniature surface mount MOSFETs reduce power loss conserve energy, making this device ideal for use in small power management circuitry</font>

SOT-23 Plastic-Encapsulate MOSFETs BSS84 These miniature surface mount MOSFETs reduce power loss conserve energy, making this device ideal for use in small power management circuitry

SOT-23 Plastic-Encapsulate MOSFETs BSS84 These miniature surface mount MOSFETs reduce power loss conserve energy, making this device ideal for use in small power management circuitry

2020-04-06 09:43:38

<font color='FF4B0A'>DFNWB2X2-6L-J Plastic-Encapsulate MOSFETS CX08P12D ,Advanced trench MOSFET process technology</font>

DFNWB2X2-6L-J Plastic-Encapsulate MOSFETS CX08P12D ,Advanced trench MOSFET process technology

DFNWB2X2-6L-J Plastic-Encapsulate MOSFETS CX08P12D ,Advanced trench MOSFET process technology

2020-04-06 09:43:38

<font color='FF4B0A'>P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET CX16P12D，advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages</font>

P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET CX16P12D，advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages

P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET CX16P12D，advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages

2020-04-06 09:43:38

<font color='FF4B0A'>P-Channel 20V (D-S) MOSFET CXCP5367BKR/BSR/BJR,the P-Channel logic enhancement mode power field effect transistors are produced using high cell density, DMOS trench technology</font>

P-Channel 20V (D-S) MOSFET CXCP5367BKR/BSR/BJR,the P-Channel logic enhancement mode power field effect transistors are produced using high cell density, DMOS trench technology

P-Channel 20V (D-S) MOSFET CXCP5367BKR/BSR/BJR,the P-Channel logic enhancement mode power field effect transistors are produced using high cell density, DMOS trench technology

2020-04-06 09:43:38

<font color='FF4B0A'>P-Channel Trench Power MOSFET CXCP5367C advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as -2.5V</font>

P-Channel Trench Power MOSFET CXCP5367C advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as -2.5V

P-Channel Trench Power MOSFET CXCP5367C advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as -2.5V

2020-04-06 09:43:38

<font color='FF4B0A'>P-Channel 20V (D-S) MOSFET CXCP5367D P-Channel logic enhancement mode power field effect transistors are produced using high cell density, DMOS trench technology</font>

P-Channel 20V (D-S) MOSFET CXCP5367D P-Channel logic enhancement mode power field effect transistors are produced using high cell density, DMOS trench technology

P-Channel 20V (D-S) MOSFET CXCP5367D P-Channel logic enhancement mode power field effect transistors are produced using high cell density, DMOS trench technology

2020-04-06 09:43:38

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