产品名称：
CXMD3263 CXMD3264高电压高速功率MOSFET和IGBT的半桥预分频器高侧和低侧的输入两个避免内部死区时间的输出通道交叉传导浮动高边沟道可以驱动高达600伏的N沟道功率MOSFET或IGBT
文件格式：
PDF
文件语言：
简体中文
版权类型：
嘉泰姆
技术要求：
http://www.jtm-ic.com/shop/adc/madaq/madaq/2020-03-03/6378.html
文件类型：
产品文件
软件大小：
498 KB
文件等级：
5
上传用户：
嘉泰姆
作 者：
嘉泰姆
产品简介：
CXMD3263 CXMD3264是一种高电压、高速功率MOSFET和IGBT的半桥预分频器。它有高侧和低侧的输入，以及两个避免内部死区时间的输出通道交叉传导。输入逻辑电平与3.3V/5V/15V兼容信号。浮动高边沟道可以驱动高达600伏的N沟道功率MOSFET或IGBT。
600V以下浮动通道操作
在负瞬态电压下具有鲁棒性
门驱动电源范围为10V至20V
3.3V、5V和15V输入逻辑输入兼容
高侧和低侧的紫外线
内置100ns死区
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